半桥电路设计与周边元件选型指南及典型应用案例
一、引言
该应用手册的目的是，指导如何在电机应用中正确地设计半桥电路，并围绕NCE8295AK的周边电路选型进行分析，最后提出一款典型应用以供参考。
在后文中，将会依次讨论以下内容：
1. 自举电路设计；
2. 栅极电阻的选择；
3. 电路上寄生参数的影响和解决方案；
4. PCB设计指导；
所有讨论内容会以新洁能产品为例，除非另做特殊说明。
二、自举电路设计
一般半桥电路中的结构如图1所示，包含有自举电阻，自举二极管和自举电容这三部分。这种方案是当前电机驱动中最常用的且成本最低廉的方案。
图1 自举电路基本结构
1. 自举电路电容选择
为了确定自举电容的大小，我们首先需要评估以下几点：
-MOSFET开启所需要的栅极电荷Qg;
-MOSFET的GS漏电ILK_GS;
-驱动的静态工作电流IQBS;
-自举二极管的漏电ILK_DIODE;
-自举电容漏电ILK_CAP;
-上桥置高时间THON.
当自举电容使用电解电容时ILK_CAP才会纳入计算值，其他类型的电容均不需要考虑。这里推荐至少使用一颗低ESR的陶瓷电容，并联电解电容和低ESR陶瓷电容可以实现更好的电路工作特性。
通过计算，我们能得出一次开启所需损耗的电容值：
在自举过程中，VBS可以下降的范围△VBS：
在此过程中，需要保证：
VF MOSFET的反向二极管压降
VGEmin 保持MOSFET管导通的最小栅极电压
VDSon 下桥MOSFET的导通压降
用以上结果，可以计算得出：
以NCE8295AK作MOSFET，NSG2020作驱动芯片为例：
Qg=109.3nC;
ILK_GS=100nA;
IQBS=40uA;
ILK_DIODE=100uA
（反向恢复时间＜100nS）;
ILK_CAP=0;
THON=100uS;
Vcc=12V;
Vf=1.2V;
Vdson=0.1V;
Vgsmin=10V。
按照留有10%以上的余量规则，建议电容值为220nf左右。
注意：此处计算自举电容的过程中，仅仅计算了一次脉冲过程所需的电荷量，没有考虑PWM的占空比与频率等问题。如果是使用PWM波控制的信号，请以上述计算方式为基础，经过一定的等效换算得到其实际所需要的自举电容大小。
2. 自举电路的注意事项
A. 自举电阻
自举电阻会在部分自举电路中使用，并不是必须元器件。在启动时HO与LO可能会发生异常跳变，此时增加自举电阻，自举电阻会在自举电路启动时，会限制从自举二极管经过的电流，能够非常有效地抑制这些不良信号，起到保护电路的功能。
B. 自举电容
在上桥臂长时间开启的电路设计中，使用电解电容作为自举电容的设计必须考虑ESR。上桥臂长时间开启需要一个容值较大的自举电容，一般选用电解电容较多。但是电解电容有一定的内阻，会使自举电阻分压降低，无法实现其功能。此时并联一个低ESR的陶瓷电容，能够有效避免这种情况发生。
C. 自举二极管
自举二极管用于维持自举电路的电压稳定，需要保证二极管的反向耐压能力大于驱动电源电压，并在此基础上尽可能地选择快恢复二极管，如肖特基二极管等。
三、 选择栅极电阻
栅极电阻用于控制所驱动MOS的开关速度快慢和上升下降沿的斜率，这可能会影响到应用上的多项性能，如损耗，可靠性等。该段落会叙述如何选择驱动电阻，并对驱动电阻带来的影响进行讨论。栅极电阻的选择与所使用的驱动芯片，MOSFET甚至电路设计息息相关，不同环境中均需要根据实际情况重新选择。
常用的 MOSFET 驱动电路如下图所示：
其中，Rg 为驱动电阻；LK 是驱动回路的感抗，一般在几十 nH；Rpd 的作用是给MOSFET栅极积累的电荷提供泄放贿赂，一般取值在10K~几十K；Cgd、Cgs、Cds 是 MOSFET 的三个寄生电容。
驱动电阻下限值的计算原则为：驱动电阻必须在驱动回路中提供足够的阻尼，来阻尼MOSFET开通瞬间驱动电流的震荡。
实际设计时，一般先计算出Rg下限值的大致范围，然后再通过实验，以驱动电流不发生震荡作为临界条件，得出Rg的下限值。
MOSFET电阻驱动电阻上限值的设计原则为：防止MOSFET关断时产生很大的dV/dt，使MOSFET管再次误开通。
Vth 为MOSFET门槛电压，Cgd和 dV/dt 在手册中可查。
通常MOSFET 电阻驱动的取值范围在5~100欧姆之间，在这个范围内如何进一步优化阻值的选取，这是由以下两点所决定的：
（1）MOSFET的开关损耗。MOSFET的损耗一部分为开关损耗，另一部分为导通损耗，栅极电阻则主要影响了开关过程的损耗，阻值越大，开关过程越慢，电压电流的交叠区域越大，损耗也就越大。损耗过大最直接的影响就是会使芯片温度迅速上升，在高于150℃的条件下则会使器件面临失效的风险。
图2 阻性负载条件下的MOS开关损耗
