芯达茂携IGBT、SiC等系列创新产品和技术解决方案亮相PCIM Asia 2024

时间： 2024-09-14 来源：XDM（芯达茂微电子公众号）

代理服务

技术支持

采购服务

IGBT,SiC MOSFET,超大单芯片低比导通电阻平面栅SiC MOSFET,超大电流单芯片沟槽栅场截止IGBT

PCIM Asia深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会暨研讨会是一场亚洲的电力电子国际盛会。PCIM Asia 作为一个涵盖组件、驱动控制、散热管理及终端智能系统的全方位展示平台，向业界人士呈现一条完整的产业价值链。来自各大高校企业的专家齐聚一堂，将带来电力电子技术的最新发展与前沿案例，引领行业创新发展。

芯达茂微电子在本次展会上，围绕新能源汽车、光伏逆变、移动储能UPS、工业电源、变频器等应用领域，展示了IGBT、SiC等系列创新产品和技术解决方案。吸引了众多行业知名企业客户莅临参观。

接下来我们来一起看看芯达茂产品的“奥秘”吧~

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由ll转载自XDM（芯达茂微电子公众号），原文标题为:「精彩回顾」PCIM Asia 2024上的芯达茂，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

全部评论（0）

暂无评论

阿基米德半导体携光储及车用IGBT模块实力亮相上海第十七届SNEC展会！

6月13至15日，阿基米德半导体在十七届全球SNEC展会璀璨亮相，阿基米德半导体展示了SiC MOSFET/IGBT单管，半桥IGBT模块，三电平IGBT模块, SiC模块等众多产品。这些产品广泛应用于直流快充/超充，工业电源，感应加热，光伏逆变器，储能PCS，新能源汽车等领域，为行业实现了更高的可靠性和能源转化效率。

2024-06-22 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

扬杰科技2024慕尼黑上海电子展回顾，展示新能源汽车、光伏逆变器、储能逆变器等多元领域的产品解决方案

2024年7月8-10日，为期三天的慕尼黑上海电子展圆满落幕，扬杰科技凭借卓越先进的展品、行业应用解决方案、独具一格的展台设计，现场销售人员、FAE、PM、行业经理等进行专业接待交流，吸引大量新老客户来现场进行互相交流探讨，展会现场人流如织，使得扬杰科技成为本次展会一大亮点。

2024-07-13 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

瞻芯电子累计交付SiC MOSFET产品1000万颗以上，产品的长期可靠性得到市场验证

近日，自2020年正式发布第一代碳化硅(SiC) MOSFET产品以来，瞻芯电子累计交付SiC MOSFET产品1000万颗以上，其中包含近400万颗车规级产品应用在新能源汽车市场，标志着产品的长期可靠性得到了市场验证。

2024-09-29 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

【元件】新洁能650V Gen.7 IGBT “V”系列产品，非常适合光伏逆变、储能、UPS等应用

NCE新洁能650V Gen.7系列IGBT产品，基于微沟槽场截止技术，可大幅提高器件的元胞结构密度。本文要介绍的“V”系列产品具有较大的饱和电流和良好的导通损耗/开关损耗折中特性，非常适合光伏逆变、储能、UPS等应用。

2024-06-26 - 产品代理服务技术支持采购服务

中瑞宏芯SiC MOSFET在1500V光伏逆变器中的应用与优势

为满足光伏、储能、电机驱动和电网等领域对高电压、大功率的应用需求，中瑞宏芯开发出2000V 40mΩ和1700V 25mΩ SiC MOSFET产品。采用TO247-4封装，具有开尔文源极，驱动电压15V~18V。导通电阻的温度系数只有1.5。

2024-11-28 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

【元件】瞻芯电子推出2000V SiC MOSFET和SBD，助力高压光伏逆变器系统

为满足光伏、储能和电网等领域对更高耐压等级功率器件需要，瞻芯电子开发2000V碳化硅（SiC）MOSFET和SBD工艺平台。首批2款产品通过严格可靠性认证，并正式推向市场。目前已有客户导入新产品测试，进入整机验证阶段。

2024-10-09 - 产品代理服务技术支持采购服务

【选型】力特1700V SiC MOSFET助力光伏逆变器1500V系统辅助电源高效稳定运行

现在光伏逆变器电压等级提升到1500V，如果选用单端反激拓扑，单管MOS耐压值需要超过3000V，因此建议采用双管反激方案，推荐Littelfuse的SiC MOSFET LSIC1MO170E1000，1700V高耐压，同时采用常用的TO247封装，可直接替换Si MOS使用。

