银河微电子携MOSFET、IGBT、光电耦合器等最新产品亮相2024深圳PCIM Asia展
常州银河世纪微电子
执着追求 一往直前
深圳PCIM Asia展圆满落幕
时间:2024年8月
地点:深圳
2024年8月28日至30日,在深圳国际会展中心(宝安新馆)隆重举行的PCIM Asia展会已经完美收官。在这三天的盛会中,银河人见证了电力电子领域最前沿的技术,也带来了公司最新的产品和解决方案,并与众多行业专家、客户、供应商伙伴们进行了深入的交流。
关于展会
PCIM Asia
作为具有广泛影响力的电子制造专业展会,与德国纽伦堡每年一度的 PCIM Europe一样,PCIM Asia(电力转换与智能运动的英文缩写)在中国也成为了一项大型综合性的展览活动,为来自电力电子产品及其驱动技术和变电质量应用界的专业人士提供了一个良好的交流平台,使我们有机会领略电力电子产品和系统领域的精选研发成果。
展会现场
本次展会,常州银河微电作为一家专注于技术创新的半导体分立器件制造商,推出了其自主研发的MOSFET、IGBT、SiC、GaN等系列产品,这些产品在新能源汽车、太阳能光伏、能源储存和通信电源等多个行业领域中发挥着重要作用。公司凭借其创新技术和多样化的应用解决方案,成功吸引了国际参展商的广泛关注。
在热闹的展会现场,常州银河微电的销售精英与技术团队以他们深厚的专业知识和热情周到的服务,迎接着每一位到访的客人,向来自全球的行业精英们详尽地介绍了公司的优势和产品的实际应用场景。
精彩瞬间
展会期间,公司销售总监杨骋接受了PCIM官方采访。详细介绍了银河微电本次展出的MOSFET、IGBT、光电耦合器、第三代半导体系列等最新产品特点以及技术亮点,分享了对未来半导体行业即将面对的机遇和挑战的专业看法。常州银河微电将长期致力于半导体分立器件领域做精做强,通过进一步拓展产品门类,提升产品性能,提高产品档次,推动行业向前发展。
从1994到2024,常州银河微电以卓越的品质和勇于创新的精神,成为了中国半导体分立器件行业中的领先企业。在这三十年的发展历程中,公司始终坚持“诚实守信、拼搏创新、精益求精、合作共赢”的核心价值观,不断追求卓越,为客户提供了无数高质量的产品和服务。
朋友们,银河微电的一路成长离不开您的支持与帮助。今年11月,2024德国慕尼黑国际电子元器件博览会,银河微电与您相约,不见不散!
从国内到国外,银河微电执着追求,一往无前!
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由拾一转载自银河微电公众号,原文标题为:展会再聚|2024深圳PCIM Asia展圆满落幕,下一站我们德国见,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关研发服务和供应服务
相关推荐
北京车展展示新能源汽车行业SiC技术革命,阿基米德半导体赋能技术新纪元
随着全球汽车行业向电动化转型的加速,碳化硅(SiC)技术正成为新能源汽车领域的关键驱动力。碳化硅技术以其高效率、高耐压、高频率的特性,正在重新定义新能源汽车的性能标准。SiC器件的高温稳定性和快速开关能力,使得电动汽车的续航能力得到显著提升,同时大幅缩短了充电时间。在中国,SiC技术的渗透率正以前所未有的速度增长,预示着新能源汽车技术的新时代。
瞻芯电子荣获SiC行业三大奖项,全面突破新能源汽车主驱、光伏储能、充电桩等众多关键领域市场
2024年12月12日,由行家说主办的“2024碳化硅&氮化镓产业高峰论坛”于深圳召开。瞻芯电子凭借极具竞争力的碳化硅(SiC)功率器件和驱动解决方案,全面突破新能源汽车主驱、光伏储能、充电桩等众多关键领域市场,取得出色的业绩表现,在颁奖礼上荣获三项大奖:“中国SiC IDM十强企业”、“年度影响力产品奖”、“第三代半导体应用推动突破奖”。
国产车规SiC亮相,将替代IGBT芯片模块?