（2）可靠性。与损耗相反，栅极电阻的阻值越小，MOSFET的开关速度就会越快。在实际应用中，功率端电流较大，对寄生参数较为敏感，过高的开关速度会增加信号的不稳定性，轻则使电机的EMI过大，重则使电路发生损坏。其中最常见的有：
1）栅极信号振铃，导致MOS损坏（如图3所示）；
2）dv/dt过快，VS端口承受过高或者过低的电压信号，导致驱动损坏（在第四小节会详细叙述）。
图3 栅极振铃现象
四、寄生参数的影响
前文讲解了如何选择电机驱动的周边电路参数，这一章则会讲述如何合理地设计PCB，使最终得到的PCB工作在一个较为理想的环境中。
1. 旁路电容
无刷电机常见于24-60V的应用环境中，所以驱动电源往往是通过BUCK电路降压得到的10-15V，并不能设计在驱动电路周边附近，设置旁路电容除了起到滤波作用外，也有供电作用。因此，旁路电容一般需要自举电容的10倍容值以上才能够保持VCC电压不发生突变。
除此之外在PCB设计上，则建议旁路电容要紧邻VCC与COM端，可用贴片电容与电解电容并联达到最小的ESR值，并且在BUCK电路的输出端需要另外设置电容，这样才能保证电源供电处于最稳定的状态。
图4 旁路电容选择
2. VS与COM的周边寄生
与逻辑功能块不同，功率MOSFET部分的电路总是伴随着高额的电流，在这种条件下，线路上的寄生电感就会表现出其干扰特性，使波形发生不良震荡（如图5所示）。此时，VS和COM端口的信号就会受到干扰，对驱动芯片的工作状态造成严重影响。尤其对于承受高压的VS端口，可能会出现正反两相的尖峰，这种尖峰一旦超过了一定的峰值，均可能会损坏驱动芯片。
图5 寄生参数等效电路
图6 VS端口的极端情况
抑制这种现象对电路的干扰，主要有以下两种方式：(1) 寄生电感导致震荡主要由过高的DI/DT引起，因此降低开关速度就是最直接的方法，增加栅极驱动电阻就能够有效降低寄生参数导致的震荡。(2) 这种震荡现象持续时间较短，并且返回电流并不大，因此可以通过增加电阻的方式抑制。在VS端口可以设置一颗1-20Ω的电阻，在COM端口则建议使用铜线单点对地再连接功率地。
图7 VS与COM震荡抑制电阻
五、典型方案与PCB制作
此处例举了一例半桥电路使用的案例，针对不同的芯片选择与不同的方案设计，具体参数要请读者自行调节。
以驱动MOSFET NCE8295AK为例，系统为48V无刷三相电机，所选用的栅极开启电阻为56Ω，关断电阻为10Ω。
图8 G2020典型应用方案
以图8应用方案为例，并通过紧密排布减小寄生参数对应用的影响。
图9 顶层
图10 底层
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HI-SEMICON（深鸿盛）MOSFET/SiC肖特基二极管/SiC MOSFET选型指南
目录- 公司简介 MOSFET Product Introduction VDMOS 超结MOSFET 中低压MOSFET 碳化硅肖特基二极管 碳化硅MOS MOSFET/SiC肖特基二极管封装
型号- SCF60R190C,SFD3006T,SFD6003T,SGP104R5T,SFS0406T4,SFM6005DT,SFD7N70,SFW90N25,SFQ0320T4,SFD18N20,SFM4009T,SFE6001T2,SFM6004T5,SFK2N50,SFF60N06,SFN4006T5,SFM0420T4,SFP10003PT,SFF18N20,SCF65R190TF,SFD2N50,SFM4004PT,SFS6003PT,SFP33N10,SFS4010T,SGS6001T4,SGP6008T,SFS3401,SFQ0318T4,SC3D40120D,SFS3400,SFK1N65,SCD65R960C,SFS4010T2,SFF5N80,SFS0407T4,SFS3407,SFD6005T,SFD10003PT,SFD7N50,SFM6005ST,SFF18N50,SFP40P10,SGS15HR430T,SFA10015T,SFP50N06,SCF65R640C,SFD3003T,SFQ0322T4,SFF12N65,SFD6006T,SGD105R5T,SFP11P20,SFD6N70,SFS6007T,SGM10HR14T,SCF65R380C6,SFS3400.A,SFS3001T2,SCD70R600C,SFQ0420T4,SCF60R580C,SGXXXXXPT,SGM062R3T,SFS4525T,SFD3004T5,SFS3401A,SGM066R5T,SFN3009T,SGM031R7T,SFB11N90,SCD70R900C,SFU3006T,SFP9N20,SFA110P06