派恩杰获国家级专精特新“小巨人”企业认定，开启第三代半导体领域新篇章！
派恩杰半导体，自2018年9月3日创立至2024年9月3日，一路走来，风雨兼程，时光帮我们铭记历史，“芯”光帮派恩杰证明辉煌，365个往昔的日日夜夜汇成了派恩杰的六年，2024年9月3日是派恩杰的6周岁生辰，同时又有些特别，派恩杰在六周年之际获得了国家级专精特新“小巨人”企业认定，这标志着派恩杰半导体又一座里程碑的矗立。
派恩杰历史回顾
作为第三代半导体功率器件的领先品牌，派恩杰半导体拥有深厚的技术底蕴和全面的产业链优势。从初创的小企业到现在的小有规模，派恩杰一直在坚持做正确的事，目前公司的产品已顺利安全上车超200万辆。自创立至今，派恩杰始终秉持着“知行合一，创造价值”的理念，不断深耕半导体领域，旨在为各行各业提供可靠、可行、可持续发展的解决方案。
2018企业初创
· 9月/派恩杰半导体成立
· 11月/签约台积电TSMC，开始GaN HEMT业务合作
2019企业建设
· 3月/发布第一款可兼容驱动650V GaN功率器件
· 4月/签约世界最大碳化硅晶圆代工厂X-FAB
· 8月/完成Gen3技术的1200V SiC MOSFET，填补了国内空白
· 10月/完成650V SiC SBD的研发及量产，发力服务器及数据中心
2020技术元年
· 1月/首次开发验证650V、1700V工业级MOSFET产品
· 11月/完成1200V SiC SBD的研发与量产，发力于光伏与充电桩领域
· 12月/通过国家高新技术企业认证
2021技术元年
· 2月/首次开发验证1200V大电流车规级MOSFET产品
· 7月/完成1200V 62mm SiC模块开发
· 11月/导入世界龙头电动车厂，并开始供货
2022量产元年
· 1月/启动国产原材料认证
· 9月/导入海外TOP2充电桩企业、世界一流激光电源企业
· 12月/SiC MOSFET出货超3.6KK，无一例失效
2023引领元年
· 1月/与海外代工厂签订长期协议
· 5月/入选2023年度浙江省首批专精特新中小企业
· 8月/派恩杰半导体获东风资管战略融资，助力国产碳化硅器件发展
· 12月/入选“2023年度中国智能电动汽车核心零部件100强”
2024转折元年
· 2月/通过IATF16949质量管理体系认证
· 6月/浦科投投后估值20亿累计投资金额数亿元
· 8月/派恩杰半导体（杭州）有限公司正式变更为派派恩杰半导体（浙江）有限公司
· 9月/派恩杰获得第六批专精特新“小巨人”企业认定
2025…发展元年
2025年，派恩杰构建双循环供应链体系，企业将会进一步拓展
有关派恩杰，每一个时刻都值得被记录、被镌刻，每跨一年的进步与改变，不仅展示了派恩杰的企业风采，更是象征了派恩杰每一个企业与员工共同印下的踏实足迹。
关于派恩杰半导体
成立于2018年9月的第三代半导体功率器件设计和方案商，国际标准委员会JC-70会议的主要成员之一，参与制定宽禁带半导体功率器件国际标准。发布了100余款650V/1200V/1700V SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT功率器件，其中SiC MOSFET芯片已大规模导入国产新能源整车厂和Tier 1，其余产品广泛用于大数据中心、超级计算与区块链、5G通信基站、储能/充电桩、微型光伏、城际高速铁路和城际轨道交通、家用电器以及特高压、航空航天、工业特种电源、UPS、电机驱动等领域。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由犀牛先生转载自派恩杰半导体公众号，原文标题为:派恩杰六周年庆 | 同期获国家级专精特新“小巨人”企业认定开启新篇章！，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关推荐
鲁晶携多款功率器件产品出席第十四届亚洲电源技术发展论坛，为新能源、光伏、充电桩等领域应用提供服务
鲁晶半导体携旗下Si SBD/FRD/SCR、Si MOS/IGBT、SiC Diodes、SiC MOSFET等功率器件产品出席第十四届亚洲电源技术发展论坛，产品广泛应用于各类智能家电、电动工具、新能源、充电桩、光伏、电源、工控等领域。
