华太产品超级结IGBT产品与应用解读
引言
随着光伏与储能系统的快速发展，新能源市场对效率和功率密度的要求越来越高，这要求功率器件的开关频率和性能同步提升。为了满足高开关频率的需求，华太电子在超结IGBT一代的基础上研发出650V和1200V的超级结IGBT第二代（以下简称：SJ-IGBT G2）系列产品。与场截止型IGBT相比，SJ-IGBT G2充分发挥了超级结的优势，显著提升了器件的正向导通能力和开关特性。
01 SJ-IGBT G2技术特点
采用超级结IGBT可完美实现高耐压、低通态压降的特性。在功率器件关断时，低掺杂的外延层要承受高耐压；在功率器件导通时，器件内部形成一个高掺杂N+区，作为功率器件的电流通路。
相比于传统FS IGBT，SJ-IGBT G2有如下优势：
低导通压降：在同样的反向耐压下，SJ-IGBT G2具有更薄的漂移区，可有效降低芯片导通压降。
低开关损耗：漂移区的超级结结构能够加速空间电场建立速度，有效提升器件开关速度，降低开关损耗。
高转换效率：华太SJ-IGBT G2与国际友商最新第七代IGBT相比，综合性能提升40%以上，使得设备体积更小，成本更低。
02 SJ-IGBT G2性能展示
SJ-IGBT G2分为高性能(HP)和高性价比(HF)系列：
SJ-IGBT G2 HP系列拥有极低的开关损耗，可以支持硬开关频率到100kHZ，软开关频率到250kHZ，主打高频应用场景。
SJ-IGBT G2 HF系列与国际友商H7系列的产品性能相当，芯片面积降低10%以上，主打高性价比。
在单体和整机应用中SJ-IGBT G2与友商的性能对比:
单体性能展示
整机性能展示
1.SJ-IGBT G2 HF系列在充电桩PFC电路中替代原有IGBT测试
40kW PFC替代测试结论
2.SJ-IGBT G2 HP系列在充电桩LLC电路中替代超结MOS测试
03 SJ-IGBT G2适合的应用
04 SJ-IGBT 产品概览
SJ-IGBT G2产品列表
SJ-IGBT G1产品列表
结语
由于SJ-IGBT第二代具有高开关频率、低导通损耗和成本优势，目前SJ-IGBT系列产品已在光伏、储能等领域实现了大规模应用。该产品逐渐形成系列化，公司在全国多个核心城市，如苏州、北京、上海、深圳和西安设立了办事处，为全国客户提供优质服务。欢迎广大客户前来咨询与合作。
关于华太
苏州华太电子技术股份有限公司（简称：华太），成立于2010年3月，是一家拥有半导体产业链多环节底层核心技术、多领域布局协同发展的平台型半导体公司。公司主要从事射频系列产品、功率系列产品、专用模拟芯片、工控SoC芯片、高端散热材料的研发、生产与销售，并提供大功率封测业务，产品可广泛应用于通信基站、光伏发电与储能、半导体装备、智能终端、新能源汽车、工业控制等大功率场景。
我们的团队精通器件设计、工艺开发、功放设计、大信号模型开发、单片微波集成电路设计、封装设计、可靠性测试和量产。未来，华太将继续培育新兴技术，为全球客户提供创新解决方案。
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
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型号- HM01N100PR,HMS320N04D,HM35SDN03D,HM4616D,HM3400KR,HM603K,HMS310N85,HMS11N70Q,HMS135N10,HM3N40R,HMS320N04G,HM2818D,HMG20N65F,HM1N50MR,BSS84DW,HMG20N65D,HMC8N120,HM4615Q,HMS100N20,HM2302BSR,HM1N60RPR,HM30SDN02D,HM8205,HM2819D,HM06DP10Q,HM4889,HMS100N15,HM35DN03D,HMG40N65FT,HM4616Q,HMC5N120,HM3N40PR,HMC10N65,BSS138KR,HM605K,HMS10N80F,HMC20N120D,HM4618D,HM3N30R,HM2301BWKR,HMS15N70Q,HMS10N80K,HM05P35MR,HM10DP06D,HMC4N65,HMC2N120K,HM2N50R,HMS30DN08D,HM4N10D,HMS135N85K,HMS135N85G,HMS5N90R2,HMC15N6D,HM2809D,HMC6N65K,HM8810E,HM8810D,HM4618Q,HM8810Q,HMS100N20D,HMC6N65Q,HM1P15MR,HMC15N65,HM2N25MR,HM607K,HMS5N80F,HM3N150F,HM3N150A,HMS80N25,HMS5N80K,HM2301BSR,HMS5N80,HMS5N80I,HMS120N10G,HMS260N10D,HM8205D,HMS320N04,HMS120N10D,HMS120N10K,HMS20N80,HMS5N80R,HM40N120AT,HMC5N120K,HMC4N65K,HM2P15R,HM3N30PR,HM10SDN06D,HMG40N65AT,HMS80N10,HMC20N65D,HM25P15K,HM3N100,HMS80N85K,HMC20N65,HM20SDN04Q,HM10SDN06Q,HMS80N85G,HM2N65R,HM4640D,HMG75N65AT,HMS15N65Q,HMC10N65Q,HM609K,HMC8N65,HMS85N10,HMS80N85