,SFR0305T2,SFF50N06,SFD6007T,SCD80R500S,SC3D08065G,SCF65R380C,SFD4006T,SC3D08065I,SFN0315T4,SFN3003PT,SFA6005T,SFS4008T2,SFS2300,SGP157R5T,SFS2301,SFM10015T,SFH8402DW,SC3D04065E,SCU70R900C,SCF60R280C,SFS2304,SFS2303,SFF13N50,SFS2305,SC3D04065I,SFF7N50,SCF65R540T,SFD50N06,SFP20007,SFU18N20,SGP104R0T,SCD65R1K2C,SFN0330T2,SFD6008T,SGM107R7T,SC3D04065A,SFM4010T,SFF20N50,SC3D20065D,SFP40N20,SFS0307T4,SFD3012T,SFF7N65,SCD60R580C,SFU5N20,SC3D10065A,SGM105R0T,SCF65R310C,SCF60R360C6,SFS0405T4,SC3D10065G,SC3D10065I,SFP6P10,SFM4005DT,SC3K080120,SCK65R1K15C,SFW50N25,SFU4N65,SFN0413T4,SFD5N65,SFP30P10,SFM10003PT,SC3D08065A,SFP18P10,SFD4N90,SFF7N70,SCF60R125C,SFXXXXXPTX,SFD4006PT,SFD4003T,SCF70R600C,SFF6005T,SFS0306T4,SCF80R950C,SGA104R0T,SFD3010T,SFE3007T,SFD5N50,SFP3006T,SFP3018T,SFP18N20,SGP103R0T,SCW65R075CF,SCF65R170C,SFS6012T2,SGD6008T,SGM041R8T,SFD4001PT4,SFD4001PT5,SFF8N65,SFN3006PT,SC3K040120,SGM6008T,SFD4N70,SCW60R030CF,SFB50N25,SCW65R041CF,SFP6005T,SFS2013PT,SCF70R420C,SCW65R090C,SGM031R1T,SCD70R420C,SC3K075120,SFD33N10,SCW65R099TF,SFP5P03,SCF60R160C,SFR0206T2,SFD4N65,SC3D15120H,SFS2N7002,SFF33N10,SCF70R360C6,SFD2008T,SFN3003T,SFS2302B,SGM109R5T,SFM6008T,SFD3006PT,SFD6003PT,SGA104R5T,SFF20N65,SFK4N65,SFB90N25,SFD5N20,SFR0205PT2,SGM030R7T,SFF8N80,SC3D30065D,SFN3002T,SFU9N20,SFD7N65E,SFD9N65,SFD4004PT,SFF20N70,SGM042R4T,SFP6007T,SFS3401B,SFS4435,SFU6003T,SGU6008T,SFM0430T2,SFF10N70,SCF60R360C,SFD2006T,SC3D06065E,SC3D06065G,SFP75P55,SC3D10120H,SFF3N80,SC3D06065A,SCD70R600C6,SCD65R380C,SFD14N25,SC3K015120,SFSAP4580,SFS6010T2,SCD65R540T,SGP105R5T,SFF4N65,SFF10N65,SC3D30120H,SFM0320T4,SC3D30120D,SC3D16065A,SC3D16065D,SC3D16065G,SFP27P20,SC3K050120,SFU6005T,SFW10P04,SFD3N50,SFF4N70,SFM10008T,SFF9N90,SCXXXXXXXXFX,SFD2003T,SFN0318T2,SFD3009T,SFM3011T,SFD6005PT,SC3K032120,SFP110N55,SFF16N65,SC3D12065A,SFF10N80,SFF5N50,SC3D12065G,SGD10HR20T,SC3D12065I,SC3D20120H,SFP59N10,SFN6004T5,SXXXXXXX,SFD9N20,SCF65R240C,SC3D06065I,SCD65R640C,SFS2012PT,SGA105R5T,SFN0250T2,SFM3012T,SC3D20120D,SGM041R3T
