方舟微耗尽型MOSFET在传感器芯片供电与保护方案中的应用
一、 耗尽型MOSFET在传感器芯片供电与保护方案的应用
图一. 智能变送器典型硬件结构框图
传统变送器仅提供标准的模拟4~20mA二线制信号传送,随着微电子技术发展,HART协议下出现了功能更强大的智能变送器,其用微处理芯片完成信号的处理,直接与计算机进行数字通信,并且同时保留4~20mA电流环信号。
智能变送器抗干扰能力强、 传输距离远、高精度、功能强大,是传感器领域的一次技术飞跃,正逐步替代传统变送器。
智能变送器中DAC模块(数模转换)尤为关键,DAC模块自身在恶劣环境下的供电、以及对浪涌、瞬态干扰的抑制,是整个传感器系统安全、稳定工作的关键保障。
AD5421是一款完整的环路供电型4~20mA数模转换器(DAC)。典型供电及保护电路方案如图2所示:
图二. AD5421的典型供电及保护方案
一般环路电源为24V,当24V环路电压直接输入时,极限情况下(电流为24mA时),AD5421的片上功耗就高达576mW(24V*24mA=576mW),功耗相对较高,因此ADI推荐使用外置耗尽型MOSFET进行供电。
将耗尽型MOSFET串联在AD5421与环路电源之间,可以使AD5421的REGIN(内部稳压器输入端口)电压稳定在12V,多余的电压降落在耗尽型MOSFET的漏-源两端,这样AD5421的最大片上功耗就只有288mW(12V*24mA=288mW ),有利于AD5421的长期稳定工作。
使用外置耗尽型MOSFET供电,可以让AD5421工作在更高电压的环路电压条件下。允许的最高环路电压由耗尽型MOSFET的击穿电压决定。
耗尽型MOSFTE还能够有效抑制电路浪涌和瞬态干扰,确保AD5421在恶劣环境下也能稳定的工作。保障传感器系统的稳定运行。
二、产品推荐
(100V)DMX1072/ DMS1072&(400V)DMX4022E/DMS4022E自身具有ESD防护设计,能有效避免ESD造成的损伤;DMX(S)42C10A&DMX(S)22C40A具有极低的漏电流,高温稳定性更高,非常适合于高温环境中的应用。
图三为具备HART功能的智能变送器电路示意图,1072&42C10、4022&22C40系列产品用于给AD5421的VCC供电,该系列产品支持高电压输入,具有极佳的抑制瞬态浪涌能力,可对复杂电磁环境中的传感器、变送器实现有效的过压过流保护。该系列产品的参数、品质完全达到国外同类产品水平,其性能已达到甚至超过常用的DN2530、DN2535、DN2540、DN3545、LND150等产品,可实现完美替代。
图三. AD5421的典型供电及保护
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产品型号
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品类
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ID (A)
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RDSON(Ω) Typ.
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Package
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VGS (V)
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BVDSS (V)
|
DMZ1511NE
|
耗尽型MOSFET
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0.1
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10~25
|
SOT-23
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-3.3~-1.5
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150
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选型表 - 方舟微 立即选型
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型号- AKP10M60R,DMD4523E,FTP0P1N15G,DMD12C60EA,AKZ35V15R,DMZ32C15EA,DMD02R50A,DMD8515E,DMZ11C60EA,DMX1072,DMZ61C60EA,AKM120N040T4A,DMX4022E,DMZ25R13EA,DMZ12C15A,DJDO1R120A,DMX25R10EA,DMS04R60A,DMZ25R10EA,DMX11C60EA,FTS10N15G,DMZ1511E,DMS6014E,DMS8550E,DMX5530E,FTZ30P35G,DMX42C10A,AKZ25V15R,DMB16C20A,FTS01N15G,FTF15C35G,AKZ16V15R,DMZ85200E,DMS42C10A,DMX22C40A,FTZ15N35G,DMS22C40A,FTE02P15G,DMZ1520E
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产品型号
|
品类
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阈值电压(V)
|
击穿电压(V)
|
导通电阻(Ohm)最大值
|
额定电流(A)
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导通电阻(Ohm)典型值
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备注
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封装形式
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FTX30P35G
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增强型MOSFET
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-1~-3
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-350
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30
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-0.2
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18
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P Channel MOS
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SOT-89
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现货市场
服务
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实验室地址: 西安 提交需求>
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最小起订量: 1 提交需求>
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