D,HMS5N90R,HM40DN04K,HM3800D,BSS84SR,HM2302BWKR,HM9926,HMS120N10,HMS11N65Q,HM2301KR,HM2N65PR,HM6P15K,HM7002KDW,HM5N50R,HM02P30R,HM0565MR,HM8205A,HM4884Q,HMS310N85LL,HMS15N80,HM3N120,HMC2N120,HMS330N06,HMC10N65K,HM4630D,HMS330N06D,HM02P30PR,HM09P12D,HM4620D,HM10DN06D,HMS10DN08Q,HM1N70PR,HM10DN06Q,HMS5N70R2,HMC2N65,HM5P15D,HM2302BKR,HM08DN10D,HMS320N04LL,HMS10N80,HM2810D,HM25SDN03Q,HMN9N65Q,HMS135N85,HM4P10D,HM2302KR,BSS84KR,HMN9N65D,HM4489,HMN11N65D,HM2N50PR,HM2302BJR,HM3N25R,HM4922,HM4923,HM40N120FT,HM4920,HM3400DR,HM4926,HM4924,HM4N60R,HM2310DR,HMS310N85D,HMS260N10LL,HMS20N80T,HMS135N10K,HM4622D,HM3N100F,HM18DP03Q,BSS138SR,HM3N100D,HM8N100A,HM07DP10D,HMS80N25D,HM3DN10D,HMS20N80D,HMS100N15D,HM3N150,HM18DP03D,HMS20N80F,HM8N100F,HM18SDN04D,HMS5N70R,HM2800D,HMC8N65K,HM20DN04Q,HMC8N120K,HMC8N65Q,HM2300DR,HMS100N85,HM5N30R,HM4611D,HM1N60R,HMS260N10,HM20DN04D,HMC15N6T2,HM25N120FT,HM30DN02D,HM6604BWKR,HM40SDN02Q,HMS135N10G,HMG20N65,HMS135N10D,HMC20N120T2,HMS120N85K,HM4P15Q,HM4611Q,HM2309DR,HM4N65R,HM16P12D,HMS80N10K,HMS80N10G,HM2301BJR,BSS138DW,HMS135N85D,HM2301DR,HMS15N80F,HMC6N65,HMS15N80D,HMS100N85D,HMS100N85G,HMS100N85K,HM610K,HM2319D,HMS5N65R,HM10SDN10D,HMS80N10D,HMS7N80F,HM1N70R,HMS7N80K,HM2P15PR,HM7002KR,HMS7N80I,HMS120N85D,HMS5N65R2,HM08SDN10Q,HM2803D,HMS120N85G,HMS120N85,HMC2N65K,HM3801DR,HMS10DN10Q,HMS80N85,HM2318D,HMS5N80R2,HM3N120F,HMS7N80,HM3N120A,HM2N70R,HMS85N10K,HMS85N10G,HM2302DR,HMS13N65Q,HM12DP04Q,HMS85N10D,HM4615D,HM20DN06KA,HM2305D,HM11P20K,HMC20N120,HMS330N06LL,HM5N30PR,HM2301BKR,HM3401DR,HMC20N65T2
虹美功率半导体MOS管特色产品介绍
型号- HM01N100PR,HMS320N04D,HM35SDN03D,HM4616D,HM3400KR,HM603K,HMS310N85,HMS11N70Q,HMS135N10,HM3N40R,HMS320N04G,HM2818D,HM1N50MR,BSS84DW,HM4615Q,HMS100N20,HM2302BSR,HM30SDN02D,HM2819D,HM06DP10Q,HMS100N15,HM4889,HM35DN03D,HM4616Q,HM3N40PR,BSS138KR,HM605K,HMS10N80F,HM3N30R,HM4618D,HM2301BWKR,HMS15N70Q,HMS10N80K,HM05P35MR,HM10DP06D,HM2N50R,HMS30DN08D,HM4N10D,HMS135N85K,HMS135N85G,HMS5N90R2,HM2809D,HM4618Q,HMS100N20D,HM1P15MR,HM2N25MR,HM607K,HMS5N80F,HM3N150F,HM3N150A,HMS80N25,HMS5N80K,HM2301BSR,HMS5N80,HMS5N80I,HMS120N10G,HMS260N10D,HMS320N04,HMS120N10D,HMS120N10K,HMS20N80,HMS5N80R,HM2P15R,HM3N30PR,HM10SDN06D,HMS80N10,HM3N100,HM25P15K,HMS80N85K,HM20SDN04Q,HM10SDN06Q,HMS80N85G,HM2N65R,HM4640D,HMS15N65Q,HM609K,HMS85N10,HMS80N85D,HMS5N90R,HM40DN04K,HM3800D,BSS84SR,HM2302BWKR,HMS120N10,HMS11N65Q,HM2301KR,HM2N65PR,HM