SiC MOSFETs在电动工具中的应用概述及典型拓扑
随着SiC MOSFET宽禁带半导体的出现，其优越的开关性能迅速引起电机驱动界的高度关注。SiC MOSFETs能够将开关损耗降低70%左右，或者在接近3倍的开关频率下达到同样的效率。随着更高的电机驱动频率的实现，电机可以设计成更多的极数，以减少电机的尺寸。这些现象都显示了SiC MOSFETs在高速、高效、高密度电机驱动方面的巨大潜力。
应用方案 发布时间 : 2024-11-18
ROHM（罗姆）电机驱动器选型指南（中文）
目录- 电机驱动器介绍 电机驱动器选型图 DC有刷电机驱动器/步进电机驱动器 无刷电机驱动器 IPM 栅极驱动器/功率元器件 分流电阻器 车载用电机驱动器/低电压驱动DC电机驱动器 电机驱动器应用选型 电机驱动器封装 电机驱动器型号索引
型号- RQ3L090GN,BD63130AFM,SH8MA2,BD16938AEFV-C,BU6821G,BD64350MUV,BD6981FVM,BD6231HFP,R6009JND3,R6020JNJ,SH8MA4,SH8MA3,BM63574S-VA,BD63282EFV,BM63574S-VC,BD68620EFV,R6025JNZ,R6025JNX,R60XXJNJ,BD6212FP,BD6231F,BD61243FV,BM6243FS,RGS30TSX2D,RGTXTM65D,BD63242EFV,BD16912EFV-C,BD69060GFT,HP8M51,RGS50NL65D,GMR,RQ7L055BG,BD6758KN,QH8MA2,QH8MA4,QH8MA3,BD63725BEFV,RJ1G12BGN,RGTXXTS65D,RGT40TS65D,BD6230F,BD6961F,BD65492MUV,RGTXXBM65D,BM62351MUV,BM62380MUV,BD62130AEFJ,BU24038GW,RGT50TM65D,BD62220AEFV,BD6968FVM,RD3P200SN,RS1G180GN,BD16852EFV-C,R6007JNJ,RJ1P12BBD,AG087DGD3,RGT50NS65D,SH8MC5,RGS60TS65D,RGS00TS65D,RGS00TS65E,BD63576NUX,BM6244FS,R6042JNZ4,RSJ301N10,RGT40TM65D,HP8M31,RMS338NA-005,R6018JNX,BD6995FV,BD63511EFV,SH8MB5,R6030JNZ,RF4L070BG,R6030JNX,R6070JNZ4,BD63007MUV,BM63577S-VA,RGT20NL65D,R6007JNX,RQ3G100GN,BD67891MUV,BM64378S-VA,BD63800MUF-C,BM63577S-VC,BD63720AEFV,RGS60NL65D,BD6380EFV,R6009JNX,R6020JNZ4,R6009JNJ,BD6422EFV,BM6249FS,RGS30NL65D,RQ3G150GN,BM63575S-VC,BD6211F,BM6241FS,RGT30TM65D,BM63575S-VA,BD68710EFV,R6004JNJ,BD63521EFV,BD63030EKV-C,BD63035EFV-M,BD6385EFV,R6030JNZ4,RX3G18BBG,BD6232HFP,BD6982FVM,RS1P600BE,RMS335ND-007,BM65364S-VA,BD16939AEFV-C,BM65364S-VC,RS1L180GN,BD63710AEFV,RX3G07BBG,QH8KA2,QH8KA1,BD16950EFV-C,RMS338ND-003,QH8KA3,BD6965NUX,BD69830FV,BD63001AMUV,BD6222FP,BD6210F,RF4G100BG,RGT,RGS,BD6964FVM,BD6389FM,BD63005AMUV,UT6KC5,RSJ650N10,BD63003MUV,BD63520AEFV,BU6823G,RGSXXNL65D,BM63375S-VA,BD63940EFV,BD61248NUX,BM64377S-VA,BM63375S-VC,BD6232FP,QH8MB5,RQ7G080BG,RGT00TS65D,BD6964F,BD65499MUV,RGS80TSX2D,BD6221F,BM6242FS,R6006JND3,BD63620AEFV,BD63150AFM,RS1L120GN,BD16805FV-M,R60XXJNX,R60XXJNZ,BD6376GUL,BD6423EFV,AG