瑶芯微基于G2.5平台推出超结MOSFET,相比上一代栅电荷下降20%,Coss减小了40%

2024-09-10 瑶芯微电子公众号
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随着新能源、电动汽车、人工智能等产业蓬勃发展,一定程度上带动了功率器件尤其是超结(SJ)MOSFET的强劲需求。以瑶芯微为代表的国产半导体新锐品牌,顺势推出基于超级结多层外延技术的全新G2.5平台超结MOSFET。


瑶芯微基于G2.5平台推出两大电压等级(600V&650V)、多个封装系列的SJ MOSFET。其中采用TOLL封装的多款产品已实现量产,其紧凑的体积、较低的封装电阻和寄生电感、优秀的散热性能、高电流承载能力,可提高开关速度、降低成本,并能提高系统效率和可靠性等方面,在各种消费级、工业级和车规级功率电子场景中得到广泛应用。


G2.5平台SJ MOSFET相关特性

G2.5平台SJ MOSFET通过调节垂直PN结的浓度分布,充分利用超结结构的电荷平衡,同时优化终端结构,在满足击穿电压的同时极大降低了比导通电阻,使得在较小的TOLL封装里能容纳更小的电阻规格,满足应用设计人员对更高功率密度的需求,并且实现了优异的电学性能。


为了适应高频小型化应用场景,减小PCB寄生杂感带来的影响。G2.5平台SJ MOSFET优化栅极结构,降低输出电容,减小开关损耗,同时优化反向恢复能力,减小反向恢复带来的振荡。以Toll封装的AK3S60N355TMF(600V 35.5mΩ)为代表的SJ MOSFET,相比上一代栅电荷(QG)下降了20%,Coss减小了40%,关断时间(TOFF)减少了60%,大幅减小寄生参数带来的损耗,提升系统效率。


在高频高功率密度开关电源中,为了提高效率,通常采用零电压ZVS软开关技术(LLC、PSFB等)。由于新一代SJ MOSFET Coss的大幅减小,使得在ZVS软开关过程中,COSS电容的充放电时间更短,可缩短桥臂上下死区时间,减少额外的损耗。此外,采用Toll封装的新一代SJ MOSFET,通过额外的开尔文连接,不仅优化了外围电路的设计,而且不受源级寄生杂感的影响,减小了栅极振铃以及避免了环路相互干扰的问题,进一步提升了产品的稳定性。


SJ MOSFET相关参数

以AK3S60N355TMF为代表的新一代G2.5平台SJ MOSFET主要参数如图1所示。

AK3S60N355TMF品质因数FOM(导通电阻(RDS(on))和‌栅极电荷(‌Qg)的乘积,即FOM=RDS(on)xQg)性能如表1所示,与欧美一线厂商最新水平相当,采用稳健的多层外延技术,功率密度达到国际一流水准。

SJ MOSFET应用表现

在某公司2kW通信电源应用中,全桥LLC部分采用4颗AK3S60N355TMF,实测效率如下:

瑶芯微多层外延技术超结MOS系列产品,具有内阻低,抗冲击能力强,结电容低,可靠性高,品质稳定等特点。目前该系列产品已与众多客户合作,助力客户制造更优质电源。

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2023/9/27  - 虹美功率半导体  - 数据手册 代理服务 技术支持 批量订货

亚成微高雪崩高可靠性超结MOSFET在DJI大疆100W双USB-C口氮化镓桌面充电器的应用

大疆这款100W氮化镓充电器采用PFC+LLC+DC-DC的架构设计,PFC使用镓未来氮化镓功率芯片配合瑞能二极管整流,LLC采用亚成微RMD65R380SN MOS管组成半桥。滤波电容来自冠坤电子,输出使用两颗维安的低压MOS管用于同步整流,电源初级主控芯片和同步整流控制器均来自NXP恩智浦。

2024-06-07 -  应用方案

HMS11N70 650V超结MOSFET

描述- HMS11N70是一款650V Super-Junction MOSFET,具有低RDS(on)、低栅极电荷、快速开关和优异的雪崩特性。该器件提供极快的体二极管和强大的性能,适用于电信和电源供应。

型号- HMS11N70D XXXX,HMS11N70D,HMS11N70,HMS11N70Q XXXX,HMS11N70Q

2023/8/4  - 虹美功率半导体  - 数据手册 代理服务 技术支持 批量订货

亚成微电子(Reactor Microelectronics)高压超结MOSFET选型指南

目录- 公司简介    高压超结MOSFET   

型号- RMA65R1K0SN,RMG70R650SN,RME60R190SF,RMK70R280SN,RMK65R380SN,RME70R650SN,RMF60R090SF,RMA65R600BN,RMC65R1K0SN,RMC60R190SF,RMC70R1K0SN,RMG65R1K0SN,RMC70R380SN,RMC70R650SN,RME65R380SN,RMD65R380SN,RMA70R650SN,RMC65R380SN,RME70R380SN,RMA65R650SN,RME65R280SN,RMC70R280SN,RMA65R380SN,RMG65R600BN,RC10R600H,RMG70R1K0SN,RME70R280SN,RMA70R380SN,RMC65R280SN,RMC65R650SN,RMD65R650SN,RMD65R280SN,RMXXXRXXX,RME65R650SN,RMC65R600BN,RMA65R280SN,RMK65R280SN,RMD120N08S,RMA70R1K0SN,RMF65R041SF,RMK70R380SN,RMA70R280SN,RMG65R650SN,RMD070N10S

2022/8/3  - 亚成微电子  - 选型指南  - V1.3 代理服务 技术支持 批量订货

【选型】全桥式电源应用上的超结MOSFET如何选型?

全桥式电源比半桥电路提供更高效率,所以它们主要用于大功率应用(超过1kW)。在一些要求输出功率较高的领域,全桥式开关电源变换技术占有者十分重要的地位。本文介绍全桥式电源的超结功率MOSFET如何选型,并以3kW DCDC产品为例推荐无锡紫光微TPW65R100MFD。

2020-03-02 -  器件选型 代理服务 技术支持 批量订货
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