艾创微组织召开2024年第一次SiC汽车芯片标准专委会标准起草活动

时间： 2024-09-12 来源：合肥艾创微电子科技有限公司公众号

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电动汽车用碳化硅场效应晶体管,SiC汽车芯片,SiC MOSFET功率芯片,功率器件芯片

随着我国新能源汽车渗透率逐年上升，电动化、网联V2X、智能驾驶等技术的快速发展，电子电器系统更加复杂，对功率器件芯片提出了更高要求。SiC MOSFET功率芯片在各项性能表现上有着独特的优越性，应用前景广泛，但此领域的技术发展和国家标准制定相对滞后，标准制定刻不容缓。

9月10日，由中国汽车工业协会标准法规工作委员会汽车芯片标准专业委员会(简称“汽车芯片标准专委会”)秘书处单位国家新能源汽车技术创新中心(简称“国创中心”)主办、合肥艾创微电子科技有限公司(简称“艾创微”)承办的《电动汽车用碳化硅场效应晶体管可靠性要求及试验方法》标准起草组启动会暨第一次标准研讨会在安徽合肥顺利召开。来自全国各地的近二十名专家学者、企业代表共同出席会议。

专委会秘书长吴倩致辞。她指出，随着新能源汽车产业的迅速崛起，对于关键部件——碳化硅场效应晶体管的需求日益增长，建立完善的可靠性标准尤为重要。希望通过此次标准研讨会，能够凝聚各方共识，为碳化硅场效应晶体管可靠性标准的制定奠定坚实基础。

艾创微董事长助理兼副总经理郑满莹致辞。她表示此次标准研讨会意义非凡，它标志着行业发展朝着更加规范、统一的技术标准迈出了坚实的一步。艾创微高度重视起草工作，将携手各位专家，共同制定一套适应当前发展趋势并且能够引领未来进步方向的标准。

艾创微研发部张经理作《碳化硅可靠性标准项目研究情况介绍》报告，他强调，本次标准的制定，对促进碳化硅材料应用、促进汽车行业芯片标准化、推动新能源汽车发展等方面具有深远意义。

为保证标准的科学性与合理性，标准起草组先后就碳化硅可靠性标准框架、标准草案初稿及技术难点等问题进行深入、细致地讨论和交流，为进一步修改完善标准提供有力支撑。

标准研讨会还明确了未来工作计划及目标，下一步，起草组将根据会议讨论的意见进行标准草案的修订和完善。同时，也将继续加强与产业链上下游的沟通合作，确保标准能够得到广泛认可和有效实施。

参会成员共同参观艾创微展厅及实验室。

此次标准研讨会的召开，为行业提供交流合作的平台，对于规范市场竞争，增强我国在电动汽车关键零部件领域的核心竞争力具有重要作用。未来，艾创微将继续以高标准引领高质量发展，不断加强与起草组全体成员的沟通与协作，助力科技成果转化，为国产芯片产业发展注入强劲动力。

联合起草单位

合肥艾创微电子科技有限公司

国家新能源汽车技术创新中心

广电计量检测集团股份有限公司

重庆长安汽车股份有限公司

北京车和家汽车科技有限公司

上海积塔半导体有限公司

上海贝岭股份有限公司(华大半导体)

北汽福田汽车股份有限公司

博世华域转向系统有限公司

北京微电子技术研究所

北京东土科技股份有限公司

中国电子科技集团公司第五十五研究所

飞锃半导体有限公司

北京国联万众半导体科技有限公司

中汽创智科技有限公司

辽宁工业大学

上海机动车检测认证技术研究中心有限公司

中国汽车工程研究院股份有限公司

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2024/7/30 - 中电国基南方 - 选型指南代理服务技术支持现货查询批量订货

