北京特瓦特能源董事长王学启接待昕感团队
近日北京京能投资总监王潇携昕感科技创始人王哲一行到访北京特瓦特能源科技有限公司,与特瓦特能源科技董事长王学启针对未来可合作方向进行深度交流。
此次两家京能投资企业交流,特瓦特能源科技对目前昕感主要产品SiC MOSFET、充电桩模组,以及昕感科技的整体研发能力表示了高度肯定及兴趣,明确了未来产品合作的方式与节奏。王潇表示期待在双方未来的京能布局的储充停车场站中能尽快相互联合,共同推进技术迭代,从而推出极具市场竞争力的产品。
关于特瓦特能源
特瓦特能源科技成立于2015年,紧跟科技发展脉动,布局新能源产业链,以前瞻的眼光洞察行业发展,以“科技领跑,追求出色”为发展理念,以“诚信为本,互惠双赢”为经营理念。公司的技术和运营理念使其在电动汽车充电设施的研发、生产、建设与运营方面具有显著优势,另外,特瓦特超级充电站的优势主要在充电速度、充电效率和用户友好设计方面的表现。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由walkonair转载自昕感科技公众号,原文标题为:北京特瓦特能源董事长王学启接待昕感团队,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
京能集团副总经理陈国高一行莅临参观昕感科技
5月30日上午,北京能源集团副总经理陈国高一行前往无锡江阴,对北京昕感科技有限责任公司在江阴在建的特色工艺晶圆厂进行了深入的调研和参观。此次考察旨在增进双方了解,并就相关产业技术进行交流。
清华大学电子系党委书记看望昕感科技,期待未来在集成电路领域的合作交流
2024年7月17日下午,清华大学电子系党委书记沈渊带队前往无锡江阴调研北京昕感科技有限责任公司在江阴特色工艺晶圆厂,集成电路学院校友、董事长王哲参与考察接待并进行交流座谈。昕感科技期待未来更多与清华大学在集成电路领域的合作交流。
昕感科技将携SiC器件、SiC功率模块以及电源模组方案亮相2024慕尼黑上海电子展
2024年7月8号-10号,慕尼黑上海电子展将在上海新国际博览中心隆重举行。昕感科技作为大功率器件及模组解决方案IDM厂商,将携SiC器件、SiC功率模块,以及电源模组方案亮相。最新推出的1200V/7mΩ、1200V/13mΩ SiC MOSFET将会现场展出。展位号: E3馆 3166。
昕课堂丨一文了解SiC MOSFET鲁棒性原理
昕感科技基于车规平台推出的1200V SiC MOSFET系列产品拥有优异的鲁棒性。在800V母线电压条件下短路耐受时间达到3us,可以为系统提供充分的反应时间,提升了系统的可靠性。昕感N2M120007PP11同样拥有优秀的最大雪崩击穿耐受能量EAS 。
无锡市委常委、江阴市委书记赴昕感科技视察指导,合力推动功率半导体芯片项目建设
2024年6月14日上午,无锡市委常委、江阴市委书记许峰以市人大代表的身份,深入一线、现场视察,听取民意、汇集民智,不断开创江阴高质量发展新局面。昕感科技作为代表企业受到许峰书记一行视察指导。江苏昕感科技有限责任公司专注于功率半导体芯片的研发及产业化,产品广泛应用于新能源汽车、光伏发电等领域。
SiC器件在电动汽车无线充电的应用及技术优势
无线电能传输技术是一种新兴的充电技术,通过电磁感应原理将电能从发射侧装置传输到接收侧装置中,再通过功率变换电路给负载进行充电,从而实现非接触式充电。近年来,电动汽车无线充电技术备受关注,并逐步走向商业化应用。本文将重点探讨碳化硅器件在电动汽车无线充电的应用及技术优势。
浅析昕感科技在沟槽SiC MOSFET方向的研究专利
