【应用】国产SiC MOSFET IV1Q12050T3/T4用于大功率LLC谐振器，导通电阻仅50mΩ

时间： 2021-03-31 来源：世强

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在逆变应用领域中，LLC谐振变换器电路中的大功率器件一直多以英飞凌的cool mos和CREE的SiC MOS为主，加上近期进口物料的交期和价格都不理想，国产化的需求越来越多，瞻芯电子针对这一需求推出导通电阻仅50mΩ的SiC MOSFET IV1Q12050T3/IV1Q12050T4，LLC谐振器大功率MOS国产化的优秀选择。

LLC谐振变换器的典型电路图如图1所示，以20KW功率的LLC谐振变换器为例，开关频率要求100KHz以上，由于母线电压为450-600V（AC380V±10%），原边电流最大在45A左右。根据以上要求，需要选择耐压1200V、电流40-50A的功率器件，传统的功率cool MOS由于最高电压达不到1200V，而IGBT的开关频率满足不了100KHz，因此SiC器件是此方案的最佳选择。

图1 LLC谐振变换器的典型电路图

瞻芯电子针对上述需求推出导通电阻仅50mΩ的IV1Q12050T3/T4，其在LLC应用优势如下：

1、导通电阻低、耐压高，典型值仅为50mΩ导通电阻可以确保在高频100KHz和高压下工作时，开关损耗能做到很低，能满足大功率LLC的功率器件需求；而传统的分立Si MOS最高耐压在900V左右，很难满足高输入电压的LLC谐振变换器，；

2、快速恢复体二极管，IV1Q12050T3/T4的体二极管反向恢复时间仅为44ns，大大降低管子工作续流时二极管上的功耗，从而降低整体器件的功耗；

3、封装齐全，IV1Q12050T3为TO-247-3L封装，IV1Q12050T4为TO-247-4L封装（开尔文引脚），可以完全兼容市场上的进口SIC MOS器件；

4、高工作结温，-55至175℃的宽工作结温范围，确保管子在极限温度下工作的可靠性；

5、国产品牌，在性价比和交期上相对进口器件有很大的优势。

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全部评论（2）

用户97145362 Lv4 资深工程师 2021-06-17

这款国产SICmos我正在申请样品测试，关于SICMOS的有源箝位需要加吗？
- bsy1984回复：这款SIC MOS是属于分立器件，相对于模块，分立器件在布线时灵活性更大，最大程度降低布线所带来的寄生电感，而模块由于管脚和布局已经固定，所以布线相对较复杂，因此模块方案一般都必须增加有源箝位，分立器件在处理好布线的前提，可以不加有源箝位，可以通过实际调试时监控驱动DS和GS的波形判定。
  查看全部2条回复
用户97145362 Lv4. 资深工程师 2021-06-15

这款国产SICmos我正在申请样品测试，关于SICMOS的有源箝位需要加吗？

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