终于有人把碳化硅（SiC）是什么，有哪些用途和优势说明白了

碳化硅，也称为 SiC，是一种半导体基础材料，由纯硅和纯碳组成。可以在 SiC 中掺入氮或磷来形成 n 型半导体，或者掺入铍、硼、铝或镓来形成 p 型半导体。尽管存在许多种类和纯度的碳化硅，但半导体级质量的碳化硅仅在最近几十年才出现。

2024-08-15 - 技术探讨代理服务技术支持现货查询批量订货

【元件】瑞之辰推出首款SiC MOSFET PIM模块，可替代硅基IGBT芯片的模块，系统损耗降低三分之一

又有一家国内企业在车规级SiC技术的研发和应用方面实现了新的突破。深圳市瑞之辰科技有限公司推出了首款基于SiC MOSFET技术的PIM模块，实现了对硅基IGBT芯片的模块替代，在系统损耗方面降低了三分之一。与此同时，这款产品在技术上突破传统PIM模块灌封封装模式，模块体积减少约57％，而且使用了瑞之辰自主研发的10项工艺创新，模块可靠性得到大幅提升，非常适用于新能源汽车、充电桩、储能等新兴领域。

2024-11-01 - 产品代理服务技术支持现货查询批量订货

瞻芯电子（InventChip）碳化硅（SiC）功率器件/驱动与控制芯片选型指南

目录- 公司介绍产品应用产品概览 SiC Devices 产品概览驱动与控制芯片碳化硅（SiC）MOSFET 产品目录碳化硅金属氧化物场效应晶体管系列产品碳化硅（SiC）肖特基二极管产品目录碳化硅肖特基二极管系列产品碳化硅功率模块系列产品栅极驱动芯片系列产品图腾柱 PFC 控制芯片系列产品产品可靠性测试规范

