MOSFET雪崩特性参数解析
EAS单脉冲雪崩击穿能量,EAS标定了器件可以安全吸收反向雪崩击穿能量的高低。以低于Tj(max)为极限。
一、EAS与EAR的定义
EAS单脉冲雪崩击穿能量,EAS标定了器件可以安全吸收反向雪崩击穿能量的高低。以低于Tj(max)为极限。
如果电压过冲值（通常由于漏电流和杂散电感造成）未超过击穿电压，则器件不会发生雪崩击穿，因此也就不需要消散雪崩击穿的能力。雪崩击穿能量标定了器件可以容忍的瞬时过冲电压的安全值，其依赖于雪崩击穿需要消散的能量。
EAR重复雪崩能量，标定了器件所能承受的反复雪崩击穿能量。以低于Tj(max)为极限。
二、雪崩能量、温升、雪崩时间以及计算
三、在什么的应用条件下要考虑雪崩能量
对于那些在MOSFET的D和S极立生较大电压的尖峰应用，就要考虑器件的雪崩能量。电压的尖峰所集中的能量主要由电感和电流所决定，因此对于反激的应用，MOSFET关断时会产生较大的电压尖峰。通常的情况下，功率器件都会降额，从而留有足够的电压余量。但是，一些电源在输出短路时，初级中会产生较大的电流，加上初级电感，器件就会有雪崩损坏的可能，因此在这样的应用条件下，就要考虑器件的雪崩能量。另外，由于一些电机的负载是感性负载，而启动和堵转过程中会立生极大的冲击申流，因此也要考虑器件的雪崩能量。
四、雪崩击穿(EAS/EAR)的保护
如上图所示，可在变压器（感性负载）两端并接RCD吸收回路，以降低反向尖峰电压避免出现雪崩击穿现象：串联栅极电阻，并设置为合适值，以抑制dv/dt，增加关断时间.从而抑制反向尖峰电压，但是这又会增加关断损耗，所以栅极电阻要设置在一个合适值：也可在MOSFET的DS间并接RC吸收回路以吸收反向尖峰电压：大电流电路布线加粗、缩短距离，降低寄生电感。
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