IGBT器件短路分类、过程及设计

2024-09-13 阿基米德半导体公众号
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1、引言

目前,IGBT作为电力电子领域普遍应用的功率半导体器件,短路能力是其重要的技术指标之一,SCSOA 指的是短路安全工作区,用来描述器件的短路鲁棒性。对于功率器件来说,该参数至关重要。在实际应用中,负载短路的情况下,器件在短时间会同时承受大电流、大电压。通常应用电路有短路保护电路,但该电路反应需要时间,通常至少为 10μs,这段时间需要器件能够承受这段非正常工作时间内的压力。本篇暂时只叙述短路能力的设计,短路震荡的问题将在下一篇中详解。


2、短路分类

短路工况分为三类:


(1)一类为直接短路负载情况下,导通IGBT,此时短路负载电感很小,IGBT从关断状态进入短路状态,在栅极信号的作用下,lGBT开通并直接进入短路状态。这时的短路电流值等于IGBT在标准栅压(Vge=15V)下的饱和电流值。IGBT在短路状态下需要同时承受高压和大电流,并维持一段时间(一般为10μs)。


(2)第二类为从导通状态下进入短路状态。


(3)第三类为从关断状态进入导通状态在进入短路状态。由于一类短路是IGBT器件经常遇到的工况,且其工况更为严苛,此片只描述一类短路。


图1 IGBT器件短路测试电路


图2 IGBT器件一类短路测试波形


整个短路过程为:

1)器件导通之前,因为负载已经短路,此时集射极电压Vce等于母线电压Vdc,集电极电流Ice为零;


2)测试电路外加脉冲抬高栅极电压Vge,随着栅极电压Vge的增大,器件逐渐开启,集电极电流Ice迅速升高。


3)电感上某时刻的电压与通过它的电流的变化率di/dt以及电感值L0成正比。所以IGBT导通时迅速增加的集电极电流Ice在负载电感L0上产生感应电压,母线电压Vdc被电感分担一部分,导致集射极与发射极间电压Vce下降。


4)IGBT集射极电压Vce的变化,会通过米勒电容Cgc反馈给栅极。Vce减小使 Vge增大,根据IGBT输出特性,Ice随Vge同步增大,所以在Vge达到峰值处,Ice也达到短路峰值电流Isc,peak。


5)在集电极电流Ice的上升速率开始减小时,电感电压V0减小,Vce开始从最低值增大,Vce增大又导致Vge减小,进而导致Ice减小;因为Vge增大在密勒电容上感应出电流,该反向电流流过回路负载电感L0,感应出反向电压,导致Vce大于Vdc。


6)当Vce稳定后,不再产生感应电压,即Vce重新等于Vdc,此阶段为短路稳态,Vce几乎不变。由于短路稳态阶段高电压和大电流同时施加在器件上,导致器件结温不断上升,而载流子迁移率随结温升高而减小,所以曲线上能看到短路电流随 Tmax升高有下降的趋势。


7)在短路稳态后的关断过程,Ice跟随栅极电压Vge的下降而逐渐减小,因为集电极的电流下降率很大,所以在电感上感生出很大的反向电压,导致Vce产生正向的电压尖峰。


3、IGBT器件短路设计

由于在短路工作期间没有负载阻抗,在IGBT结构中其饱和电流变成了短路工况下流过电流的唯一限制。如下公式表示在短路期间IGBT结构单位面积的功耗:


式中,Vdc是母线电压,Isat是由栅极电压所决定的饱和电流密度。假设功率加在整个芯片上,且暂时不考虑瞬时散热,根据热平衡方程:

得出温升公式:

式中,C是比热容,S是芯片有源区面积,S是芯片有源区面积,ρ是材料密度,W是芯片厚度,t是短路时间。


内建电势决定着零偏置耗尽层宽度,某一温度下内建电势变为0后,PN结失控,对于硅器件,这个温度大约为700K。所以可以通过上式计算出芯片需求的短路时间。


4、参考文献

[1]王禹,陈子墨,花清源,等.1700V Primepack IGBT短路栅极振荡试验与分析[J].集成电路应用,2022,39(06):24-27.DOI:10.19339/j.issn.1674-2583.2022.06.010.

[2]王万.基于1200V沟槽栅FS IGBT的短路鲁棒性研究及工艺优化[D].电子科技大学,2022.DOI:10.27005/d.cnki.gdzku.2022.004263.


