高耐压超结MOS场效应管LC65R600F,漏源导通电阻520mΩ,栅源电压±30V,TO-220F封装

2024-09-15 凌讯微电子官网
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凌讯微电子品牌LC65R600在TO-220F封装里采用的是1颗芯片,电性参数为7A650V的一款高耐压超结MOS管COOL MOS)。


LC65R600的漏源导通电阻(RDS On)为520mΩ,栅源电压(Vgs)为±30V,FET类型为N沟道,其最低工作温度为-50℃,最高工作温度为+150℃。共有3条引脚,2条线。超结MOSFET与传统的VDMOS相比,具有导通电阻低、开关速度快、芯片体积小、发热低的特点。


以上就是关于LC65R600 TO-220F超结MOS(COOL MOS)的介绍。


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型号- 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2023/11/7  - 凌讯微电子  - 选型指南 代理服务 技术支持 现货查询 批量订货

广东凌讯微电子有限公司用“芯”智造美好生活

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