阿基米德半导体携光储及车用IGBT模块亮相深圳国际电子展，共襄科技盛宴！

时间： 2024-09-04 来源：阿基米德半导体公众号

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2024年8月27至29日，阿基米德半导体参加了在深圳会展中心（福田）举办的elexcon2024深圳国家电子展。此次展会汇聚了超过400家优质展商，集中展示了嵌入式AI、存储技术、汽车芯片元件、智能传感器、RISC-V/Chiplet/SiC/GaN、TGV玻璃基板等一系列热门技术与生态。阿基米德半导体作为参展商之一，与其他400多家全球供应商厂商共同推动电子产业复苏。迎接AI时代的到来。展会期间还举办了20多场专业论坛会议，探讨了电子产业的发展趋势和挑战，分享了最新的技术成果和应用经验。

阿基米德半导体副总经理/CTO周洋博士在《第二届化合物半导体与应用论坛》中进行了演讲，主题为《功率模块封装技术发展现状及趋势》，为大家展示了阿基米德半导体高可靠性模块封装技术。

在本次大会上，阿基米德半导体展示了SiC MOSFET/IGBT单管，半桥IGBT模块，三电平IGBT模块, SiC模块等众多产品。这些产品广泛应用于直流快充/超充，工业电源，感应加热，光伏逆变器，储能PCS，新能源汽车等领域，为行业实现了更高的可靠性和能源转化效率。

01、1200V/1.8mΩ SiC单面塑封水冷模块

随着新能源汽车的发展，800V高压系统目前已经成为主流，对此功率器件的要求就越来越高，阿基米德半导体推出的单面塑封水冷模块采用国际大厂晶圆，整体损耗比行业降低20%左右，同时工厂全自动化的生产线，通过车规认证，保证了产品的稳定可靠。

Ø 采用第三代半导体材料-碳化硅晶圆
Ø 阻断电压1200V低内阻、低开关损耗
Ø 低电感设计，最大工作结温175℃
Ø 高性能氮化硅陶瓷，铜直接冷却底板
Ø 集成NTC
Ø Cu Clip互联方案，Cu Pinfin冷却底板

02、1200V 40mΩ/70mΩ顶部散热 SiC MOSFET

为了适应空调压缩机，工业电源等一些市场需求，阿基米德联合客户一起研发出顶部散热的内绝缘SiC MOSFET产品，该产品采用263-7的封装，适配客户对高效，小体积的一些需求。

Ø 具有低电容的高速开关
Ø 高阻断电压和低 RDS（on）
Ø 易于并联，易于驱动
Ø 符合ROHS标准，无卤素
Ø 陶瓷DBC，内绝缘

03、1200V/500A NPC2 IGBT模块

为满足150kW光伏逆变器及光储一体机，大功率超充的应用需求，阿基米德半导体推出基于1200V H7 IGBT技术的500A NPC2三电平功率模块。具有更低的杂散电感更低的损耗，更高的效率。

Ø 1200V H7 IGBT技术

Ø 光伏，储能两个配置产品可选

Ø 可选内置直流电容

Ø 低VCEsat 低开关损耗，VCEsat正温度系数

Ø 低热阻三氧化二铝（AL2O3）衬底，采用DBC+铜基板技术

Ø HV-H3TRB，UL

04、650V 375/450A NPC1 IGBT模块

随着314Ah电芯的推出，储能PCS产品的功率也随之增大，阿基米德半导体650V 375A/450A的产品可适用125kW-135kW功率段。采用650V HS IGBT+ Ultrafast FRD，低损耗，低杂感，模块满载效率高达98.5%。

Ø 650V HS IGBT技术

Ø 可选内置直流电容

Ø 低VCEsat 低开关损耗，VCEsat正温度系数

Ø 低热阻三氧化二铝（AL2O3）衬底，采用DBC+铜基板技术

Ø HV-H3TRB，UL

05、1200V/400A IGBT 混合SiC模块

对于215kW储能，现有产品体积大，效率低，阿基米德推出的1200V 400A混合SiC单模块解决方案，助力客户实现215kW，大大缩小产品体积，提升功率密度，同时集成SiC器件，大幅度降低了功率损耗，提升了充放电效率，模块满载效率高达99%，为客户带来更高的经济效益。