深圳市瑞之辰科技有限公司推出了首款基于SiC MOSFET技术的PIM模块(参见图1),实现了对硅基IGBT芯片的模块替代,在系统损耗方面降低了三分之一。与此同时,这款产品在技术上突破传统PIM模块灌封封装模式,模块体积减少约57%,而且使用了瑞之辰自主研发的10项工艺创新,模块可靠性得到大幅提升,非常适用于新能源汽车、充电桩、储能等新兴领域。
Galaxy 银河微电 IGBT产品介绍及市场应用
描述- 常州银河世纪微电子股份有限公司(Changzhou Galaxy Century Microelectronics Co., Ltd.)发布了一系列IGBT产品,包括单管和模块,适用于多种应用领域。产品线涵盖650V至1700V电压等级,包括工缝、逆变器、电机控制、光伏、储能、新能源汽车、充电桩、电池管理系统等。资料详细介绍了产品型号、技术参数、应用领域和性能对比。
型号- GM200HF120S4T1,GM200HF120S4F1A,GM50FFB120C1T1H,GM15P]120E1T3A,GM400HF120S4T1M,BL042N10TH,GKU40N65EH3,GM240TU120Q1F2,GKU25N120ET2,GKU50N65ET,GM40FFB120C1T1,GM400HF65S4T1A,GKU40N65,GM200SG65S1T1,GKU60N65DH5,GM450HF120C3T1M,GKB20N65,GKU50N65EH3,GKU40N120ET2-25C,GKU100N65DH5,GKU40N120ET2,GM150FFB120C2T1M,GM600HF65S4T1,GM300HF120S4T1M,GM450ML65Q2F2,GM25PJ120E2T3A,GKU40N120NH3-25C,GM10PJ120E1T3A,GM225TU120Q2T2H,GM100HF120S2F1B,GM75HF120S2F2,GM100PI120C2T1,GKU50N120CH3,GKY50N120,GM100HF120S2F1A,GKD06N65,GKU40N120NH3,GM35PJ120E2T3A,GM50PI120C1T3A,GKU15N120ET2,GM40PI120C1T3A,GKF20N65,GKU10N120T2,GM225TU120E2T2H,GKP20N65,GM40HF120S2F2A,GKU30N65,GKU60N65EH5,GM150HF120S4F2,GKU20N65,GKU75N65EH5,GKU40N120DT2,GM450ML65C1T2,GM600HF120C3T1M
【视频】蓉矽高可靠性SiC功率器件在光储充与新能源汽车上的应用
型号- NCD30S40TTD,NC1M120C12HT,NC1M120C12W,NC1D120C10AT,NCD30S20TTD,NC1D120C20KT,NC1D120C30KT,NC1M120C40HT,NC1M120C75HT
扬杰科技(YANGJIE)碳化硅产品选型指南
目录- 公司简介 命名规则及包装形态 SiC MOSFET SiC肖特基二极管 SiC SBD模块 SiC MOSFET模块 应用+产品推介 公司实验室平台 长期可II性试验测试参考表
型号- YJD2065100NCTGHQ,YJD106520BQG2,YJD212060B7GH,YJD206560B7GH,YJD212060NCTGH,YJD106520FQG2Q,YJD2065200BGH,MB480U065F2,YJD212040T2GH,YJD112020NCTQG2,YJD2120160NCFG1Q,YJD106508PQG2,YJD2120120NCTGHQ,YJD112002DG1,YJD2120120BGH,YJD217045NCFGH,MB60DU12ST,MB80DU12ST,YJD212080NCFG1,YJD206560NCTGH,YJD2120120NCTGH,YJD2120240NCFGH,YJD2120120NCFGHQ,YJD21701K0B7GH,YJD106520DQG2Q,YJD212030NCFGHQ,YJD106506BQG2,YJD212060T2GH,YJD106520PQG2,YJD212040NCTG2,YJD112020BXGG2,YJD