方舟微DMZ1520E等高阈值耗尽型MOSFET具有较高的阈值电压,非常适合搭配LDO给MCU供电
一、常见的分立保护器件对比
二、传统TVS过压保护电路
图1:TVS用于防止过压保护的电路示意图
PTC搭配TVS构成的保护电路,可实现浪涌抑制保护,如图1所示。当TVS并联在负载两端进行过电压保护时,若过电压冲击导致电流急剧增加,超出电路元件的额定电流范围,此时PTC将起到过流保护的作用。PTC的迅速升温和高阻态限制了电流的通过,从而保护了电路中的其他元件免受过大电流的损害。该电路对PTC与TVS的匹配有一定要求:在TVS失效前,PTC就要触发并断开电路,否则过大的电流可能会先让TVS热烧毁,失去保护功能。
三、ARK(方舟微)高阈值耗尽型MOSFET系列产品的保护应用
传统的PTC搭配TVS构成的保护电路,可以完成一定的浪涌抑制保护,但对电流无法进行较为稳定的控制。而耗尽型MOSFET依靠其自身的“亚阈值特性”,在搭配适当的限流电阻的情况下,电路能够保持在一个相对稳定的电流水平(即恒流源),从而为负载提供所需的、受控的电流供应。ARK(方舟微)研发的高阈值耗尽型MOSFET具有较高的阈值电压,非常适合搭配LDO给MCU供电,目前常见的MCU的工作电压大多为2.7V~5.5V,可以使用高阈值耗尽型MOSFET搭配限流电阻构成恒流源给MCU供电。此外,在宽范围输入电压供电的应用中,可以使用高阈值耗尽型MOSFET搭配LDO给MCU提供精确的供电电压。同时,为进一步简化电路和节约成本,还可以仅仅使用DMZ1520E直接给MCU供电。
ARK(方舟微)高阈值耗尽型MOSFET系列产品的主要参数如下:
图2:TVS用于防止过压保护的电路示意图
如图2电路所示,当Vin增加时,流过电路的电流IDS增加,电阻R两端的电压升高,即耗尽型MOSFET源极-栅极电压升高,VGS增加会引起器件导电沟道变窄,电流增加减缓。最终电阻R两端的电压VGS数值上等于器件对应电流下的关断电压∣VGS(OFF)∣,此时IDS不再随输入电压Vin的增加而变化。因此电路可提供的恒定电流为I=VGS(OFF)/R,其中VGS(OFF)为耗尽型MOSFET在对应电流下的阈值电压。用户可根据MOSFET的VGS(OFF)参数来匹配相应阻值的电阻,以实现IC的恒流供电需求。
高阈值耗尽型MOSFET搭配LDO给负载供电的典型应用电路如下:
图3. 高阈值耗尽型MOSFET搭配LDO给MCU供电
如图3电路所示,LDO的输入、输出两端的电压差,数值上等于耗尽型MOSFET在对应电流下的阈值电压VGS(OFF),而上述耗尽型MOSFET的高阈值特性,可以保证LDO在低温或较大电流下工作时,其输入、输出两端压差大于LDO正常工作所需的最低压差,使LDO能够稳定的给MCU提供精确的供电电压。
图4. 高阈值耗尽型MOSFET直接给MCU供电
如图4电路所示,高阈值耗尽型MOSFET直接给负载IC供电。MCU的工作所需电流通常较小,且供电范围约2.7V~5.5V,在图2所示电路中,对应电流下耗尽型MSOEFT DMZ1520E的阈值电压VGS(OFF)(-3.5V~-5.5V),因此,使用DMZ1520E直接MCU供电,能够满足MCU在2.7V~5.5V区间的供电需求,允许的输入电压最大值高达150V。
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产品型号
|
品类
|
BVDSS (V)
|
RDSON(Ω) Typ.
|
ID (A)
|
VGS (V)
|
Package
|
DMZ1511NE
|
耗尽型MOSFET
|
150
|
10~25
|
0.1
|
-3.3~-1.5
|
SOT-23
|
选型表 - 方舟微 立即选型
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