PCIM现场直击 | 会中亮点，前沿科技瑶芯邀您共鉴！
2024 PCIM Asia 深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会暨研讨会已于8月28日在深圳国际会展中心(宝安新馆)盛大开幕。PCIM Asia 作为一个涵盖组件、驱动控制、散热 管理及终端智能系统的全方位展示平台，向业界人士呈现一条完整的产业价值链。
作为国内领先的功率器件和数模混合信号链IC产品供应商，瑶芯携带最新新能源车、光储、充电桩及各类高效电源的功率器件解决方案隆重亮相本次展会，吸引了政产学研等各界人士的广泛关注。
展会期间，瑶芯市场VP朱魏清先生受邀在行家说三代半及PCIM专访。在多方专访中，朱魏清先生均详细介绍了瑶芯在功率器件领域的最新研发成果和市场应用方向，以及公司未来的战略。并表示，瑶芯将继续致力于功率器件的研发和创新，为市场提供更高效、更可靠的解决方案。
在8月28日上午，在氮化镓及碳化硅——宽禁带半导体器件论坛上，瑶芯市场VP朱魏清先生结合瑶芯在碳化硅功率器件方面的丰富经验和实践案例，带来《SiC新一代产品及其应用》的主题演讲，从高性能、高可靠性、成本优势、以及技术创新等方面深入分享瑶芯功率器件的技术突破。
在瑶芯的展台上，低压SGT MOS、高压SJ MOS、IGBT和SiC MOSFET系列等产品一应俱全，吸引了众多专业观众驻足观看。特别是最新一代系G3的车载SGT产品，相较于上一代系G2产品，在动态和静态能力上均有大幅提升，备受关注。
参展产品介绍
SiC MOSFET
1. 650V G4 45/60mΩ
瑶芯650V 45mΩ 和 60mΩ SiC MOSFET均具备超高的耐压能力，在高压环境中可以稳定可靠地运行。低导通电阻是它们的显著优势之一，大大降低了功率损耗，提高了能源转换效率。
广泛用于工业及电动汽车领域，降低冷却成本，延长设备使用寿命，提高生产效率。并且有助于减小充电器和驱动系统的体积和重量，提高车辆的续航里程。
2. 650V G5 25/45mΩ
瑶芯最新一代650V G5 分立式 SiC MOSFET，涵盖 25mΩ/45mΩ 等多款产品，无论是工业级还是车规级要求，都能完美满足。
其中最引人注目的是比导通电阻 RDS(on) × Active area (Ron,sp)得到了极大优化，相比上一代 650V G4，G5(Ron,sp) 降低了 38%！同时，对寄生电容 CGD 等参数的优化，使其在电源拓补电路中展现出超高效率。
3. 1200V G4.5
瑶芯已量产的 1200V G4.5 技术平台AK1CK2MXXXWAM系列SiC MOSFET拥有14 - 80mΩ多个规格，在 Ron 与动态性能、开关损耗上均实现了相当大的提升。
无论是在电动汽车领域，还是其他新能源应用中，AKS 1200V G4.5 技术平台都展现出了强大的竞争力。为用户带来了更高效、更可靠的使用体验。
4. 1200V G5
瑶芯1200V G5 AK2CK2MXXXWAMH系列SiC MOSFET，采用更为先进的工艺平台，在G4.5 的基础上再次迭代，Rsp 进一步优化，降低9%；大大降低导通损耗，让充电过程更节能高效。同时，其高转换效率确保了电能的充分利用，可节省大量时间和成本。
此外，低开关损耗的特性使得充电桩在工作时发热更少，稳定性更高，延长了充电桩的使用寿命。
5. 2300V G4
瑶芯2300V SiC MOSFET采用全新的TO-247Plus-4L封装，爬电距离满足2600V 电气应力，在高压应用中，能够显著提高系统的效率，减少能源的浪费，为节能减排事业贡献力量。并且拥有快速开关速度，有助于降低电磁干扰，提升系统的整体性能和可靠性。
在工业驱动领域，广泛应用于大型电机的驱动控制，降低设备运行成本，提高生产效率。
在新能源发电领域，特别是风力发电和太阳能发电系统，能够提升逆变器的转换效率，使电能更高效地并入电网，增加了可再生能源的输出。
在轨道交通中，用于列车的牵引系统，能够实现更高的功率密度和更小的体积，同时提高运行的可靠性和稳定性。
瑶芯基于超结（SJ）多层外延技术，推出全新G2.5平台SJ MOSFET，包含两大电压等级（600V&650V），相较于上一代，该系列不仅显著降低了比导通电阻（RDS(ON)*Area），还针对高频率高功率应用进行优化。其中采用TOLL封装的600V 35.5mΩ型号已实现量产，凭借其极低的导通损耗，优秀的开关性能以及抗干扰能力，在中高档开关电源（SMPS）例如服务器电源、通信电源等取得优异的表现。
1. AK1G4N009GAL
瑶芯SGT MOSFET AK1G4N009GAL可用于元器件一级的解决方案，该产品在传统MOSFET管基础上进行改良，更加适配服务器电源设计需求。导通电阻更小，开关损耗降低，电源转换效率得到大幅度提升。
瑶芯全新一代150V SGT MOSFET 产品AK1G15N072GAMF，品质因子(RDS(ON)*QG)相对于上一代产品优化了50%，显著改善了开关损耗和导通损耗，确保其在高频率高负载条件下提供卓越的性能表现。
3. AKG3N005GAL
瑶芯30V SGT MOSFET 新产品AKG3N005GAL及AKG3N007GAL来自瑶芯微最新的30V SGT MOSFET平台，采用先进的PDFN5x6封装，拥有极低的导通电阻RDS(ON)，能够显著降低导通损耗，适用于紧凑设计和高密度的应用场景。
IGBT
1. 1200V/140A
瑶芯推出全新G3平台H系列高速IGBT单管，包含两大电压等级（650V&1200V），该系列单管针对光储、UPS、EV charger、焊机等应用进行了专门的优化，并配备了全电流快恢复二极管。凭借极低的开关损耗和导通损耗，H系列单管将成为光伏和储能应用的新星。其中，1200V H系列电流规格覆盖40A-140A，采用TO-247PLUS-4L封装的140A型号已实现规模化量产。相较于瑶芯微上一代1200V G2平台单管，G3平台H系列高速IGBT单管具有更好的表现，多颗大电流单管并联可以轻松实现100kW及以上逆变器。
2. 650V/150A
650V H系列同样补全了大电流版图，100A至150A的强劲规格，搭配多样化的封装选择，从40A至150A全规格覆盖，满足不同场景下的精细需求。采用TO-247PLUS-4L封装的150A型号，凭借其卓越的电压抑制能力、极低的导通损耗及反向恢复损耗，为设计工程师提供了简化设计、减少器件并联的绝佳解决方案，让系统构建更加高效、灵活。
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