SD NAND供电电源的重要性
下图是sd协议规定的上电规范,SD NAND的工作电压范围是2.7V-3.6V
电源供电需要注意一下几个方面:
1、为了确保芯片能正常上电复位,电压要在0.5V以下至少1ms;
2、电源上升的时候需要保持电源是稳定的、是持续上升的,上升到正常工作电压的时间是0.1ms-35ms;
3、主机关闭电源时,将卡的VDD降至0.5伏以下a最小周期为1ms。在断电期间,DAT, CMD和CLK应断开连接或驱动由主机到逻辑0,以避免工作电流通过信号线引出的情况。
电源供电能力
因为芯片读写时消耗的电流比较大,因此对电源的供电要求也不低,
例如MK-米客方德MKDV1GIL-AS工业级SD NAND的工作消耗电流如下图
电源的供电能力一定要满足SD卡的耗电需求
供电电源的选择和设计
设计电源电路时,最好时选择DC-DC电源,LDO电源的供电能力不是很强,而且不是很稳定,容易出现问题,当不良现象是那种偶然性现象时,需要大量测试才会发现问题时,这个现象很可能是电源的问题导致的。
例如应用在内窥镜、打猎相机和电池门铃方面,不良现象是拍照拍到几千张时就会出现问题;拍照存图片的应用电路如下:
经过分析发现,供电电路用的一个三极管,三极管的过电流能力比较小,当这个三极管被换成MOS管时,不良现象就没有再出现过,所以芯片的供电电路也是非常的重要的,在设计的供电电路设计中,不仅要保证供电的驱动能力足够,还需要保证供电的稳定性和电源纹波不能过大;而且电源设计时不能加EN这种使能引脚来控制电源,这种情况也容易出现问题。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由莫子若转载自MK-米客方德官网,原文标题为:SD NAND供电电源的重要性,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
详解SPI NAND、SD NAND和eMMC三种存储技术的主要区别
SPI NAND、SD NAND和eMMC是三种不同类型的嵌入式存储技术,它们各自具有独特的特点和应用场景。本文,MK-米客方德详细介绍了这三种存储技术的主要区别。
技术探讨 发布时间 : 2024-08-05
为什么NAND Flash需要进行坏块管理而NOR Flash不需要?
NOR Flash和NAND Flash是两种不同类型的闪存技术,它们在存储单元的连接方式、耐用性、坏块管理等方面存在差异。本文米客方德解析了NAND Flash的坏块管理步骤及原因,并介绍了SD NAND的坏块管理机制。
技术探讨 发布时间 : 2024-08-05
SD卡、MicroSD卡与SD NAND的全面对比分析
在当前丰富多元的存储解决方案领域,SD卡、MicroSD卡以及SD NAND凭借其各自的独特优势和特定的使用情景,赢得了市场的广泛认可。每种存储技术都展现了其独到之处,为用户带来了多样化的选择。接下来,MK米客方德将深入探讨这三种存储介质的性能、特点以及适用领域,提供一份详尽的对比分析报告。
技术探讨 发布时间 : 2024-07-15
千亿级市场的“真空地带”,MK米客方德打出了一片新天地
MK米客方德是一家专注于嵌入式存储的半导体企业,利用自身优势,针对创客群体开发出小型化、差异化的SD NAND、SPI NAND和eMMC。其SD NAND解决储存卡在嵌入式应用中的可靠性问题、加速产品上市时间和降低系统成本,符合SD Association标准协议,具有小尺寸封装和完全兼容的软硬件容量,参照了SPI NAND和eMMC的可靠性要求。
原厂动态 发布时间 : 2024-11-07
MK-米客方德存储卡选型表
MK-米客方德提供以下技术参数的存储卡选型,其中包含品类SD NAND FLASH、Micro SD Card、SD Card、eMMC,存储容量:128MB~128GB
产品型号
|
品类
|
存储容量
|
Flash类型
|
工作温度
|
时钟频率(fc)
|
工作电压
|
待机电流
|
接口类型
|
等级认证标准
|
湿敏等级
|
应用等级
|
MKDV1GIL-AST
|
SD NAND FLASH
|
1Gbit
|
SLC
|
-40℃~+85℃
|
50MHz
|
2.7V~3.6V
|
200uA
|
SD2.0
|
ROHS
|
LeveI3
|
工业级
|
选型表 - MK-米客方德 立即选型
世强硬创获米客方德授权,代理微型eMMC存储芯片面积仅为传统的43.5%
