SD NAND的UECC现象和原因
SD NAND的UECC
UECC（Uncorrectable Error Correction Code）则是一种错误纠正码，用于检测和纠正存储设备中的数据错误。
UECC的功能对SD NAND是非常重要的，MK-米客方德的SD NAND芯片都是带有UECC功能的。
UECC功能失效的原因
当芯片工作电压异常时就会导致UECC功能异常
一家做监测手机屏幕质量的用户，最近就出现UECC功能异常的现象，电路图如下：
在查找问题的原因过程中，我们检测到芯片的电源上下电异常
芯片的电压并不是瞬间降到0V，而是先降压到1.5V然后再缓慢下降，虽然SD协议没有对掉电时序有要求，但是却要求了上电时序，如下图：
在SD协议中，上电时序要求电压低于0.5V，1ms以上；上升到正常工作电压（2.7V-3.6V）时间在35ms内。
这个掉电先掉到1.5V然后再慢慢掉电，如果掉电没有没有完全掉下来就重新上电，是容易因为上电时序不符合要求而导致系统异常从而出现UECC fail，
解决方法
因此在电源设计中，SD NAND的上电时序一定要符合SD协议的规范，另外我们在电源电路设计中有一些经验分享给大家：
1、SD NAND的VCC滤波电容不宜过大或者过小，一般是建议接一个2.2μF电容
2、电源芯片建议用DCDC芯片，而且电流需要1A以上
3、电源走线要远离电感之类干扰强的器件
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由莫子若转载自MK-米客方德官网，原文标题为:SD NAND的UECC的现象和原因，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关推荐
详解SPI NAND、SD NAND和eMMC三种存储技术的主要区别
SPI NAND、SD NAND和eMMC是三种不同类型的嵌入式存储技术，它们各自具有独特的特点和应用场景。本文，MK-米客方德详细介绍了这三种存储技术的主要区别。
技术探讨 发布时间 : 2024-08-05
为什么NAND Flash需要进行坏块管理而NOR Flash不需要？
NOR Flash和NAND Flash是两种不同类型的闪存技术，它们在存储单元的连接方式、耐用性、坏块管理等方面存在差异。本文米客方德解析了NAND Flash的坏块管理步骤及原因，并介绍了SD NAND的坏块管理机制。
技术探讨 发布时间 : 2024-08-05
SD卡、MicroSD卡与SD NAND的全面对比分析
在当前丰富多元的存储解决方案领域，SD卡、MicroSD卡以及SD NAND凭借其各自的独特优势和特定的使用情景，赢得了市场的广泛认可。每种存储技术都展现了其独到之处，为用户带来了多样化的选择。接下来，MK米客方德将深入探讨这三种存储介质的性能、特点以及适用领域，提供一份详尽的对比分析报告。
技术探讨 发布时间 : 2024-07-15
千亿级市场的“真空地带”，MK米客方德打出了一片新天地
MK米客方德是一家专注于嵌入式存储的半导体企业，利用自身优势，针对创客群体开发出小型化、差异化的SD NAND、SPI NAND和eMMC。其SD NAND解决储存卡在嵌入式应用中的可靠性问题、加速产品上市时间和降低系统成本，符合SD Association标准协议，具有小尺寸封装和完全兼容的软硬件容量，参照了SPI NAND和eMMC的可靠性要求。
原厂动态 发布时间 : 2024-11-07
MK-米客方德存储卡选型表
MK-米客方德提供以下技术参数的存储卡选型，其中包含品类SD NAND FLASH、Micro SD Card、SD Card、eMMC，存储容量：128MB~128GB
|
产品型号
|
品类
|
存储容量
|
Flash类型
|
工作温度
|
时钟频率(fc)
|
工作电压
|
待机电流
|
接口类型
|
等级认证标准
|
湿敏等级
|
应用等级
|
|
MKDV1GIL-AST
|
SD NAND FLASH
|
1Gbit
|
SLC
|
-40℃~+85℃
|
50MHz
|
2.7V~3.6V
|
200uA
|
SD2.0
|
ROHS
|
LeveI3
|
工业级
|
选型表 - MK-米客方德 立即选型
世强硬创获米客方德授权，代理微型eMMC存储芯片面积仅为传统的43.5%
米客方德的产品包括嵌入式储存（NAND、SPI NAND、eMMC）、储存卡（Micro SD卡、SD卡）、SD NAND、SSD固态硬盘等。