2020-12-29 - 器件选型代理服务技术支持采购服务

【元件】扬杰科技新推出用于光伏逆变、充电桩、电源等的SiC MOSFET，采用开尔文接触，工作温度175℃

扬杰科技近日推出了一系列TO-263-7L、TOLL、T2PAK产品，产品均采用开尔文接触，明显减少了开关时间，降低了开关损耗，支持更高频率的应用与动态响应；同时相比插脚器件降低了电路板空间，增加了电路板的集成化，非常适合应用于高功率密度和高效率电力电子变换系统。

2024-11-26 - 产品代理服务技术支持采购服务

新能源汽车的最强大脑“IGBT”都用在了哪儿？

IGBT是绝缘栅双极晶体管的简称，是一种三端半导体开关器件，可用于多种电子设备中的高效快速开关。IGBT主要用于放大器，用于通过脉冲宽度调制 (PWM) 切换/处理复杂的波形。在新能源汽车上应用于电池管理系统、电机控制系统、电动空调控制系统、充电系统等。在传统汽车领域也有广泛应用。

2023-12-29 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

IGBT的常温反向偏置考核及在光伏逆变应用中的意义

新洁能Gen.7 IGBT产品通过增加器件BVCES裕量，保证产品全温度范围内实际BVCES大于器件额定电压；并通过优化器件设计，加强生产测试环节的管控，使器件具备常温反向偏置（RTRB）能力。

2024-10-29 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

【技术】IGBT及其IGBT模块是如何进行导通的？

本文slkor将介绍IGBT及其IGBT模块导通原理。其中IGBT是英文单词Insulated Gate Bipolar Transistor，它的中文意思是绝缘栅双极晶体管。IGBT是由BJT和MOS组成的复合全控制电压驱动功率半导体器件。IGBT模块是由IGBT和FWD通过特殊的电路桥封装而成的模块化半导体产品。

2022-01-16 - 技术探讨代理服务技术支持采购服务

【元件】芯达茂推出1200V超大电流单芯片沟槽栅场截止IGBT产品，额定电流达300A

XDM芯达茂推出1200V超大电流单芯片沟槽栅场截止IGBT产品，额定电流达300A，因单芯片电流容量大，则功率模块的芯片并联数可以减小，可以简化封装结构，进一步降低芯片之间的均流限制，从而提高IGBT器件效率与应用可靠性。

2024-04-22 - 产品代理服务技术支持采购服务

【IC】森国科新推出650V/60A IGBT KG060N065LD-R助力提升光伏逆变器转换效率

森国科650V/60A IGBT具备业界领先的低传导损耗和高速开关性能，采用先进制造工艺和材料技术，确保应用高可靠性，有助于减少应用维护成本。IGBT高鲁棒性，有助于提升应用设备在极端环境下的稳定性和可靠性。

2024-10-12 - 产品代理服务技术支持采购服务

【应用】国产瑶芯微1200V/75A绝缘栅双极型晶体管助力光伏逆变器设计，饱和压降1.9V，具有10μs短路耐受时间

某客户设计一款小功率的组串式光伏逆变器，逆变部分采用三电平拓扑，使用IGBT单管来设计搭建主功率电路拓扑，采用1000V系统，峰值电流50A。本文推荐瑶芯微AKBK2A075YHH，是一颗1200V/75A绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。

2022-12-06 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

【视频】虹美车规SiC二极管/GaN FET/IGBT，提供DC-DC/光伏逆变/快充等新能源、工业解决方案

型号- HM01N100PR,HMS11N70Q,HMS7N80,HMS5N80,HMS5N90R,HM4N65R,HMS5N70R2,HMS20N80,HM3N150,HM8N100F,HMG20N65F,HMS5N70R,HMG20N65D,HMS10N80,HMS13N65Q,HMS15N80D,HM40N120AT,HMS11N65Q,HMG40N65AT,HMS5N65R,HM3N100,HM1N60R,HMS5N90R2,HM0565MR,HMN9N65D,HMS5N65R2,HMN11N65D,HM3N120,HM2N65R,HM40N120FT,HMG40N65FT,HM4N60R

虹美功率半导体 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务