TOLL封装形式的优势及应用场景有哪些？
芯片是一种功能强大的半导体器件，一颗芯片想发挥其强大的性能，需要采用合适的封装形式，封装就好像是芯片的内部世界和外部电路进行信号传递的桥梁，它是半导体集成电路的外壳，有着保护芯片、固定芯片、密封和增强电热性能等重大作用。芯片封装形式多样，通常是将芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，引脚通过PCBN导线与器件连接。本文，合科泰给大家讲解一种强大的封装形式TOLL封装，它的优势和应用场景。
TOLL封装也叫无引线器件封装，它具有很多优点，比如低封装电阻、低电压过冲等，能承受较高电流、寄生电感非常低。小型化，比常规的SOT-23和TO-252等更加贴合线路板，这样就能让设计的电子产品更加小型化。这种封装的产品在电源、充电器、电池管理系统和逆变器等产品中可以应用。
TOLL封装的产品是非常具有市场竞争力的，通常，TOLL封装产品对栅极驱动的信号源端子进行开尔文连接，从而减小封装中源极线的电感，提高MOSFET的开关速度，降低开关损耗。由于TOLL封装具有更小的体积和占板面积，可以节省PCB的应用空间，能降低产品的散热成本。低的封装电阻和寄生电感使得TOLL封装在应用中能够减少功率损耗，提高系统的整体效率。TOLL封装具备出色的散热性能和低的电流密度，避免了高电流和高温下可能导致的电迁移，从而提高了产品的可靠性。
正是因为TOLL封装特性优异，产品稳定可靠，其应用场景广泛。比如，TOLL封装的功率器件应用在电动车上非常适合，因为它的高功率密度、低损耗和高可靠性，可以发挥出电动车的动力控制系统强大性能，提升车辆的性能和续航能力。在锂电池保护电路中，TOLL封装的MOS管能够有效地控制电池的充放电过程，防止电池过充、过放和短路等异常情况，保护电池的安全和延长使用寿命。
还有，在数据中心和光伏系统中，TOLL封装的MOS管被用于功率调节和转换等关键环节，提高系统的整体效率和可靠性。在通信电源领域，TOLL封装MOS管以其高效率、低损耗和出色的散热性能，为通信设备提供稳定可靠的电源支持，确保通信系统的正常运行。
此外，TOLL封装的MOS管还可以广泛应用于电机控制、PD电源和电池保护等多个应用场景中。总之，TOLL封装技术具有卓越的性能和广泛的应用前景。
TOLL封装作为一种先进的功率器件封装技术，未来前景不可限量。TOLL封装以其紧凑的体积和高功率密度著称，这使得它在空间受限的应用场景中更具优势。随着电子产品向小型化、集成化方向发展，TOLL封装将满足更多高端应用的需求。低电阻、低电感助于减少功率损耗和提高系统效率，在高频、大功率应用中，这一优势尤为明显。
随着封装技术的不断进步，TOLL封装有望在材料、工艺和结构等方面实现更多创新。如采用更先进的烧结银焊接技术、Kelvin引脚封装等，将进一步提升TOLL封装的性能。产业链上下游企业之间的紧密合作和协同创新，未来，促进TOLL封装技术会不断进步和应用拓展，TOLL封装的分立器件和芯片会具有更强大竞争力。
此外，合科泰作为分立器件及芯片领域的专业企业，目前也有在研发相关技术，推出强大的TOLL封装的MOS管，为客户提供更具有市场竞争力的分立器件产品。
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
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合科泰电子NPN晶体管选型表
合科泰电子提供以下参数选型：集电极基极电压VCBO(V)：20~900V、集电极-发射极电压VCEO(V)：12~800V、集电极电流Ic(mA)：20~6000mA、放大倍数（最小）HFE（MIN）：10~10K、放大倍数（最大）HFE（MAX）：40~3200、耗散功率PD(mW)：100~2000mW等
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产品型号
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品类
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封装形式
|
沟道类型
|
集电极基极电压VCBO(V)
|
集电极-发射极电压VCEO(V)
|
发射极-基极电压VEBO(V)
|
集电极电流Ic(mA)
|
放大倍数（最小）HFE（MIN）
|
放大倍数（最大）HFE（MAX）
|
耗散功率PD(mW)
|
|
2SC1162
|
NPN晶体管
|
TO-126
|
NPN
|
35
|
35
|
5
|
2500
|
60
|
320
|
750
|
选型表 - 合科泰电子 立即选型
合科泰电子 P沟道MOSFET选型表
合科泰电子提供P沟道MOSFET以下参数选型，漏源电压-60V~-8V，连续漏极电流-60A~-0.13A
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产品型号
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品类
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封装形式
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沟道类型
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漏源电压 VDS(V)
|
栅源电压 VGS±(V)
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连续漏极电流 ID(A)
|
漏源导通电阻 RDS(ON)(Ω)
|
栅极阈值电压(最小) VGS(th)(V)
|
棚极阈值电压(最大) VGS(th)(V)
|
耗散功率 PD(mW)
|
|
9435
|
P沟道MOSFET
|
S0P-8
|
p
|
-30
|
-20
|
-5
|
0.053
|
-1
|
-3
|
2500
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选型表 - 合科泰电子 立即选型
合科泰电子MOS和整流器在吹风机产品上的应用：助力电路整流、开关和稳压，满足大功率需求
作为一种高频使用的电动产品，吹风机通常由电热丝、高转速小风扇以及电路板等组成。吹风机通常有金属型吹风机和塑料型吹风机，靠电动机驱动转子带动风叶旋转形成的离心气流吹出实现烘干和整形目的。本期，合科泰电子给大家介绍MOS和整流器在吹风机产品上的应用。
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合科泰电子PNP晶体管选型表
合科泰电子提供以下参数选型：集电极基极电压VCBO(V)：-400~-20V，集电极-发射极电压VCEO(V)：-400~-20V，集电极电流Ic(mA)：-6000~50mA，放大倍数（最小）HFE（MIN）：10~1000，放大倍数（最大）HFE（MAX）：50~1000，耗散功率PD(mW)：150~2000mW等
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产品型号
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品类
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封装形式
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沟道类型
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集电极基极电压VCBO(V)
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集电极-发射极电压VCEO(V)
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发射极-基极电压VEBO(V)
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集电极电流Ic(mA)
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放大倍数（最小）HFE（MIN）
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放大倍数（最大）HFE（MAX）
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耗散功率PD(mW)
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2SA1015
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PNP晶体管
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SOT-23
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PNP
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-50
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-50
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-5
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-150
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130
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400
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200
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选型表 - 合科泰电子 立即选型
回天光伏阻水密封方案助力解决光伏系统漏电短路，极端气候退化问题 ∣视频
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合科泰电子 N沟道 MOSFET选型表
合科泰电子提供N沟道MOSFET以下参数选型，漏源电压16V~100V，连续漏极电流0.1A~150A
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产品型号
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品类
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封装形式
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沟道类型
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漏源电压 VDS(V)
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栅源电压 VGS±(V)
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连续漏极电流 ID(A)
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漏源导通电阻 RDS(ON)(Ω)
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栅极阈值电压(最小) VGS(th)(V)
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棚极阈值电压(最大) VGS(th)(V)
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耗散功率 PD(mW)
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2N7002
|
N沟道MOSFET
|
SOT-23
|
N
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60
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20
|
0.115
|
5
|
1
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2.5
|
150
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