MSG120T65HQC1:麦思浦高性能IGBT,在120A时具有1.8V低集电极-发射极饱和电压

2024-09-13 MASPOWER官网
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麦思浦半导体推出新产品MSG120T65HQC1,这是一款专为高效高功率应用而设计的尖端绝缘栅双极晶体管IGBT)。MSG120T65HQC1凭借其卓越的性能特性和稳健的设计,在电力电子行业树立了新的标杆。


特点和优点:

卓越的性能参数

MSG120T65HQC1在120A时具有1.8V的低集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)),可确保高速开关和卓越的系统效率。其紧凑的参数分布确保了在不同操作条件下性能的一致性,使其成为高要求应用的理想选择。

高电流处理能力

MSG120T65HQC1在25℃时的连续集电极电流额定值为180A,在100℃时为120A,非常适合大电流应用。其脉冲集电极电流能力高达360A,二极管最大正向电流为480A,进一步增强了其通用性和可靠性。


软电流关断波形

该设备具有软电流关断波形,可减少电磁干扰(EMI)并提高整体系统性能。这使其成为噪声敏感应用的绝佳选择。


宽工作温度范围

工作和储存温度范围为-55℃至+175℃,可确保在极端环境中的可靠性能。用于焊接的最高引线温度为300℃,便于轻松安全地安装。


高效切换特性

MSG120T65HQC1具有低开关损耗,导通损耗(Eon)高达1.2mJ,关断损耗(Eoff)高达2mJ。这转化为系统效率的提高和热量的减少。


MSG120T65HQC1采用TO-247Plus封装,具有出色的热性能和机械稳定性。其低热阻值可确保高效散热,将设备温度保持在安全工作范围内。


应用:

MSG120T65HQC1非常适合各种应用,包括但不限于:
●HEV/EV牵引逆变器:其高电流处理能力和低VCE(sat)使其成为电动汽车牵引逆变器和混合动力电动汽车牵引逆变器的绝佳选择。
●辅助DC/AC转换器和UPS系统:该设备高效可靠的开关特性使其非常适合辅助转换器和不间断电源(UPS)。
●电机驱动器:其坚固的设计和卓越的性能参数使MSG120T65HQC1成为电机驱动器的理想解决方案,提高了效率并降低了运营成本。
●其他软开关应用:该设备的软开关功能使其适用于各种对噪声敏感和高性能的应用。


结论:

麦思浦半导体的MSG120T65HQC1凭借其卓越的性能、高效率和坚固的设计,成为电力电子行业的游戏规则改变者。这种IGBT解决方案非常适合各种高功率和高要求的应用,有望彻底改变我们对功率转换的看法。

麦思浦半导体致力于为客户提供市场上最先进、最可靠的半导体器件。

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
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30P300PJ,LSIC1MO120E0040,S0700KC14Y,IXFK 220N15P,MCC 26-16IO1B,IXGK 55N120A3H1,DSA 1

选型指南  -  LITTELFUSE  - 2021/06/01 PDF 英文 下载

不得不说的电力电子系统中IGBT保护者之吸收电容

在电力电子系统中,IGBT常常是主要的开关器件,IGBT损坏,可能会导致相当大的经济损失,为了抑制尖峰电压,除了在IGBT驱动器上采用一定的措施如有源钳位等进行电压钳位外,还需要在直流母线两端添加吸收电容,吸收掉尖峰电压。

设计经验    发布时间 : 2016-06-19

【产品】1200V/100A七管封装功率IGBT模块,采用英飞凌第四代IGBT芯片技术

flow7PACK 2是Vincotech推出的一款具有优异电磁兼容性能,采用低电感flow 2封装的功率模块。

新产品    发布时间 : 2017-09-27

不带铜底板IGBT功率模块的散热设计

不带铜底板的IGBT模块已经成为模块封装发展的一个趋势,本文通过大量仿真及实验数据,介绍了Vincotech公司推出的预涂高性能导热硅脂服务对模块散热的改善效果。

设计经验    发布时间 : 2016-04-15

银河微电子携MOSFET、IGBT、光电耦合器等最新产品亮相2024深圳PCIM Asia展

2024年8月28日至30日,在深圳国际会展中心(宝安新馆)隆重举行的PCIM Asia展会已经完美收官。在这三天的盛会中,银河人见证了电力电子领域最前沿的技术,也带来了公司最新的产品和解决方案,并与众多行业专家、客户、供应商伙伴们进行了深入的交流。

厂牌及品类    发布时间 : 2024-09-10

【产品】高速三相NPC拓扑IGBT, NPC效率高达99%

Vincotech发布了一款高速高效能三相NPC,该款三相NPC相比于其他同类产品,可将NPC效率提高至99%(16kHz)和 98.8%(32kHz)。

新产品    发布时间 : 2016-05-10

捷捷微电(JieJie Microelectronics)IGBT/SIC功率器件选型指南

目录- IGBT    SiC   

型号- JJE75N120HAL,JJM80N120ADC,JJE6N65STP,JJE40N120SEP,JJE75N65HEL1,JJM25N120ADC,JJA20N65SC,JJE10N65SCP,JJM40N120ADC,JJE60N65HEL1,JJA20N65SE,JJE40N120HEL,JJE75N65HCL,JJE75N65HEL,JJE40N65HEP,JJE50N65HEP,JJA20N65SS,JJE10N65SSP,JJE60N65HEL,JJE40N65HEL,JJE50N65HEL

选型指南  -  捷捷微电  - 2023/6/27 PDF 中文 下载

【应用】IGBT功率模块在充电设备上的应用

半导体材料在当前的电池充电应用中扮演着越来越重要的角色,Vincotech公司开发了一系列针对这种应用的全功率范围的功率模块,该模块设计大大节省了PCB板的面积。

新应用    发布时间 : 2016-03-02

阿基米德半导体三电平IGBT模块成功中标许继电气电力电子SVG/PCS等项目

近日,阿基米德半导体ACF-2 650V 300A 三电平IGBT模块成功中标许继电气电力电子SVG,储能PCS等项目,本次中标预示着阿基米德半导体的三电平IGBT模块产品性能媲美国际大厂,在光储充市场获得越来越多客户的认可并被选用。

厂牌及品类    发布时间 : 2024-03-12

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