212040NCTG1,YJD106502DQG3,MB60DU12STN,YJD21701K0NCTGH,YJD106504PG1,YJD112015PGG2,YJD212040T2GHQ,YJD212030NCTGH,YJD106520NCTQG2,YJD212030T2GH,YJD106540NCTQG2,YJD106510BQG2,YJD106510PQG2Q,YJD112010BQG2,YJD206525NCTGHQ,YJD106502PQG3,YJD106508BQG2,YJD2120240NCTGHQ,YJD212040NCTGH,YJD106510PQG2,MC16UZ12STN,YJD112040NGG2,YJD206550NCFGHQ,YJD106504DG1,YJD212040NCTGHQ,YJD212080NCTGHQ,YJD206560NCFGHQ,YJD106520DQG2,YJD106550BQG3,YJD212080NCFG1Q,YJD112040NCTG1,YJD2120120B7GH,YJD2120160NCFG1,YJD112005PG1,YJD112030NGG2,YJD2065200NCFGH,YJD112030NGG3,YJD2065100NCTGH,YJD112015NG1,YJD212030T2GHQ,YJD106520NCTQG2Q,YJD2120240BGHQ,YJD212080NCFGH,YJD212040NCFGHQ,YJD206520NCTGH,YJD206550NCFGH,YJD2065100B7GHQ,YJD206525NCFGH,YJD206530NCTG1,YJD2120240B7GHQ,YJD212080NCFGHQ,YJD112002PG1,YJD112005DG1,YJD2120240NCTGH,YJD2065100NCFGHQ,YJD206550B7GH,YJD2120120B7GHQ,YJD206560NCTGHQ,YJD206530NCTG1Q,YJD2065200B7GH,YJD112020BGG2,MB120DU12FJ,YJD206525T2GHQ,YJD112015NGG2,YJD106506PQG2,YJD206520NCTGHQ,YJD112030NCTG1,YJD206560NCFG1,YJD112010DQG2,YJD106508DQG2,YJD206530NCFG1Q,YJD212040NCTG1Q,YJD206560NCFG1Q,YJD206560NCFGH,YJD217045NCTGH,YJD112010NQG2,YJD212080NCTG1Q,YJD2120240B7GH,YJD106520PQG2Q,YJD212040NCFG2Q,MB120DU12ST,YJD2120120BGHQ,YJD106520FQG2,YJD2065100B7GH,YJD212080B7G1Q,YJD212060NCFGH,YJD2120240NCFGHQ,YJD212080T2GHQ,YJD212060B7GHQ,YJD112030NCTGG2,YJD112040NCTGG2,YJD112040NCTGG1,YJD212040NCFG2,YJD21701K0NCFGH,YJD106520NQG2Q,YJD212040NCFG1Q,YJD2120120NCFGH,YJD206560B7GHQ,YJD212030NCFGH,YJD106510FQG2,YJD112010FQG2,MB60DU12FJ,YJD206520NCFGHQ,YJD206525T2GH,YJD206550NCTGHQ,MB80DU12FJ,YJD206560NCTG1Q,YJD106506FQG2,MB200DU12FJ,YJD212040NCFG1,YJD112040NQG2,YJD212060T2GHQ,YJD106520BQG2Q,YJD2120240BGH,YJD206550B7GHQ,YJD112010PQG2,YJD212060NCTGHQ,MB480U12F2,YJD2120160NCTG1Q,YJD106510DQG2Q,YJD212080B7GH,YJD212080B7GHQ,YJD212030NCTGHQ,YJD206525NCTGH,YJD112030NG1,YJD106