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中电国基南方(CETC)SiC电力电子器件选型指南

描述- 中电国基南方是国内最早从事SiC电力电子器件研发和生产的企业。在SiC为代表的第三代功率半导体领域承担了国家科技重大专项、“863”、“973”、国家重点研发计划等超过80项国家级课题;申请发明专利超过200多项,其中PCT10项,已授权67项。产品系列电压覆盖650V-6500V,电流覆盖2A-150A,产品性能和可靠性满足多种应用需求,已广泛应用于新能源汽车及充电设备、轨道交通、新能源发电、电网传输、家用电子设备等领域。

型号- WS4A020120A,WS4A050065D,WMH075M120A1A,WS4A050065B,WS4A020120B-V,WS4A020120B,WS4A020120D,WS4A040120K,WMIT075M120B1A,WS4A040120D,WM2HA020065Y,WS4A040120B,WMT075M120B1A,WMH020M065A1A,WS4A030065D,WS4A020120J,WS4A040120B-V,WS4A020120K,WS4A030065J,WS4A025170B,WS4A025170D,WS4A030065B,WM2A030065L,WM2A030065K,WS4A030065K,WS4A050170B-V,WMD075M120B1A,WM2HV020170L,WS4A006065F,WM2HV020170K,WS4A006065E,WS4A004065A0,WS4A006065B,WS4A006065A,WS4A010065E,WS4A015065J,WS4A010065F,WS4A010065A,WS4A015065F,WS4A010065B,WM2A080170N,WM2A080170L,WM2A080170K,WM2HV140120N,WM2HV140120L,WM2HV040065L,WM2HV040065K,WM2HA040120N,WM2HA040120L,WM2HA040120K,WM2A060065N,WM2A060065K,WM2HV040065N,WM2A060065L,WS4A050170B,WM2A060065Y,WM2HA030120N,WM2HA030120K,WS4A050170D,WM2HA030120L,WM2HA020120K,WM2HV140120K,WS4A005120E,WM2HA020120L,WM2A040120L,WM2HV020120N,WM2HA020120N,WM2HV020120K,WM2HV020120L,WM2A040120K,WS4A010065J,WS4A015120J,WS4A015120D,WM2V080170K,WS4A050065B-V,WS4A005120A,WS4A005120B,WMH016M120A1A,WM2V080170L,WM2HA040065N,WM2V080170N,WM2HA040065L,WM2HA040065K,WS4A020065A,WS4A020065D,WS4A020065B,WM2HV030120K,WS4A020065B-V,WM2HA040065Y,WS4A020065F,WS4A015120A,WM2V040120L,WM2V040120K,WS4A015120B,WMH060M120A1A,WM2HA011075K,WM2HA011075L,WM2HA04006Y,WM2HV030120N,WS4A060120D,WS4A020065K,WM2HV030120L,WS4A020065J,WM2HA024200LP,WS4A060120K,WM2V040170L,WM2V040170N,WS4A025170B-V,WM2V040170K,WMH080M170A1A,WS4A030120K,WS4A030120B-V,WM2HV060120L,WM2HV060120K,WM2HV060120N,WMIT040M120B1A,WM2HV011075L,WM2HV011075K,WS4A200120T,WMT040M120B1A,WM2HA240120N,WS4A010120E,WS4A004065F0,WS4A010120D,WS4A010120B,WS4A010120A,WM2A050330L,WM2HA240120E,WS4A008065B,WM2HV040120L,WS4A060065K,WS4A008065A,WMD040M120B1A,WS4A008065F,WS4A008065E,WM2HA140120L,WSXAXXXXXX0,WM2HA140120K,WM2HA140120N,WS4A050120D,WS4A050120B,WMH040M120A1A,WM2HV016120L,WM2HV016120K,WM2HA020170L,WS4A010120J,WM2HA020170K,WS4A040065K,WS4A050120B-V,WMH060M075A1A,WS4A015065A,WS4A015065B,WM1A650170N,WM1A650170K,WM2A075120K,WM2A075120L,WM2A075120N,WM2V020065N,WM2V020065K,WM2V020065L,WS4A004065B0,WS4A004065E0,WMXAXXXXXX0,WM2V075120N,WM2HA060120K,WM2V075120K,WM2HA060120L,WM2V075120L,WM1A080120K1,WM2HA060120N,WM2HV075120L,WM2HA020065K,WS4A030065B-V,WM2HA020065L,WM2A040170K,WM2A040170L,WM2A040170N,WM2HA016120L,WM2HA016120K,WM2HA020065N,WM2HA016120T,WM2A060090N,WMH020M120A1A,WM2A060090K,WM1A080120L1,WM2A060090L,WM2A100200LP,WM1A01K170K,WS4A030120D,WM2A050200LP,WM2A020065L,WM2A020065K,WM2A020065N,WM1A01K170N,WS4A030120B

