基本半导体与贺利氏电子签署战略合作协议，将共同推动功率半导体行业技术革新与价值提升

时间： 2024-08-31 来源：基本半导体公众号

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2024年8月29日，在深圳举行的PCIM Asia 2024国际电力元件、可再生能源管理展览会上，基本半导体与贺利氏电子共同举行了战略合作备忘录签约仪式。此次签约，标志着双方在碳化硅领域的合作迈入新阶段，将共同推动功率半导体行业的技术革新与价值提升。

贺利氏电子中国联席负责人兼合资公司副总经理沈仿忠先生（图左）、基本半导体总经理和巍巍博士（图右）出席签约仪式

基本半导体是中国第三代半导体创新企业，致力于碳化硅功率器件的研发与产业化，其先进产品服务于全球电动汽车、光伏储能、轨道交通、工业控制和智能电网等领域客户。其中，采用贺利氏电子材料的车规级碳化硅模块产品在广汽、上汽等国内主流车企批量应用，出货量进入全球碳化硅模块新能源车市场前十名，基本半导体成为了国内第一批量产上车的碳化硅行业头部企业。

贺利氏电子是电子封装材料应用领域的材料及匹配材料解决方案专家，满足市场对功率模块高效率和可靠性的需求。该公司以创新的产品组合、配套材料应用技术和专业知识，确保客户实现创新发展的关键目标。

基本半导体总经理和巍巍博士表示：

“我们与贺利氏电子一直保持着良好的合作关系，期待未来与贺利氏电子在碳化硅功率器件领域继续加强合作，共同研发更多创新技术与产品，以应对电动汽车、光伏储能等市场日益增长的需求，为客户创造更大的价值。”

贺利氏电子中国联席负责人兼合资公司副总经理沈仿忠先生指出：

“我们很荣幸与重要的客户、合作伙伴基本半导体进一步深化合作，推动碳化硅技术的突破，推动功率半导体行业的绿色发展，并帮助解决能源短缺等问题，共同开创功率半导体行业的新未来。”

此外，基本半导体副总经理喻双柏先生、供应链总监闫瑞女士，贺利氏电子管理层代表Manuel Fischer先生、中国区研发总监张靖博士、全球产品经理Christian Kersting、华南区销售总监刘海忠先生等出席了签约仪式，共同见证了双方合作的重要时刻。

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瞻芯电子（InventChip）碳化硅（SiC）功率器件/驱动与控制芯片选型指南

描述- 上海瞻芯电子科技股份有限公司（简称“瞻芯电子”）是一家聚焦于碳化硅 (SiC) 半导体领域的高科技芯片公司，2017 年成立于上海临港，致力于开发碳化硅 (SiC) 功率器件和模块、驱动和控制芯片产品，围绕 SiC 应用，为客户提供一站式芯片解决方案。