为开发高质量的沟槽SiC MOSFET产品,昕感科技很早便开始先进沟槽型技术的布局,已形成沟槽型SiC MOSFET方案。目前已公开的先进沟槽型SiC MOSFET结构设计相关专利达到10项,其中9项已实现授权,专利文件中也都包含完整的电学仿真结果证明新结构的性能优越性,并附上完整的制造流程指导方案的实现。授权专利中的结构可以分为四大类,本文将给大家分别介绍其中的关键技术。
无锡市委书记杜小刚一行视察昕感科技晶圆厂建设情况
江苏昕感科技有限责任公司专注于功率半导体芯片制造,总投资20亿元,总建筑面积超4.5万平,核心生产无尘室面积达1万平。产品广泛应用于新能源汽车、光伏发电等领域。预计8月份设备进场调试,12月底正式投产,项目满载后产值可达数十亿元。
解析SiC MOS的栅极驱动设计——驱动电压
SiC MOSFET的门极驱动设计并不复杂。和硅基IGBT、硅基超结MOSFET基本类似。设计上可简单分解为硅基IGBT的负压驱动设计能力+硅基超结MOSFET的高速开关设计能力。本文昕感科技将为您介绍SiC MOS的栅极驱动设计——驱动电压。
选对不选贵丨昕感科技SiC器件选型一览表
昕感科技SiC MOSFET累计出货客户百余家,产品广泛应用于光伏储能、新能源汽车、工业控制等领域。昕感科技是国内为数不多可进行6吋晶圆特色工艺生产的IDM厂商,后续可为客户提供更好的支持与服务。
昕感科技携SiC器件产品亮相24年慕尼黑上海电子展,涵盖650V/1200V/1700V等不同电压等级
2024年7月8日,慕尼黑上海电子在上海新国际博览中心如火如荼的举行。昕感科技专注SiC器件及模组研发,拥有专业技术团队,可为客户提供专业快捷的服务支持,帮助客户快速部署产品应用,全面提升产品的市场竞争力。
昕感带你看懂SiC MOSFET SOA曲线
SOA的全称是Safe Operating Area,中文名是安全工作区,指功率器件可以正常工作不被损坏的电流-电压区间。当下商用功率SiC MOSFET的数据手册中都会提供SOA曲线,方便工程师进行设计。本文昕感科技将带你详细了解SOA曲线。
昕感科技1200V/7mΩ SiC MOSFET,采用TO247-4PLUS封装,方便实现大电流并联
昕感科技在低导通电阻器件的开发上走在了行业的前列,于2023年推出一款1200V/7mΩ SiC MOSFET产品N2M120007PP0,使用了TO247-4PLUS封装降低器件热阻。该产品工作电流可达300A以上,具有正温度系数,可方便实现大电流并联。同时,昕感新品的漏电流极低,具备优越的高压阻断特性,方便用户使用和节省成本。
【元件】昕感科技新近推出兼容15V栅压驱动的1200V/13mΩ低导通电阻SiC MOSFET产品
近日,昕感科技发布一款兼容15V栅压驱动的1200V低导通电阻SiC MOSFET产品N2M120013PP0,导通电阻在15V栅压下低至13mΩ,配合低热阻TO-247-4L Plus封装,可以有效提升电流能力,满足客户的大功率应用需求。
昕感科技完成京能集团旗下北京京能能源科技并购投资基金战略入股
昕感科技再添战略股东!昕感科技完成京能集团旗下北京京能能源科技并购投资基金战略入股。昕感科技聚焦于第三代半导体SiC功率器件和功率模块的技术突破创新与产品研发生产,致力于成为国内领先和具有国际影响力的功率半导体变革引领者。
电子商城
现货市场
服务
提供稳态、瞬态、热传导、对流散热、热辐射、热接触、和液冷等热仿真分析,通过FloTHERM软件帮助工程师在产品设计初期创建虚拟模型,对多种系统设计方案进行评估,识别潜在散热风险。
实验室地址: 深圳 提交需求>
使用FloTHERM和Smart CFD软件,提供前期热仿真模拟、结构设计调整建议、中期样品测试和后期生产供应的一站式服务,热仿真技术团队专业指导。
实验室地址: 深圳 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论