米客方德的产品包括嵌入式储存(NAND、SPI NAND、eMMC)、储存卡(Micro SD卡、SD卡)、SD NAND、SSD固态硬盘等。
签约新闻 发布时间 : 2024-10-14
MK迷你eMMC,面积仅为传统eMMC的43.5%,符合eMMC5.1协议,为智能穿戴设备而生
MK米客方德专为智能可穿戴设备研发了一款小尺寸eMMC芯片,符合eMMC5.1协议,支持HS400模式,在性能上有更好的保障。MK这款eMMC的标准尺寸仅为9mm x 7.5mm x 0.8mm,面积仅为传统eMMC的43.5%,容量为4GBytes和8GByte,对于需要短、小、轻、薄的便携式设备来说,无疑是更好的选择。
产品 发布时间 : 2024-07-11
SD NAND关于3.3V和1.8V之间的转换
SD NAND如何支持1.8V的MCU?SD NAND默认是3.3V的,有些MCU只支持1.8V,为了适配1.8V,SD NAND需要内部用命令把3.3V转换成1.8V。
设计经验 发布时间 : 2024-09-27
【IC】MK米客方德新一代SD NAND AST系列,采用更低功耗设计,写入/擦除次数高达100000次
在这个数据驱动的时代,MK米客方德在工业存储领域不断突破,凭借卓越的产品和服务赢得了广泛的客户认可。我们自主研发的嵌入式存储芯片已实现规模化量产,而我们最新一代的工业级SD NAND—AST系列也已正式推出。
产品 发布时间 : 2024-07-04
【IC】MK米客方德推出业界第一颗基于SLC开发的大容量SD NAND,容量覆盖128MB~8GByte
随着SD NAND产品应用的扩展和延伸,先前的6x8mm,最大8GByte的容量已逐步不能满足客户对存储容量的要求。在此背景下,MK 米客方德的大容量Nano SD NAND应运而生。因为MK的大容量SD NAND与Nano SIM卡尺寸相近(12mmx9mm),故命名Nano SD NAND,据悉,MK 米客方德的Nano SD NAND未来有望拓展到256GByte。
产品 发布时间 : 2024-06-28
SD NAND的UECC现象和原因
UECC(Uncorrectable Error Correction Code)则是一种错误纠正码,用于检测和纠正存储设备中的数据错误。UECC 的功能对SD NAND是非常重要的,MK-米客方德的SD NAND芯片都是带有UECC功能的。
技术探讨 发布时间 : 2024-09-16
SPI NAND管理坏块烧脑?不存在的,MK米客方德发布带坏块管理的SPI NAND
Nor Flash是没有坏块的,不需要对坏块进行管理。而NAND Flash随着写入擦除动作的增加,会不断产生坏块,必须由Host端或Flash内部来管理,才能保证数据的完整性。MK米客方德提供带坏块管理的SPI NAND,简单、易用。
产品 发布时间 : 2024-07-12
【IC】MK米客方德推出新一代工业级SD NAND,更长寿命、更高速度、更优功耗
作为SD NAND领域的领跑者,MK-米客方德在工业存储上突破藩篱,产品及服务获得客户的广泛认可。MK初代工业级SD NAND发布至今,已经走过了八个年头,近期,MK-米客方德新一代工业级SD NAND全面推向市场。
产品 发布时间 : 2024-07-18
SD NAND焊盘脱落原因分析
SD NAND的焊盘并不会轻易脱落,在实际生产中总会有各种各样的原因导致芯片的焊盘发生脱落,下面让我们来分析一下焊盘脱落的原因。
技术探讨 发布时间 : 2024-09-15
电子商城
现货市场
服务
可烧录MCU/MPU,EPROM,EEPROM,FLASH,Nand Flash, PLD/CPLD,SD Card,TF Card, CF Card,eMMC Card,eMMC,MoviNand, OneNand等各类型IC,IC封装:DIP/SDIP/SOP/MSOP/QSOP/SSOP/TSOP/TSSOP/PLCC/QFP/QFN/MLP/MLF/BGA/CSP/SOT/DFN.
最小起订量: 1 提交需求>
可定制变压器电压最高4.5KV,高频30MHz;支持平面变压器、平板变压器、OBC变压器、DCDC变压器、PLC信号变压器、3D电源、电流变压器、反激变压器、直流直流变压器、车载充电器变压器、门极驱动变压器等产品定制。
最小起订量: 100000 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论