签约新闻 发布时间 : 2024-10-14
MK迷你eMMC，面积仅为传统eMMC的43.5%，符合eMMC5.1协议，为智能穿戴设备而生
MK米客方德专为智能可穿戴设备研发了一款小尺寸eMMC芯片，符合eMMC5.1协议，支持HS400模式，在性能上有更好的保障。MK这款eMMC的标准尺寸仅为9mm x 7.5mm x 0.8mm，面积仅为传统eMMC的43.5%，容量为4GBytes和8GByte，对于需要短、小、轻、薄的便携式设备来说，无疑是更好的选择。
产品 发布时间 : 2024-07-11
SD NAND关于3.3V和1.8V之间的转换
SD NAND如何支持1.8V的MCU？SD NAND默认是3.3V的，有些MCU只支持1.8V，为了适配1.8V，SD NAND需要内部用命令把3.3V转换成1.8V。
设计经验 发布时间 : 2024-09-27
【IC】MK米客方德推出业界第一颗基于SLC开发的大容量SD NAND，容量覆盖128MB~8GByte
随着SD NAND产品应用的扩展和延伸，先前的6x8mm，最大8GByte的容量已逐步不能满足客户对存储容量的要求。在此背景下，MK 米客方德的大容量Nano SD NAND应运而生。因为MK的大容量SD NAND与Nano SIM卡尺寸相近（12mmx9mm），故命名Nano SD NAND，据悉，MK 米客方德的Nano SD NAND未来有望拓展到256GByte。
产品 发布时间 : 2024-06-28
【IC】MK米客方德新一代SD NAND AST系列，采用更低功耗设计，写入/擦除次数高达100000次
在这个数据驱动的时代，MK米客方德在工业存储领域不断突破，凭借卓越的产品和服务赢得了广泛的客户认可。我们自主研发的嵌入式存储芯片已实现规模化量产，而我们最新一代的工业级SD NAND—AST系列也已正式推出。
产品 发布时间 : 2024-07-04
SD NAND供电电源的重要性
本文介绍了SD NAND供电电源的重要性，希望对各位工程师朋友有所帮助。设计电源电路时，最好时选择DC-DC电源，LDO电源的供电能力不是很强，而且不是很稳定，容易出现问题，当不良现象是那种偶然性现象时，需要大量测试才会发现问题时，这个现象很可能是电源的问题导致的。
技术探讨 发布时间 : 2024-09-17
SPI NAND管理坏块烧脑？不存在的，MK米客方德发布带坏块管理的SPI NAND
Nor Flash是没有坏块的，不需要对坏块进行管理。而NAND Flash随着写入擦除动作的增加，会不断产生坏块，必须由Host端或Flash内部来管理，才能保证数据的完整性。MK米客方德提供带坏块管理的SPI NAND，简单、易用。
产品 发布时间 : 2024-07-12
【IC】MK米客方德推出新一代工业级SD NAND，更长寿命、更高速度、更优功耗
作为SD NAND领域的领跑者，MK-米客方德在工业存储上突破藩篱，产品及服务获得客户的广泛认可。MK初代工业级SD NAND发布至今，已经走过了八个年头，近期，MK-米客方德新一代工业级SD NAND全面推向市场。
产品 发布时间 : 2024-07-18
SD NAND焊盘脱落原因分析
SD NAND的焊盘并不会轻易脱落，在实际生产中总会有各种各样的原因导致芯片的焊盘发生脱落，下面让我们来分析一下焊盘脱落的原因。
技术探讨 发布时间 : 2024-09-15
电子商城
现货市场
服务
支持1拖1/1拖8/eMMC离线烧录，可烧录IC类型：UFS/UMCP/MCU/MPU/EPROM/EEPROM/FLASH/Nand Flash/PLD/CPLD/SD Card/TF Card/ CF Card/eMMC Card/eMMC/eMCP/MoviNand/OneNand等；IC包装Tray/Tube/Tape；提供免费10pcs样品试样。
最小起订量： 1 提交需求>
可烧录MCU/MPU，EPROM,EEPROM,FLASH,Nand Flash, PLD/CPLD,SD Card,TF Card, CF Card,eMMC Card,eMMC,MoviNand, OneNand等各类型IC,IC封装：DIP/SDIP/SOP/MSOP/QSOP/SSOP/TSOP/TSSOP/PLCC/QFP/QFN/MLP/MLF/BGA/CSP/SOT/DFN.
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论