【元件】 顺络发布新型电极结构钽电容TM&TP系列,实现高容积效率、小型化和薄型化
产品图片
概要
钽电容主要用于汽车电子、消费电子、民爆、服务器、数据中心、SSD、AI等行业。随着科技进步,各行业不断地发展,传统结构(带引线框)产品因其尺寸较大、漏电流和ESR等性能达到极限的劣势,已经无法满足客户的发展需求。为了满足各行业的小型化、薄型化、高可靠性、高性能的新需求,我司研发了在产品封装尺寸、性能上均有所提升的新结构(无引线框)产品:TP系列聚合物钽电容和TM系列MnO2钽电容。
背景和开发目的
消费市场的手机、平板电脑、智能穿戴等电子产品越来越小型化和薄型化,在保持原有的容量、电压下,传统结构钽电容无法将产品厚度降到客户需求的厚度。另外,电子雷管控制模块对精度要求越来越高,传统结构聚合物钽电容漏电流较大,维持掉电时间短,不能满足客户高端产品的需求。除了以上应用,钽电容也被广泛应用于服务器上面,而随着服务器电源工作频率及功率的增加,电路中的纹波电流也随着增高,传统钽电容ESR偏高,导致其耐纹波能力不足,容易导致产品热失效。
在此背景下,顺络新型电极结构钽电容在材料、结构、工艺上面进行了优化,对比传统结构钽电容,其尺寸、电性能等都得到了较大提升。
产品特点
小型化、薄型化、高容积效率
低等效串联电阻、高耐纹波能力
低漏电流、产品发热量低
自愈修复能力、高可靠性(聚合物钽电容)
应用
服务器、SSD等
电子雷管
笔记本电脑、平板
机器人、医疗设备、无人机
外观和尺寸
产品优势
高容积效率、小型化和薄型化
传统结构钽电容因钽芯外部需要大面积塑封且带有引脚折弯结构,存在空间占用,其体积利用率比新型电极结构产品低了25%,因此,新型电极结构钽电容可实现小型化、薄型化。
高耐压大容量
在相同封装体积内,采用新结构可以增加钽芯长度,提高钽粉装粉量。
根据公式CV=比容*粉重,当比容一定时,粉重提升相当于CV值提高,因此C值和(或)V值可以提高,即实现高压大容量。
低漏电流
1. 新结构产品采用新压合方式塑封,不存在流道,压力大大降低,极大减少了对T2O5介质膜和阴极膜层的破坏,避免了漏电流的劣化。
传统引线框结构塑封前后LC与新结构压合前后LC对比 (以25V,33μF, C size 为例):传统引线框结构塑封前后,LC从2.67μA变化到5.45μA,增大了104%;而新结构钽电容压合前后, LC从2.57μA变化到3.72μA,仅增大45%。
2. 新结构产品采用PCB板底部电极,无需折弯,避免对钽芯的二次破坏,漏电流不会增大。
传统引线框结构折弯前后LC与新结构LC对比(以25V,33μF, C size为例):传统结构端子折弯前后,LC从2.58μA变化到3.17μA,增大了23%;而新结构钽电容为底部电极,无需折弯,LC无变化。
生产
已量产
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本文由玄子转载自顺络官网,原文标题为:新型电极结构钽电容TM&TP系列新品发布,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
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产品型号
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品类
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电容量(uF)
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额定电压(V)@85℃
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壳号
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漏电流 (µA)+25℃ Max.
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损耗(%)+25℃&120Hz Max
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ESR(Ω)+25℃&100kHz Max
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材料
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L×W(mm)
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T尺寸(mm)
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CaPacitance Tolerance
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TM106A12K2R5B4K0
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固体片式MnO₂钽电容器
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10uF
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2.5V
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A12
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0.5uA
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6%
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4Ω
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Tantalum-MnO₂
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3.2×1.6mm
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1.2mm
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±10%
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选型表 - 顺络 立即选型
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符合性声明 (Declaration of Conformity)
型号- AMWSA,MPH,AWPR-2,PZ/APZ,MPL,HQ,SPH,MPM,ARCDC,GESD,EPZ,WPH,WPG,WPL,AMCW-B,HZ,WPN,SDMM,SVMH,WTX,WPL SERIES,MQA,HFZ,UPZ,ACSR,SLCP,WPZ,SDCW,SDV,SLFBF,AMCW-P,AMP,HFPZ,MQQ,TWP,ASWPA,SLDA,ALTWR-F,WPL系列,TWS,ALTWR-H,SWRB,ALTWR-G,MZA,ALTWR-C,FA,MWLA,MWTC,SWRH,SLFS,ARLDC,SLFT,ATWPEP,SLBL,SDNT-C,ATWPEQ,ATWS,HPZ,AMWPQ,BW,TPP,AMWLA,AMWPH,SDCL,MWSA,MWSC,CWS,ATWPEF,ACWS,SDVL,SZ,MCL-N,TC,SDNT,SLFD,SDFL,SWPA,GZ,SLFB,MCL-A,MCL,SLFL,SLFH,ATWPPQ
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Chip Solid MnO₂ Tantalum Capacitors - TM Series
型号- TM105C20◎050B3K5,TM476D20◎016B500,TM686A12◎2R5B2K5,TM476D40◎035B500,TM155A16◎6R3B6K0,TM686B20◎6R3B650,TM107C20◎016B700,TM107D40◎016B500,TM336C20◎004B800,TM155A12◎020B4K5,TM337B20◎004B700,TM156B12◎004B1K2,TM106B12◎020B2K0,TM155A16◎025B5K0,TM475A16◎6R3B4K0,TM106A12◎6R3B2K0,TM226C25◎025B1K0,TM476B20◎010B650,TM156D40◎035B800,TM335A16◎025B3K0,TM225A16◎6R3B6K0,TM156A12◎6R3B2K0,TM686C25◎6R3B300,TM155A16◎016B6K0,TM476B20◎016B700,TM105A12◎010B8K0,TM226D20◎025B600,TM227D20◎6R3B150,TM336D20◎016B500,TM476A12◎2R5B3K0,TM685C20◎016B1K0,TM227C25◎004B500,TM227B20◎2R5B1K5,TM225B15◎016B3K0,TM226A16◎2R5B3K0,TM106B20◎016B800,TM686B15◎010B1K5,TM157D40◎016B400,TM156B20◎010B700,TM476D20◎010B220,TM 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【选型】导电高分子型钽电容器,电容量最高可达330μF,ESR最低仅35mΩ
ROHM(罗姆)株式会社是全球最知名的半导体厂商之一,创立于1958年,总部位于日本京都市。“品质第一“是罗姆的一贯方针,其产品涉及多个领域,其导电性高分子电容器产品线包括新背面电极结构(超大容量)型的TCSO系列、底面电极构造(大容量)型TCTO系列、标准构造TCO系列。该类型电容器属于钽电容器的一种,具有较低的ESR,安全可靠,且尺寸小、电容量大,可用于智能电话、PC、数码相机/摄像机等。
器件选型 发布时间 : 2018-11-03
电子商城
现货市场
服务
加工精度:精密平面磨床正负0.002;铣床正负0.02,ZNC放电正负0.01。CNC加工材料:铝、钢、聚合物等材料。专注于半导体行业、医疗器械、汽车行业、新能源行业、信息技术行业零部件加工。
最小起订量: 1个 提交需求>
可自由定制电池形状,锂离子聚合物/磷酸铁锂成分,放电倍率Max. 50C (持续放电倍率) / 150C (脉冲放电倍率),充电倍率:Max. 5,厚度可达0.5mm。
最小起订量: 5000 提交需求>
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