073DGS4,BD62110AEFJ,BU24020GU,RGS40NL65D,RGTXNL65D,RGSXXTS65D,RGSXXTS65E,RD3XXXXBG,BD6210HFP,RD3P08BBD,RGT16BM65D,RGT16TM65D,BD63524AEFV,QH8MC5,BD63730EFV,R6020JNX,R6020JNZ,BD65494MUV,BD63801EFV,BD62017AFS,BD6220F,BD63525AEFV,BD67173NUX,BD6736FV,RX3L18BBG,BD63251MUV,BU24033GW,BD63572MUV,BD6211HFP,BD63002AMUV,SH8K41,BD2310G,BM6247FS,BD63565EFV,RF4XXXXBG,UT6KB5,BD6381EFV,BD63731EFV,R60XXJND3,LTR18,RQ7XXXXBG,RGT20TM65D,RGT8NS65D,BU69090NUX,BD68720EFV,RGT40NL65D,BD63573NUV,BD61251FV,AG070DGS4,BD6222HFP,BD62210AEFV,SH8K39,R6004JND3,LTR10,RGT30NS65D,BM64070MUV,BD65496MUV,BD68715EFV,BD6382EFV,RD3G07BBG,RQ3XXGN,BU6909AGFT,BD16860AEKV-C,RGT16NL65D,BD63960EFV,RGS50TSX2D,RJ1G08CGN,BD62120AEFJ,BD65491FW,BD63715AEFV,BD63910MUV,R6004JNX,RD3L07BBG,QH8KB5,BM6248FS,BD65491FV,BD69730FV,QH8KB6,R6025JNZ4,BD62018AFS,BD63610AEFV,RX3L07BBG,RS1XXXXGN,AG004DGD3,BD63510AEFV,RGT40NS65D,RGTXXNS65D,BM64300MUV-EVK-001,BD62321HFP,BD6387EFV,RMS118NA-009,BD63015EFV,BM64300MUV,R6007JND3,RMS332ND-010,QH8KC6,QH8KC5,SH8K52,QS8M51,BM63374S-VA,BM63374S-VC,RGT80TS65D,UT6MA2,BD6962FVM,SH8KA4,BD6373GW,BD61245EFV,SH8KA2,SH8KA1,BD68610EFV,SH8KA7,GMR320,RGT50TS65D,LTR100,RGSX5TS65E,RGT30NL65D,RJ1L06CGN,SH8M41,R6050JNZ,BU24035GW,R6006JNX,R6018JNJ,RGSX5TS65D,BM6245FS,BD6237FM,RMS308NA-008,RGS80TS65D,QSBM51,BM63573S-VC,R6012JNX,BD62221MUV,BD6425EFV,RGT8TM65D,HP8MA2,BD62105AFVM,QS8M31,BD6212HFP,LTR50,RGSXXTSX2D,BD6971FV,BM64350MUV,BM64374S-VA,BU24036MWV,SH8M31,RMS318ND-002,BM63573S-VA,RGT8BM65D,BD6226FP,BD63920MUV,RD3G03BBG,BD60223FP,RMS332SD-012,BD63241FV,RMS332SD-011,RGT8NL65D,SH8KC6,RS1G300GN,RS1G120MN,GMR50,R6050JNZ4,LTR,BM63377S-VC,RSJXXXN10,BM64375S-VA,BM63377S-VA,GMR100,RGT60TS65D,BD6735FV,QH8K51,SH8KC7,RGT16NS65D,RGT20NS65D,BD63006MUV,BD6236FP,BM6246FS,R6012JNJ,BD6236FM,RJ1L12BGN,BM62300MUV,AG086DGD3,BD2320EFJ-LA,RJ1XXXXGN,SH8K26,RD3L03BBG,BH6766FVM,BD6383EFV,QSBM31,BM62350MUV,R6006JNJ,R60XXJNＸ,RGT50NL65D,BM63373S-VA,BD6967FVM,BM63373S-VC,BD64220EFV,SH8KB7,SH8KB6,BD63740FM,BD6326ANUX,R60XXJNZ4,SH8M51,BD69740FV,BD6753KV,BD6225FP,SH8K12,BD63860EFV,SH8K11,RX3XXXXBG,BD61250MUV