510FQG2Q,YJD212040NCFGH,YJD212080B7G1,YJD2065100NCFGH,YJD112030NQG2,MB200DU12ST,YJD2065200NCTGH,YJD2120160NCTG1,MB180DU065FJ,YJD106508FQG2,YJD212080T2GH,YJD21701K0BGH,YJD106510BQG2Q,YJD212040NCTG2Q,YJD212060NCFGHQ,MB180DU12FJ,YJD212080NCTG1,YJD112005FG1,YJD206525NCFGHQ,YJD112010BXQG2,YJD106520NQG2,YJD212080NCTGH,YJD206550NCTGH,YJD206560NCTG1,YJD106550NQG3,YJD206520NCFGH,YJD206530NCFG1,YJD106506DQG2,YJD112020NGG2,YJD106510DQG2
东海半导体授权世强硬创,代理IGBT单管/模块、SiC二极管/MOS
40A 1200V TRENCHSTOP IGBT采用先进的沟槽和场截止技术设计,不仅能提供优异的VCEsat和开关速度、低栅极电荷,还拥有卓越的开关速度,VCEsat中的正温度系数带来轻松并联的能力。
【应用】SiC器件可在5G基建、新能源汽车充电桩、工业互联网等领域中提高电能利用率
碳化硅(SiC)材料是功率半导体行业主要进步发展方向,用于制作功率器件,可显着提高电能利用率。可预见的未来内,新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用场景。特斯拉作为技术先驱,已率先在Model 3中集成全碳化硅模块,其他一线车企亦皆计划扩大碳化硅的应用。
高压快充推动碳化硅SiC器件产业化:新能源汽车市场趋势与技术革新
随着全球新能源汽车市场的蓬勃发展,高压快充技术作为新能源汽车补能的主要解决方案,正逐步成为市场主流。凭借多年来在磁性元器件领域中积累的研发技术、生产经验,铭普已形成PFC电感、共模电感、电源变压器、PLC变压器和塑封逆变电感等系列产品矩阵且积极与碳化硅芯片公司合作。
中国新能源汽车的几何式发展,倒推SiC碳化硅市场扩张
近年来,中国新能源汽车市场发展迅猛。根据中汽协数据显示,2023年,中国新能源汽车销量达到了949.5万辆,同比增长37.9%。预计2024年,中国新能源汽车销量可能将达到1200-1300万辆,并占据全球新能源汽车总销量的约60%。新能源汽车的迅猛发展,倒推车规级碳化硅SiC功率器件的需求也呈井喷式增长。
WM2A060065K N沟道SiC功率MOSFET
描述- 本资料介绍了型号为WM2A060065K的N-通道碳化硅(SiC)功率MOSFET的特性、最大额定值、电学特性、热特性和封装尺寸。该器件采用第二代SiC MOSFET技术,具有高阻断电压、低导通电阻和高速度开关等特点,适用于电动汽车充电、服务器电源、太阳能光伏逆变器和不间断电源等领域。
型号- WM2A060065K
WM2A030065L N沟道SiC功率MOSFET
描述- 本资料介绍了第二代碳化硅(SiC)MOSFET技术,具有高阻断电压、低导通电阻、高速切换和快速内建二极管等特点。该器件适用于电动汽车充电、服务器电源供应、不间断电源(UPS)、太阳能光伏逆变器等领域。
型号- WM2A030065L
【视频】扬杰高效SiC,提供多样化产品和应用,助力新能源汽车
型号- YJD106502DQG3,YJD106502PQG3,YJD106504PG1,YJD106504FQG3,YJD106504DG1,YJD106504FG1,YJD106504PQG3
电子商城
现货市场
服务
可定制丙烯酸酯胶粘剂的粘度范围:250~36000 mPa·s,硬度范围:50Shore 00~85Shore D,其他参数如外观颜色,固化能量等也可按需定制。
最小起订量: 1 提交需求>
可定制UV胶的粘度范围:150~25000cps,粘接材料:金属,塑料PCB,玻璃,陶瓷等;固化方式:UV固化;双固化,产品通过ISO9001:2008及ISO14000等认证。
最小起订量: 1支 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论