Ø 1200V H7 IGBT技术

Ø 集成SiC二极管

Ø 可选内置直流电容

Ø 低VCEsat低开关损耗，VCEsat正温度系数

Ø 低热阻三氧化二铝（AL2O3）衬底，采用DBC+铜基板技术

Ø HV-H3TRB，UL

06、650V 150/300A NPC1 IGBT模块

现有1000V储能系统，主要出货装机产品大多还是采用105KW的PCS，阿基米德IGBT模块在此功率段大批量应用，产品封装兼容所有行业通用封装，已经成为多家头部PCS企业首选或唯一供应商。

Ø 650V HS IGBT技术

Ø 可选内置直流电容

Ø 低VCEsat低开关损耗，VCEsat正温度系数

Ø 低热阻三氧化二铝（AL2O3）衬底，采用DBC+铜基板技术

Ø HV-H3TRB，UL

07、1200V 600A/900A IGBT半桥模块

对于MW级储能产品，随着产品的竞争，可靠性的验证及服务能力的提高，目前国产替代也在越来越多，阿基米德半导体该产品采用成熟晶圆，同时产品通过车规可靠性验证，已经在多家厂商考核验证中。

Ø 1200V IGBT4技术

Ø 饱和压降低，为正温度系数

Ø 短路承受时间10µs ，内置快恢复二极管

Ø 高可靠性及热稳定性，低杂感

Ø 低VCEsat 低开关损耗，VCEsat正温度系数

Ø 低热阻三氧化二铝（AL2O3）衬底，采用DBC+铜基板技术

Ø HV-H3TRB，UL

08、1200V 75/100A H7 IGBT单管

在日趋激烈的竞争中，对于成本，技术路线的方向上，各家企业也有不同的考量，单管方案在市场也受到部分厂商的喜爱，为此阿基米德半导体推出了第七代 H7技术的IGBT单管，该产品整体性能媲美国际大厂，同时采用略大的晶圆面积，保证了产品的耐冲击性能，也让产品更加稳定可靠。

Ø 1200V H7 IGBT技术

Ø 3pin，4pin产品可选

Ø 正温度系统

Ø 低开关损耗，低电磁干扰

Ø 软恢复反并联二极管

Ø 最高结温175℃

展会现场，阿基米德产品受到众多客户的关注:

随着elexcon2024深圳国际电子展的圆满落幕，阿基米德半导体也在此次盛会上受到了全球的行业专家和客户的高度关注，在AI和数字化的浪潮中，半导体技术将扮演更加关键的角色，阿基米德半导体会继续秉承创新驱动的发展理念，不断推动技术进步。让我们期待在下一次的行业盛会中再次相聚，共创辉煌！

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全部评论（1）

猛猛哥 Lv7. 资深专家 2024-09-10

学习

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型号- MKS4J022202D00MSSD,10-FZ12NMA080NS03-M260F,0505025.MX52LEP,TFLEX HD300,BGM111,C2M1000170D,EFR32MG13P732F512GM48-C,RBN75H125S1GP4-A0,10-FY12NMA160SH01-M820F18,KT05,PS9402,SGM6022,MLX91208,28R1101-000,28R0610-000,30-FT12NMA160SH-M669F28,PS9031,LSIC2SD120E30CC,30-FT12NMA200SH-M660F08,LXXXX 15.00/05/90 4.5SN GR,28R1476-100,92ML,LX 15.00/05/90 4.5SN GR BX,MKS4J033305D00KSSD,TPCM780,RC12-6-01LS,SMBJ18CA,28R1953-000,PS9531L3,SI86XX,28B0141-000,WDU50N,SGM6032,WGM110,R5F56514FDLJ,C4D30120D,WDU70N,RBN40H125S1GPQ-A0,C2M0080120D,V23990-P629-L43,SGM2019,LSIC1MO120E0080,SID11X2K,SI8261BCD-C-IS

WEIDMUELLER,LITTELFUSE,LAIRD,SILICON LABS,WIMA,RENESAS,VINCOTECH,STANDEX-MEDER,II-VI MARLOW,WOLFSPEED,PI,ROGERS,MELEXIS,SGMICRO - 优选器件方案 - V2.1

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