2024/7/30  - 中电国基南方  - 选型指南 代理服务 技术支持 现货查询 批量订货
Oct, 2024  - 阿基米德半导体  - 数据手册  - Rev. A7 代理服务 技术支持 现货查询 批量订货

【选型】扬杰科技(YANGJIE)MOSFET(中低压/高压)选型指南

目录- 产品特点与应用    中低压MOSFET    高压MOSFET    封装尺寸图与焊接尺寸图    包装形态与可靠性测试项目   

型号- YJB70N10A,YJD80G06A,YJ4N70Z,2N7002A,YJ12N65Z,YJQ2012A,YJC2007A,YJD25N15B,YJD90N02A,YJS2301A,YJS4435A,YJ8N60Z,YJQ55P02A,YJS4407B,2N7002KW,YJQ3400A,YJQ40P03A,YJS4407A,YJ2N65Z,YJL02N10A,YJD20N06A,YJS12N03A,2N7002K,YJP70N10A,YJL2303A,YJS10N02A,BSS123W,YJS8205B,YJSD12N03A,YJS05N06A,YJG30N06A,YJL3404A,YJL3416A,YJG80G06A,YJQC602B,YJS03N10A,YJL2304A,2N7002,YJQ1216A,YJS18N03A,YJ4N80Z,YJP25N15B,YJQ30N03A,YJQ53G06A,YJL3415A,YJQ10N02A,YJS15G10B,YJL2301G,VJG50N03A,BSS84,YJL2301F,YJL2301C,YJL2301D,YJL3407AL,YJD40G10A,YJ4N65Z,YJ7N60Z,YJP150N06AC,YJQ4666B,YJ10N65Z,2N7002W,YJQD30P02A,YJS4606A,YJL2302B,YJL05N04A,YJL2302A,YJS12N10A,YJQ03P02A,BSS123,YJL3401A,YJS05N15B,YJS2305A,YJD60N04A,YJQ20N04A,YJL03N06B,YJ12N60Z,YJL03N06A,YJD15N10A,YJQ35N04A,YJB150N06C,BSS138,YJ2N60Z,YJ7N70Z,YJL3400A,YJQ3622A,YJS7328A,YJS2022A,YJS9435A,YJD40N04A,YJD45P03A,YJS4438A,YJ10N70Z,YJD30N02A,YJL2312A,YJG105N03A,YJ8N65Z,YJS3404A,YJD100G10A,YJ4N60Z,YJD60N02A,YJQ3415A,YJ7N80,YJ7N65Z,YJQ35G10A,YJS12G06A,2N7002KDW,YJG53G06A,YJG20N06A,YJS10N04A,YJ12N70Z,YJL3401AL,YJL2305A,YJL2305B,YJG15N15B,YJG18N10A,YJL03G10A,YJG130G04A,YJG85G06A,YJL07P03AL,VJL2300A,YJL3407A,YJS4953A,YJ10N60Z,YJQ2301A,YJD80N03A,YJD50N03A,YJD80N03B,YJQ50N03B

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车规级SiC/IGBT厂商阿基米德半导体授权世强硬创代理,助力碳中和

阿基米德半导体1200V 75A IGBT芯片综合损耗超过国际友商IFX3代产品20%、6代产品15%;1200V 60A FRD芯片的反向恢复特性优于国内友商20%。

2024-01-04 -  签约新闻 代理服务 技术支持 现货查询 批量订货

瞬态热阻抗测试原理、步骤及结构函数解读

瞬态热阻抗测试是一种用于评估功率器件热性能的重要手段,能够提供器件在不同工作条件下的详细热性能数据,利用双界面法可测得结壳热阻RthJC。本文将详细探讨瞬态热阻抗测试原理、步骤以及结构函数的解读。

2024-09-13 -  技术探讨 代理服务 技术支持 现货查询 批量订货

技术前沿:功率半导体的纳米银烧结技术

银烧结技术是功率半导体行业的关键,尤其在SiC和GaN器件中,因其高导电导热性、高可靠性和环境友好性而受到重视。尽管面临成本和工艺控制挑战,但随着技术进步,预计将在高温功率模块封装中得到更广泛应用。

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