【产品】连续漏极电流为9A的N沟道增强型功率MOSFET SFF9N50，连续漏极电流ID=9A
SFF9N50是一款采用HI-SEMICON专有的平面条形DMOS技术生产的N沟道增强型功率MOSFET，漏源电压最大额定值为500V，连续漏极电流最大额定值为9A（TC=25℃）。器件采用TO-220F-3L封装，适用于功率因数校正、开关电源、不间断电源及LED照明电源等应用。
产品特点
漏源电压VDS=500V，连续漏极电流ID=9A
漏源导通电阻RDS(ON)=0.69Ω（典型值）@VGS=10V ID=4.5A
应用
功率因数校正（PFC）
开关电源（SMPS）
不间断电源（UPS）
LED照明电源
绝对最大额定值参数（TJ=25℃，除非特别说明）:
电气参数
注：
1.脉冲宽度受最大结温限制
2.L=30mH,IAS=5A,VDD=100V,VG=10V,RG=25Ω,起始Tj=25℃
3.脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
4.基本上与工作温度无关
封装标识及订购信息
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