【元件】 萨瑞微新推500-800V平面栅VDMOS，自有封装优势，雪崩耐量高， EMI兼容性好， 抗冲击能力强！
新品来袭 | 500V-800V平面栅VDMOS，自有封装优势，雪崩耐量高， EMI兼容性好， 抗冲击能力强！
平面栅VDMOS详细介绍
平面栅VDMOS（Vertical Double-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor）是一种特殊类型的MOSFET，主要用于功率电子应用。它结合了平面栅（Planar Gate）和垂直扩散技术，以提高功率处理能力和开关效率。
结构特点
垂直结构：
与传统平面MOSFET不同，VDMOS的主要特点是其垂直结构，即电流沿垂直方向流动。这种设计使得器件能处理更高的功率。
双重扩散（Double-Diffused）：
VDMOS的源极和漏极区域通过双重扩散工艺形成。这种工艺允许在较低的电压下获得较高的电流承载能力。
平面栅（Planar Gate）：
栅极结构与传统的平面MOSFET类似，使用一层氧化物隔离栅极与半导体之间的直接接触。平面栅设计有助于控制沟道的导电性。
沟道（Channel）：
栅极施加电压时，会在源极和漏极之间的半导体材料表面形成一个沟道，这个沟道是垂直于平面栅的。
工作原理
开关特性：
当栅极电压高于阈值电压时，VDMOS形成导电沟道，允许电流从源极流向漏极。垂直结构使其在高电压下仍能保持高开关效率。
功率处理：
由于其垂直结构，VDMOS能够承受较高的电压和电流，适用于高功率应用，如电源管理和电动汽车驱动系统。
萨瑞产品优势
产品概述及特点
萨瑞微提供500V-800V 平面栅VDMOS 。产品采用业界优良的平面技术、独特的器件设计，并结合萨瑞自有封装优势，雪崩耐量高， EMI兼容性好， 抗冲击能力强。
产品应用领域
应用于开关电源、照明、充电器、适配器、 DC-DC、吹风机等。
产品选型
应用拓扑图及应用案例
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