FORESEE 2xnm SLC NAND Flash以先进制程工艺迎接WiFi7时代
随着消费者对电子产品耐用性和性能的期望日益增长,市场上对元器件的选择标准也在不断提高。在众多关键组件中,NAND Flash因其在数据存储和处理速度上的核心作用,成为了厂商们尤为重视的焦点。在这一背景下,NAND Flash不仅需要满足基本的存储需求,更要在性能、可靠性以及耐用性上达到更高的标准。客户期望的不再仅仅是"够用",而是"超越期望"。
近日,在ELEXCON2024深圳国际电子展上,江波龙首次提出了PTM(存储产品技术制造)商业模式。该模式的核心在于整合公司的自研存储芯片、固件、硬件和先进封测制造技术,实现更灵活、更高效的全栈式定制化服务和一站式交付。
同时,江波龙还正式公布了自研的2xnm SLC NAND Flash系列产品,以创新技术满足市场对高性能、高可靠性的闪存需求,为PTM商业模式下的自研存储芯片注入了新动力。
全新制程工艺 业界领先性能
新一代的FORESEE SLC NAND Flash在技术层面实现了重大突破。产品采用2xnm工艺,不仅实现了业界领先的166MHz工作频率,而且在电路设计上进行了创新,有效降低了噪声干扰,实现数据的快速读写。在性能及容量不断提升的同时,各应用场景对于可靠性和微型化的要求并未降低。工程师团队针对不同SoC方案,通过高精度电路和改进的读写算法,集成了具有更强纠错能力的片上ECC引擎。在保持小尺寸的基础上,FORESEE SLC NAND Flash具备更卓越的数据保持能力和擦写耐用性。
经过江波龙全面的测试流程验证,该产品能够满足10万次擦写性能和10年数据保持时间的严苛要求。
自研Flash芯片 探索多元选择
FORESEE 2xnm SLC NAND Flash系列提供SPI(x1/x2/x4)和PPI(x8)两种主流接口选项,并提供2Gb、4Gb和8Gb等多种容量选择,支持-40~85℃至-40~105℃的宽温工作环境,确保在极端环境下也能稳定运行。此外,WSON8、TSOP 48、BGA 48和BGA 63的多样化封装形式,为不同应用场景提供了灵活的集成设计方案。该款产品广泛应用于xPON、WiFi路由器、IPC、MIFI和CPE等市场,为智能设备提供了强大的数据存储支持。
迎接WiFi7时代 定制客户未来所需
以无线路由器设备为例,当前WiFi5&6使用的主流闪存容量为1Gbit甚至容量更小的128Mbit,但随着WiFi7路由器、FTTR等高性能设备逐渐开始商用,需要使用2Gbit SLC NAND Flash才能够满足其系统要求。同时,当前主流的SPI NAND Flash主频规格为120MHz,未来随着AI及边缘计算的规模化发展,133MHz和166MHz的更高主频规格将有望成为市场“新宠”。
FORESEE团队深刻理解客户需求,为了满足市场对读取性能的需求,FORESEE 2Gb SPI NAND Flash产品支持DTR模式,在不升频的情况下,支持时钟上升沿及下降沿接收地址信息并传送数据,并在Quad SPI模式下实现了数据吞吐量的显著提升。此外,团队通过不断优化芯片设计,产品还加入了内部cache的页数据搬移技术,极大提高了文件系统效率和关键数据的调用效率。
控制器与Flash设计+固件开发+封测制造
存储芯片完整垂直整合能力
通过在NAND Flash、主控芯片和封测制造能力的一系列布局,江波龙在技术、制程工艺、产能效率以及供应链管理等方面实现了质的飞跃,进一步提升在存储芯片领域的综合竞争力。从芯片设计到产品测试,再到规模化量产,江波龙已构建起存储芯片完整的垂直整合能力,为客户提供一站式存储产品技术制造的全栈定制服务。
未来,江波龙研发团队将不断深化SLC NAND Flash芯片设计能力,持续优化产品规格,增强SLC NAND Flash的易用性,为MLC NAND Flash的自主批量生产做好充分准备,以适应不断变化的市场需求。同时,公司将继续深入挖掘NAND Flash、DRAM、主控芯片的应用潜力,并融合前瞻性技术,寻求更先进的工艺节点来设计产品,从而加强产品线的协同效应,实现存储性能与成本效益的最优平衡,更好地服务全球客户。
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产品型号
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品类
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Density(Mb、Gb、GB、TB)
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Speed(MT/s、Gbps、MHz)
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Voltage (V)
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Memory
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Temp. Range (℃)
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Bus
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Interface
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Package
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Size (mm)
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FI4S26M016GSC3
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DDR4 DIMM
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16GB
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2666MT/s
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1.2V
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DDR4
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0℃ to 85℃
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64bits
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260pin
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69.6 x 30mm
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