华太电子带来全新系列IGBT功率器件亮相2024年PCIM Asia展览会

时间： 2024-10-09 来源：华太电子公众号

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2024年PCIM Asia展会于2024年8月28~30日在深圳国际会展中心（宝安馆）召开，这是亚洲电力电子行业的年度盛会，华太电子为此次盛会带来了全新系列IGBT功率器件，散热材料以及系列化封装产品。华太电子展位坐标位于11号馆F40，欢迎各位嘉宾莅临指导。

01 超结IGBT 更高效率更小体积更低成本

在电力电子领域中，华太电子不断追求更高的效率，更小的体积和更低的成本。华太电子在本次展会上展出的重磅产品-第二代超结IGBT产品（以下简称：SJ-IGBT G2），将助力新能源光储充产业的发展。

采用超结结构的IGBT可完美实现低开关损耗、低通态压降的电学特性。在功率器件关断时，低掺杂的外延层要承受高耐压；在功率器件导通时，器件内部形成一个高掺杂N+区，作为功率器件的电流通路。

相比与传统FS IGBT，SJ-IGBT G2有如下优势：

（1) 低导通压降：在同样的反向承压能力下，SJ-IGBT G2具有更薄的漂移区，可有效降低芯片导通压降；

（2) 低开关损耗：漂移区的超结结构能够加速空间电场建立速度，有效提升器件开关速度，降低开关损耗；

（3) 高转换效率：SJ-IGBT G2相较于国际友商最新的7代产品，静态导通损耗降低1.4%，动态关断损耗降低64%，综合性能提升59%，其优异的开关性能可满足更高频率的应用需求（>100kHz）。

目前华太电子的超结IGBT已经实现单管电压650V/ 1200V，电流15A到140A的全覆盖，另外还提供了Single/Dual Boost，INPC/TNPC/ANPC，Flying Cap，半/全桥等拓扑的IGBT模组。

02 高端散热材料更低温度更高效更稳定

本次展会除超结IGBT，华太电子还带来了高端散热材料，可以有效降低新能源光储充系统温度，保证系统安全高效工作。

COH冷喷铜铝合金散热器：

（1）优秀的散热仿真能力，可基于客户应用场景推荐相应的散热方案；

（2）在功率半导体封装领域，导入了冷喷铜工艺，可在铝合金散热器表面局部沉积纯铜颗粒，实现芯片带基板焊接，降低系统热阻。亦可以在陶瓷表面沉铜，替代DBC/DPC，AMB工艺；

（3）在AI SOC领域，可在铝合金散热器局部冷喷铜，配合液态金属硅脂使用，降低系统成本。

IMS绝缘金属基板：

高导热金属基板等效热阻小、界面少、结构简单、耐候佳、成本低、无空洞，工艺流程简化，封装工厂无需进行生产设备更新。

SiN陶瓷封装基板：

（1）陶瓷特性：热导率、热膨胀系数等特性可完美匹配Si/SiC芯片；

（2）陶瓷基板特性：良好的热传导性、耐高温性能和机械强度；

（3）可供应即烧板/研磨板；

（4）母板可选厚度： 0.32/0.25/0.38mm

（5）垫片可选厚度≥1mm；

（6）良好的表面附着力，提升AMB烧结可靠性，提升良率；

（7）完善的质量管控体系，端到端保障零缺陷生产。

03 射频与大功率封测

华太电子旗下的全资子公司长沙瑶华半导体，主要从事LDMOS/GaN等大功率射频空腔器件，IGBT/SiC功率模组封装，测试的研发和生产。

公司已获得ISO9001质量体系认证，IATF16949汽车质量体系认证和CNAS实验室等资质。长沙瑶华半导体目前可以实现射频PA 模块月产60万只，IGBT模块月产35万只。

以上就是华太电子为本次PCIM展会带来的展品，更多精彩内容，欢迎莅临11号馆F40参观指导，关注华太电子微信公众号，了解更多产品资讯。

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