瑶芯AK2G4N008GAM-A MOSFET：典型导通电阻仅0.64mΩ，高效FOM值，EPS电机驱动的理想选择
传统EPS系统在使用MOS桥驱动电路时面临诸多挑战，如依赖进口产品导致成本高昂和供应链不稳定，或使用传统MOSFET在高功率、高效率应用中无法提供足够的电压和电流安全边际等。瑶芯N-channel SGT MOSFET AK2G4N008GAM-A低阻值，高效FOM值，是更理想的选择。
应用方案 发布时间 : 2024-10-14
NCE（新洁能）MOSFET 选型表
NCE（新洁能）为电路设计师们提供全面的产品选择，击穿电压覆盖-200V至300V,以及100mA至400A的电流选择范围,低开关损耗的系列产品（产品名称后加标C）其有效降低了栅极电荷（Qg），尤其是栅极漏极间的电荷（Qgd），从而在快速开关过程中降低开关功率损耗。应对于半桥/全桥、AC/DC电源的同步整流以及其它需要反向续流的应用终端，新洁能的MOSFET着重优化了Body Diode，在提高和加快反向续流能力的同时，降低反向恢复过程中的峰值电流（Irm）和电压（Vrm）。推出的TO-220H封装外形（产品名称后加标H），有效地增加了用户在电路板装配MOSFET的工作效率，并大大降低成本，可广泛应用于直流-直流转换,次级侧同步整流器,电机控制等领域。
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产品型号
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品类
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封装/外壳/尺寸
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车规级/工业级
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Technology
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Polarity
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BVDSS(V)
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ID(A)
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VTH(V)
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RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)
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RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)
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RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ)
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RDS(ON)@2.5VMax(mΩ)
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VGS(th)(V)
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CISS(pF)
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QG(nC)
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PD(W)
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NCE12P09S
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P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