希尔电子整流器件、FRD器件、IGBT器件和SiC SBD/MOSFET四大产品线亮相2024年慕尼黑上海展
2024年7月8-10日的慕尼黑上海电子展已完美落幕。在这场电子行业的盛会中，希尔电子紧扣主题，四大核心产品线闪耀登场——整流器件、FRD器件、IGBT器件和SiC SBD/MOSFET，吸引了行业客户瞩目。
派恩杰携SiC功率器件、芯片设计路线以及1700V高压器件应用方案亮相2024上海SNEC光伏展
6月13日-6月15日，SNEC第十七届（2024）国际太阳能光伏与智慧能源大会暨展览会于上海国家会展中心举办。本次展会，碳化硅功率器件领先品牌派恩杰半导体如约参展，携SiC功率器件、芯片设计路线以及1700V高压器件应用方案与大家在上海见面，为工业应用以及新能源车用方案等提供了一个新的方向。
派恩杰（PN Junction）碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET选型指南
型号- P3D06010I2,P3D06020F2,P3M06120K4,P3D06010E2,P3D06016I2,P3M171K0G7,P3M173K0T3,P3M06120K3,P3D12010T2,P3D12040K2,P3M12080K4,P3D12040K3,P3M12080K3,P3D06002T2,P3M12040K3,P3D06004T2,P3M12040K4,P3D06006T2,P3D06008T2,P3M12025K4,P3M12080G7,P3M171K0K3,P3D06020I2,P4D06010F2,P3D12005E2,P3D06002G2,P3M06060T3,P3D06004G2,P3D06006G2,P3D06008G2,P6D12002E2,P3M06060G7,P3M171K0T3,P3D12030K3,P3D06010T2,P3D12030K2,P3M06060K3,P3D12015K2,P3M06060K4,P3M173K0K3,P3D06010G2,P4D06020F2,P4D06010I2,P3D06016K3,P3D06006F2,P3D06008F2,P6D06004T2,P3D12020K3,P3M06300D8,P3M06300D5,P3D12020G2,P3D12015T2,P3M12160K4,P3D06020T2,P3D12020K2,P3M12160K3,P3D06020P3,P3D12005K2,P3M12017BD,P3D06010F2,P4D06020I2,P3D06002E2,P3D06006I2,P3D06004E2,P3D06008I2,P3D06006E2,P3D06008E2,P3D12010K2,P3M06025K4,P4D06010T2,P3D12010K3,P3M07013BD,P3D12005T2,P3M06040K4,P3M06040K3,P3M12017K4,P3D06020K2,P3D12010G2,P3M17040K3,P3D06020K3,P3M17040K4
中瑞宏芯SiC MOSFET在1500V光伏逆变器中的应用与优势
为满足光伏、储能、电机驱动和电网等领域对高电压、大功率的应用需求，中瑞宏芯开发出2000V 40mΩ和1700V 25mΩ SiC MOSFET产品。采用TO247-4封装，具有开尔文源极，驱动电压15V~18V。导通电阻的温度系数只有1.5。
【元件】瞻芯电子推出2000V SiC MOSFET和SBD，助力高压光伏逆变器系统
为满足光伏、储能和电网等领域对更高耐压等级功率器件需要，瞻芯电子开发2000V碳化硅（SiC）MOSFET和SBD工艺平台。首批2款产品通过严格可靠性认证，并正式推向市场。目前已有客户导入新产品测试，进入整机验证阶段。
【应用】采用开环LLC＋电流源PFC方案实现全碳化硅高功率密度充电桩模块设计
国产碳化硅领先品牌瞻芯电子采用SiC MOSFET、SiC SBD和SiC MOSFET驱动芯片开发了全碳化硅的充电桩模块包括PFC和DCDC的原型设计。该参考设计的功率密度比业界主流的充电桩模块提升50%，揭示了碳化硅功率器件在高功率密度、高性能充电桩模块领域的巨大优势和潜力。