6P15K,HM7002KDW,HM5N50R,HM02P30R,HM0565MR,HM4884Q,HMS310N85LL,HMS15N80,HM3N120,HMS330N06,HM4630D,HMS330N06D,HM02P30PR,HM09P12D,HM4620D,HM10DN06D,HMS10DN08Q,HM1N70PR,HM10DN06Q,HMS5N70R2,HM5P15D,HM2302BKR,HMS320N04LL,HM08DN10D,HMS10N80,HM2810D,HM25SDN03Q,HMS135N85,HM4P10D,HM2302KR,BSS84KR,HM2N50PR,HM4489,HM2302BJR,HM3N25R,HM4922,HM4923,HM4920,HM3400DR,HM4926,HM4924,HMS310N85D,HM4N60R,HM2310DR,HMS260N10LL,HMS20N80T,HMS135N10K,HM4622D,HM3N100F,HM18DP03Q,BSS138SR,HM3N100D,HM8N100A,HMS80N25D,HM07DP10D,HMS20N80D,HM3DN10D,HMS100N15D,HM3N150,HM18DP03D,HMS20N80F,HM8N100F,HMS5N70R,HM18SDN04D,HM2800D,HM20DN04Q,HMS100N85,HM2300DR,HM5N30R,HM4611D,HM1N60R,HMS260N10,HM20DN04D,HM30DN02D,HM6604BWKR,HMS135N10G,HM40SDN02Q,HMS135N10D,HMS120N85K,HM4P15Q,HM4611Q,HM2309DR,HMS80N10K,HM4N65R,HM16P12D,HMS80N10G,HM2301BJR,HMS135N85D,BSS138DW,HMS15N80F,HM2301DR,HMS15N80D,HMS100N85D,HMS100N85G,HMS100N85K,HM1N60PR,HM610K,HM2319D,HMS5N65R,HM10SDN10D,HMS80N10D,HMS7N80F,HM1N70R,HMS7N80K,HM2P15PR,HMS7N80I,HM7002KR,HMS120N85D,HMS5N65R2,HM08SDN10Q,HMS120N85G,HM2803D,HMS120N85,HM3801DR,HMS10DN10Q,HMS80N85,HM2318D,HMS5N80R2,HM3N120F,HMS7N80,HM3N120A,HM2N70R,HMS85N10K,HMS85N10G,HM2302DR,HMS13N65Q,HM12DP04Q,HMS85N10D,HM4615D,HM20DN06KA,HM2305D,HM11P20K,HMS330N06LL,HM5N30PR,HM2301BKR,HM3401DR
华太邀您参与2024慕尼黑上海电子展，现场展示射频和功率器件、模拟芯片、SoC芯片以及封装材料等产品
慕尼黑上海电子展（electronicaChina）于2024年7月8日至10日在上海国际博览中心举办。苏州华太电子技术股份有限公司诚邀您参加慕尼黑上海电子展，为您展示射频器件、功率器件、模拟芯片、SoC芯片、封装材料等产品。
原厂动态 发布时间 : 2024-07-10
华太电子邀您参与功率半导体技术和应用创新峰会，将带来IGBT相关的产品介绍以及演讲议题
NEPCON China 2024（第三十二届中国国际电子生产设备暨微电子工业展）即将于2024年4月24-26日在上海世博展览馆拉开帷幕。本次华太电子将带来IGBT相关的产品介绍以及演讲议题，欢迎大家前来参与。
原厂动态 发布时间 : 2024-04-20
华盛昌提供逆变器、储能电源、光伏储能系统、新能源汽车充电桩等一站式家庭能源解决方案
华盛昌提供的家庭光伏储能解决方案，从逆变器、储能电源、光伏储能系统、新能源汽车充电桩，一站式解决家庭能源使用需求，实现能源自给自足，有效降低度电成本，让绿色电力走进千家万户。
原厂动态 发布时间 : 2023-08-01
回天光伏阻水密封方案助力解决光伏系统漏电短路，极端气候退化问题 ∣视频
雨水渗透造成光伏系统漏电短路，极端气候下光伏系统退化严重。要想滴水不漏，回天光伏阻水密封解决方案，了解一下。
应用方案 发布时间 : 2024-10-21
Eaton Bussmann（伊顿巴斯曼）储能系统用熔断器选型指南
描述- 储能系统（Energy Storage System，简称ESS）是一个可完成存储电能和供电的系统，具有平滑过渡、削峰填谷、调频调压等功能。由储能电池系统（BESS）、变流器系统（PCS）和电池管理系统及其它控制装置。熟知的电力类熔断器及开关类器件产品将主要应用于储能系统中的储能电池系统及变流器系统中。
型号- PV15M SERIES,ESP2D,ESS2,ESS3,BS88,ESS5,FWA,170M18,ESP SERIES,ESS2L-XXX-W,ESP1-600,FWP,ESS3 SERIES,ESS2 SERIES,CBMG SERIES,ESP,EVH SERIES,CBMG,ESS5 SERIES,ESS3-450,PV15M,ESP1,ESP2,ESP2D-850,170M7XXX,EVH,PV15M-450-HX,ESS2L-315-W
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