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SOP-8
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工业级
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Trench
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P
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-12
|
-9
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-0.7
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11.5
|
18
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14
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22
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±12
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2700
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35
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2.5
|
选型表 - NCE 立即选型
【应用】N和P沟道V互补MOSFET HM607K助力缩小H型电桥电机控制电路设计面积，具有超低漏源导通电阻
虹美功率拥有双芯合封的技术，使得一个HM607K芯片内同时包含P-MOS管和N-MOS管，H型电桥的上桥臂用P-MOS管，而下桥臂用N-MOS管，方便简化了控制电路的设计，同时使H型电桥控制电路的设计面积进一步缩小。
应用方案 发布时间 : 2023-05-08
瑶芯AK2G4N010TAM-A系列：超低1.05mΩ导通电阻SGT MOSFET，助力中大功率电机应用节能提效
用于电机控制系统的SGT MOSFET不仅要电气特性稳定，还要能够优化电池管理，延长电机使用寿命，同时也要具有节能、高效的特性。瑶芯AK2G4N010TAM-A系列既能满足功率控制的要求，同时提高系统整体性能和可靠性。
应用方案 发布时间 : 2024-10-14
技术分享 | 功率MOSFET雪崩特性
MOSFET的雪崩主要涉及在特定条件下（如高电压或大电流），其内部通过碰撞电离产生更多的电子-空穴对，导致电流急剧增加，对器件的性能造成影响。雪崩特性是MOSFET在设计和应用中需要考虑的重要参数，因为它直接关系到器件的安全运行和可靠性。本文中瑶芯微来为大家介绍功率MOSFET雪崩特性，希望对各位工程师朋友有所帮助。
技术探讨 发布时间 : 2024-09-04
MOSFET-零温度系数点ZTC（Zero Temperature Coefficient）
开关电源应用中，功率MOSFET工作于开关状态，在截止区和完全导通的饱和区之间高频切换，由于在切换过程中要经过线性区，因此产生开关损耗。本文着重介绍MOSFET开关在线性区的微观动态过程中，容易忽视的一个概念-零温度系数点ZTC，围绕ZTC展开的相关状态讨论。
技术探讨 发布时间 : 2024-10-12
【技术】解析耗尽型MOSFET的原理及应用
近年来，耗尽型MOSFET日益受到重视，广泛用于固态继电器、“常开”开关、恒流源、恒压源和开关电源等设备中。本文中方舟微将为大家解析耗尽型MOSFET的原理及应用。
技术探讨 发布时间 : 2022-04-27
【元件】罗姆新开发安装可靠性高的10种型号、3种封装的车载Nch MOSFET，适用于车门、座椅电机及LED前照灯
ROHM开发出具有低导通电阻优势的车载Nch MOSFET “RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和“RD3x0xxBKHRB”。新产品非常适用于汽车门锁和座椅调节装置等所用的各种电机以及LED前照灯等应用。目前，3种封装10种型号的新产品已经开始销售，未来会继续扩大产品阵容。
产品 发布时间 : 2024-08-07
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
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