【元件】扬杰科技新推出用于光伏逆变、充电桩、电源等的SiC MOSFET，采用开尔文接触，工作温度175℃
扬杰科技近日推出了一系列TO-263-7L、TOLL、T2PAK产品，产品均采用开尔文接触，明显减少了开关时间，降低了开关损耗，支持更高频率的应用与动态响应；同时相比插脚器件降低了电路板空间，增加了电路板的集成化，非常适合应用于高功率密度和高效率电力电子变换系统。
【选型】力特1700V SiC MOSFET助力光伏逆变器1500V系统辅助电源高效稳定运行
现在光伏逆变器电压等级提升到1500V，如果选用单端反激拓扑，单管MOS耐压值需要超过3000V，因此建议采用双管反激方案，推荐Littelfuse的SiC MOSFET LSIC1MO170E1000，1700V高耐压，同时采用常用的TO247封装，可直接替换Si MOS使用。
【应用】使用TO-247封装SiC MOSFET的光伏升压变换器解决方案，效率达到99.4%
SiC二极管在光伏升压变换器设计中已得到了广泛的应用，SiC MOSFET在许多高性能逆变器的开发中也开始得到应用。本文介绍了使用TO-247封装SiC MOSFET和瞻芯电子IV1E系列SiC模组的150kW逆变器解决方案。
【产品】 1200V/80mΩ的SiC MOSFET IV1Q12080T4，TO247-4封装
瞻芯电子的SiC MOSFET IV1Q12080T4，漏源电压1200V，采用TO247-4封装，该产品存储温度范围为-55℃~175℃，工作结温范围为-55℃~175℃，适用于光伏逆变器、UPS 电源 、电机驱动、高压 DC/DC变换器 、开关电源等。
【元件】从光伏到工业设备，时科SIC MOSFET SKSC120N016-T74如何引领高效能耗新时代
在新能源技术蓬勃发展的今天，SIC MOSFET在充电桩、光伏发电和工业设备中的应用变得越来越广泛。那么，如何选择高性价比的SIC MOSFET呢？时科的SIC MOSFET SKSC120N016-T74又具备哪些独特的优势？让我们一起来探讨一下。
艾创微提供完备的电源管理、接口及SiC MOSFET等系列产品，助力充电桩产业的蓬勃发展
艾创微紧跟国家战略，积极融入产业配套，和国内多家业内领先的充电桩企业展开合作，经过几年的积累，艾创微在充电桩领域可提供完备的电源管理（模块）、接口以及SiC MOSFET等系列化产品，助力充电桩产业的蓬勃发展，本文艾创微将进行相关产品的详细介绍。
中科汉韵致力于高质量碳化硅功率器件国产化，推动新能源汽车、数据中心、机器人、太阳能光伏等新基建领域创新应用
中科汉韵聚焦于第3代半导体SiC MOSFET芯片的研发、生产和销售，专注研究我国下一代战略电子新材料、新器件以及功率集成的关键技术，最终实现在新能源汽车、数据中心、机器人、太阳能光伏等新基建领域创新应用。
苏州固锝亮相SNEC光伏展览会，集中展示光伏旁路二极管、功率二极管和MOS管等功率器件
2024年6月13日-6月15日，为期三天的第十七届（2024）国际太阳能光伏与智慧能源（上海）展览会在国家会展中心圆满落幕！展会期间，苏州固锝向访客展示了光伏旁路二极管、功率二极管、MOS管、IGBT、SiC SBD等功率器件的DEMO样品，以及产品最新资料。
电子商城
现货市场
服务
可定制LED组件/LED传感/UV模组的电压、电流、波长等性能参数，电压：3-24V，，电流：30-3500mA，波长：270-940nm；材质：食品级POM，阻燃PC；防水等级：IP20-IP68。
最小起订量： 1000 提交需求>
提供7~27寸工控机定制，支持嵌⼊式/ 壁挂式 /桌⾯式/悬挂式等安装方式，采用纯平⾯板IP65防尘防⽔等级，莫⽒7级硬度触摸屏，兼容多种操作系统：组态软件/安卓/XP/win7/8/10/Linux等，支持主板、接⼝、外观、⽀架、刷卡器、⾝份证阅读器、LOGO、⻨克⻛、系统、电池、蓝⽛、4G/5G、摄像头、GPS系统、⼆维码扫描器、指纹等特殊应⽤场景定制
最小起订量： 1台 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论