型号- IV2Q12040BD,IV1B12009HA2L,IV1D12030BD,IV2Q07014T4Z,IV1Q12050D7Z,IVST12017MA1L,IV2Q12100BD,IV1Q12017T4ZG,IV1Q12160T4Z,IVST12080DA1L,IVCR2405DR,IV2Q12040T4Z,IV1D06020BD,IVCR1412SR,IV2Q12013T6Z,IV2Q06060BD,IV1Q12080T3Z,IV2Q171R0BD,IVCO1A01DQR,IV1Q12750T3,IV2Q12030D7Z,IV1D12015BD,IV2Q07014BA,IV2Q07014BD,IV2Q12160T4Z,IV1D06006F5,IVCO1A01DR,IV1B12013HA1L,IVSM12040HA2Z,IVSM07060HA2Z,IV2Q12200T4Z,IV2Q06060L1,IV1D06010O2,IVCO1A02DWR,IV1Q12030BDG,IV1Q12080T4Z,IV1Q12750BD,IV2Q171R0T3,IVCC1102DR,IV1Q06060BDG,IV2Q12040K1Z,IV1D06020T2,IV3D12060U3,IV1Q12050T3,IV1D12020T2,IV1Q12080BD,IV1Q12050T4,IVST12050SA1L,IVCR2504DR,IV1Q12017BDG,IV1D06006BD,IV1D06004O2,IV1D12020T3,IV1Q06060D7G,IV2Q12160BD,IVCR2402DR,IV2Q12160D7Z,IV2Q06040BD,IV2Q12017BD,IV1D12040U3Z,IVCR1801ASR,IVCO1A02DWQR,IV2B12003HA2L,IV1D06020U3Z,IV1Q06040T4Z,IV2Q12017BA,IV3D12030U3,IV1Q06060T4ZG,IV2Q12013BD,IV2Q12013BA,IV1D12010O2,IVCC1102F4AR,IVCO1412DDWQR,IVST12040DA1L,IV1D06010T2,IVCR1401DR,IV1Q12080T3,IV1D12020BD,IV1D12040U3,IV1D06004P3,IV1Q12080T4,IV3D12015T2,IV2Q12080D7Z,IVCR2404MPQR,IV2Q06025BD,IVTM12080TA1Z,IV2Q06040L1,IV2Q17020T4Z,IV2Q20045BD,IV3B20023BA2,IV3D12030T2,IV2D12002BD,IVCO1A02DQR,IV1D12005BD,IVCC1104F4AR,IV2Q06025T4Z,IV2Q06040T4Z,IV2Q06060O3Z,IV1Q06060T4G,IV1D12040T2,IV2Q12100D7Z,IV2Q171R0D7Z,IV2Q06025L1,IVST12050MA1L,IVST12160DA1L,IVCR2403DR,IV1Q06040BD,IV1Q12160T3,IV1Q12160T4,IV1B12025HC1L,IV1Q12017BAG,IV2Q12200D7Z,IV2Q20045T4,IV2D12020T2,IV2Q12200BD,IV2Q06060T4Z,IV2Q12030T4Z,IV2Q12040D7Z,IV2D12020BD,IV1D12040BD,IV6212004HA2,IV1Q06060T3G,IVCR1407ASR,IV1Q12050BD,IV1Q12017T4G,IV1D12010T2,VSM12080HA2Z,IVCR1402DPQR,IV1D06004F5,IV2B12006HA1L,IVCO1411DDWQR,IV1Q06040T4,IV1Q06040T3,IV1D06010BD,IV1Q12160BD,IV1Q12750O3,IV1Q06040L1,IV1Q12160D7Z,IVCC1104DR,IV2Q12080BD,IV2Q175S0BD,IV2Q06025D7Z,IV6212004HB2,IVSM06025HA2Z,IVST12017SA1L,IV1D12030U3,IV1D20020T2,IV1D06004BD,IV1D06006O2,IV2D12020D2Z,IV2Q06040D7Z,IV2Q12017T4Z,IVCR2404DR,IV2Q06060D7Z,IVCO1A01DWR,IV1Q12030T4G,IV2Q17020BD,IV3D12020T2,IV1D12010BD,IV2D12002P2,IV2Q12030BD,IVST12120DA1L,IV2Q12080T4Z,IV1D06020U3,IVCO1A01DWQR,IV1D12030T2,IVHD122M1TA2Z,IVCO1A02DR,IV1D06006P3,IV1Q12050T4Z,IVCR2404MPR,IV1D12010P2Z,IV2Q12100T4Z,IVCR1401DPR,IV1Q06060L1G,IV2Q12080K1Z,IV1Q12080D7Z,IV2Q171S0BD,IV1D20020BD,IV1D12015T2,IV2D12002O2,IVSM12160HA2Z,IV1D12005O2,IV2Q171S0S1

选型指南 - 瞻芯电子 - March 2024 PDF 中文下载

昕感科技（NEXIC）是聚焦于第三代半导体碳化硅功率器件和模块设计、开发和制造的高科技企业，成立于2020年9月，注册资本4300余万元，总部位于北京，并分别在无锡、上海和深圳设有芯片器件生产线和研发中心。

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瑞之辰：光伏巨头入局碳化硅（SiC）促进产业整合

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【元件】展会直击 | 2.5nH超低电感，爱仕特全新LPD碳化硅模块惊艳亮相PCIM

2024年8月28日，亚洲电力电子行业盛典——PCIM Asia 2024在深圳国际会展中心如期召开，爱仕特在展会现场发布新一代超低电感LPD系列碳化硅功率模块。该模块采用创新封装和三相全桥设计，内置1200V碳化硅MOSFET和热敏电阻，杂散电感低至2.5nH，工作安全稳定。工作电源电压可达900V-1000V，工作频率可达30kHz，输出功率可达300kW。

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