型号- IV2Q12040BD,IV1B12009HA2L,IV1D12030BD,IV2Q07014T4Z,IV1Q12050D7Z,IVST12017MA1L,IV2Q12100BD,IV1Q12017T4ZG,IV1Q12160T4Z,IVST12080DA1L,IVCR2405DR,IV2Q12040T4Z,IV1D06020BD,IVCR1412SR,IV2Q12013T6Z,IV2Q06060BD,IV1Q12080T3Z,IV2Q171R0BD,IVCO1A01DQR,IV1Q12750T3,IV2Q12030D7Z,IV1D12015BD,IV2Q07014BA,IV2Q07014BD,IV2Q12160T4Z,IV1D06006F5,IVCO1A01DR,IV1B12013HA1L,IVSM12040HA2Z,IVSM07060HA2Z,IV2Q12200T4Z,IV2Q06060L1,IV1D06010O2,IVCO1A02DWR,IV1Q12030BDG,IV1Q12080T4Z,IV1Q12750BD,IV2Q171R0T3,IVCC1102DR,IV1Q06060BDG,IV2Q12040K1Z,IV1D06020T2,IV3D12060U3,IV1Q12050T3,IV1D12020T2,IV1Q12050T4,IV1Q12080BD,IVST12050SA1L,IVCR2504DR,IV1Q12017BDG,IV1D06006BD,IV1D06004O2,IV1D12020T3,IV1Q06060D7G,IV2Q12160BD,IVCR2402DR,IV2Q12160D7Z,IV2Q06040BD,IV2Q12017BD,IV1D12040U3Z,IV2B12003HA2L,IVCO1A02DWQR,IVCR1801ASR,IV1D06020U3Z,IV1Q06040T4Z,IV2Q12017BA,IV3D12030U3,IV1Q06060T4ZG,IV2Q12013BD,IV2Q12013BA,IV1D12010O2,IVCC1102F4AR,IVCO1412DDWQR,IVST12040DA1L,IV1D06010T2,IVCR1401DR,IV1Q12080T3,IV1D12020BD,IV1D12040U3,IV1D06004P3,IV1Q12080T4,IV3D12015T2,IV2Q12080D7Z,IVCR2404MPQR,IV2Q06025BD,IVTM12080TA1Z,IV2Q06040L1,IV2Q17020T4Z,IV2Q20045BD,IV3B20023BA2,IV3D12030T2,IV2D12002BD,IVCO1A02DQR,IV1D12005BD,IVCC1104F4AR,IV2Q06025T4Z,IV2Q06040T4Z,IV2Q06060O3Z,IV1Q06060T4G,IV1D12040T2,IV2Q12100D7Z,IV2Q171R0D7Z,IV2Q06025L1,IVST12050MA1L,IVST12160DA1L,IVCR2403DR,IV1Q06040BD,IV1Q12160T3,IV1Q12160T4,IV1B12025HC1L,IV1Q12017BAG,IV2Q12200D7Z,IV2Q20045T4,IV2D12020T2,IV2Q12200BD,IV2Q06060T4Z,IV2Q12030T4Z,IV2Q12040D7Z,IV2D12020BD,IV1D12040BD,IV6212004HA2,IV1Q06060T3G,IVCR1407ASR,IV1Q12050BD,IV1Q12017T4G,IV1D12010T2,VSM12080HA2Z,IVCR1402DPQR,IV1D06004F5,IV2B12006HA1L,IVCO1411DDWQR,IV1Q06040T4,IV1Q06040T3,IV1D06010BD,IV1Q12160BD,IV1Q12750O3,IV1Q06040L1,IV1Q12160D7Z,IVCC1104DR,IV2Q12080BD,IV2Q175S0BD,IV2Q06025D7Z,IV6212004HB2,IVSM06025HA2Z,IVST12017SA1L,IV1D12030U3,IV1D20020T2,IV1D06004BD,IV1D06006O2,IV2D12020D2Z,IV2Q06040D7Z,IV2Q12017T4Z,IVCR2404DR,IV2Q06060D7Z,IVCO1A01DWR,IV1Q12030T4G,IV2Q17020BD,IV3D12020T2,IV1D12010BD,IV2D12002P2,IV2Q12030BD,IVST12120DA1L,IV2Q12080T4Z,IV1D06020U3,IVCO1A01DWQR,IV1D12030T2,IVHD122M1TA2Z,IVCO1A02DR,IV1D06006P3,IV1Q12050T4Z,IVCR2404MPR,IV1D12010P2Z,IV2Q12100T4Z,IVCR1401DPR,IV1Q06060L1G,IV2Q12080K1Z,IV1Q12080D7Z,IV2Q171S0BD,IV1D12015T2,IV1D20020BD,IV2D12002O2,IVSM12160HA2Z,IV1D12005O2,IV2Q171S0S1

March 2024 - 瞻芯电子 - 选型指南代理服务技术支持现货查询批量订货

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高压快充推动碳化硅SiC器件产业化：新能源汽车市场趋势与技术革新

随着全球新能源汽车市场的蓬勃发展，高压快充技术作为新能源汽车补能的主要解决方案，正逐步成为市场主流。凭借多年来在磁性元器件领域中积累的研发技术、生产经验，铭普已形成PFC电感、共模电感、电源变压器、PLC变压器和塑封逆变电感等系列产品矩阵且积极与碳化硅芯片公司合作。

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爱仕特1200V 12mΩ SiC MOSFET已量产并批量出货，兼具超低导通和超快开关特性

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2022-12-05 - 原厂动态代理服务技术支持现货查询批量订货

【元件】阿基米德半导体推出单面水冷塑封SiC模块，全面迎接电动汽车800V高压平台时代的到来

针对高端电动车的系统需求，阿基米德半导体重点推出了电流密度更高、满足800V高压平台的ACD模块（单面水冷塑封SiC模块）。该模块融合了尖端技术，内置先进的SiC芯片，采用有压型银烧结互连工艺和Cu Clip键合技术，确保了卓越的电气连接性能和热管理。使用的Si3N4 AMB陶瓷基板不仅增强了机械强度和热导性，还提高了整体的耐用性和可靠性。