上海贝岭直流充电桩电源模块功率器件解决方案:优化饱和压降和开关损耗,提升系统功率密度和效率

2024-09-20 上海贝岭公众号
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一、概述

随着新能源汽车的深度普及,用户对公共充电设施的便利性、安全性、智能化程度等方面均提出了更高要求。公共直流充电桩向着更大功率、更高功率密度、更智能化等方向快速演进,作为直流充电桩的核心部件,充电桩电源模块的功率等级和功率密度亦不断提升,从20kW/30kW逐步提高至40kW/50kW及以上,为用户提供更安全、快速的充电服务。


二、直流充电桩电源模块工作原理及拓扑结构

直流充电桩的系统结构如图1所示:包括电源模块、控制系统、用户界面、充电线缆等部件。其中电源模块的主要功能是实现电能转换,将电网侧的交流电转换为适合用户需求的直流电,确保稳定、高效地输出。

图1 直流充电桩系统组成框图


直流充电桩电源模块典型结构如图2所示:主要由两级结构组成,包括前级的AC/DC环节,实现功率因数校正,降低谐波,提升电能质量;后级的DC/DC环节,实现宽范围的直流电压输出,满足不同类型电池的充电需求。

图2 直流充电桩电源模块结构组成框图


三相维也纳PFC是直流充电桩电源模块中AC/DC变换器的常用拓扑,如图3所示。电路通过控制Sa、Sb、Sc的通断,来控制PFC电感的充放电。由于 PFC变换器的PF值接近1,可认为电感电流和输入电压同相,三相平衡,各相差120度。


三相PFC变换器每相包括一个双向开关,双向开关由共源极的开关管相连接,两个开关管共用一个驱动信号,不存在桥臂直通问题,无需设置死区时间,降低了控制和驱动的难度,具有工作效率高、器件电压应力低的优点。

图3 三相维也纳PFC拓扑结构


三、贝岭BLG80T65FDK7产品介绍

针对直流充电桩电源模块应用,上海贝岭推出80A/650V IGBT产品BLG80T65FDK7。80A/650V IGBT工艺平台采用第三代微沟槽多层场截止技术,优化了饱和压降和开关损耗,适用于50kHz及以上的高频应用,利于提升系统的功率密度和效率。其工艺特点如图4所示。

图4 BLG80T65FDK7-F工艺特点


BLG80T65FDK7合封全电流FRD,针对三相维也纳PFC电路的特点,通过优化合封二极管的VF值,降低二极管的通态损耗,提升变换器的工作效率。其实物图如图5所示。

图5 BLG80T65FDK7-F实物图


四、贝岭BLG80T65FDK7性能优势

1、饱和压降Vce(sat)

对三相维也纳PFC拓扑结构而言,功率器件的通态损耗是其总损耗中占比较大的一个损耗源,降低开关器件的通态损耗是提升变换器工作效率的一个有效手段。作为评估IGBT性能的一个重要指标, 在器件允许的工作温度范围内,BLG80T65FDK7拥有较低的饱和压降,可有效降低IGBT的通态损耗。其Vce(sat)-温度变化曲线如图6所示。

图6 Vce(sat)随温度变换曲线


2、开关损耗

为减小磁性元器件的体积,提升变换器的功率密度,三相维也纳PFC应用中IGBT的开关频率一般高于50kHz。BLG80T65FDK7在全电流范围内均具备较低的开关损耗,在高频应用场景中,具备更优异的性能。开关损耗对比如图7所示,与竞品相比,BLG80T65FDK7的Eon/Eoff/Etotal值分别下降了约6.7%/6.8%/6.8%。

图7 BLG80T65FDK7开关损耗值对比


3、反向恢复能力

Qrr体现了二极管的反向恢复能力。Qrr值低,峰值电流更低,尖峰持续时间更短,因而振铃/谐振减少,利于减少EMI,同时,可进一步提高效率。如图8所示,与竞品相比,BLG80T65FDK7的Qrr值下降了约18%。

图8 Qrr值对比


4、产品竞争力

基于直流充电桩电源模块的应用需求,BLG80T65FDK7综合考虑器件的各项参数,重点对IGBT的饱和压降、开关损耗及合封二极管的反向恢复能力和VF值进行优化。参数对比如图9所示,同比于竞品器件,重点参数具备优势,可以更好发挥器件性能,助力提升变换器的工作效率和系统的功率密度。

图9  BLG80T65FDK7参数对比雷达图


五、贝岭功率器件选型方案

上海贝岭功率器件产品线齐全,包含MOSFET、IGBT等系列产品,为直流充电桩电源模块设计提供助力,欢迎垂询!具体型号参考表1。

表1 功率器件选型列表


贝岭拥有完善的电源管理、信号链等系列产品可供选择,助力更完全、可靠的充电桩设计和应用。具体型号参考表2。

表2 充电桩芯片选型参考

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
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目录- 公司介绍    碳化硅场效应管/碳化硅肖基特二极管/场效应管    超结场效应管/IGBT单管/可控硅    二极管    静电保护器件/瞬态抑制二极管    三极管/电源IC    运算放大器/达林顿晶体管阵列/整流桥/霍尔传感器    光耦/石英晶体谐振器   

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

选型指南  -  SLKOR  - 2022/10/9 PDF 中文 下载

平伟实业国内率先推出PDFN5X6双面散热技术,加上CLIP(夹片)工艺,突破功率器件封装极限

平伟实业率先量产双面散热产品,兼顾底部和顶部散热,新的封装技术,把芯片性能发挥到了极致。平伟实业为功率器件散热提供了多种不同选择;为5x6封装和其他尺寸所设计的各种SMD封装技术组合,因此客户能够根据自身需求选择最合适的封装解决方案。

厂牌及品类    发布时间 : 2023-09-01

为什么说IGBT的诞生,使人类“驯服”了电!

IGBT(绝缘栅双极型晶体管)在新能源汽车行业中占据重要地位,结合了三极管和MOS管的优势。主要用作电流的高效开关,适用于大电压和大电流的操控。其优点包括高输入阻抗、低导通压降与高开关频率。IGBT被广泛运用于新能源汽车的驱动系统、充电桩以及轨道交通等领域。

技术探讨    发布时间 : 2024-09-13

阿基米德半导体IGBT功率模块/IGBT分立器件选型表

阿基米德半导体推出高性能MOSFET/IGBT、Hybrid/ SiC SBD/MOSFET功率模块、分立器件产品,涵盖650V~1700V电压等级,产品主要应用于新能源汽车/光伏/储能/充电桩/数据中心/电能质量等领域。

产品型号
品类
VCE(V)
IC(A)
Package
AMG200L12L1H3RB
IGBT功率模块
1200
200
ACL

选型表  -  阿基米德半导体 立即选型

东海半导体授权世强硬创,代理IGBT单管/模块、SiC二极管/MOS

40A 1200V TRENCHSTOP IGBT采用先进的沟槽和场截止技术设计,不仅能提供优异的VCEsat和开关速度、低栅极电荷,还拥有卓越的开关速度,VCEsat中的正温度系数带来轻松并联的能力。

签约新闻    发布时间 : 2023-09-18

平伟实业参加2024先进热管理技术峰会,带来全新产品技术理念和新能源汽车新趋势、新发展的分享

平伟实业参加2024先进热管理技术峰会!本次峰会,平伟实业携众多的产品及汽车电子解决方案,于现场为观众带来全新的产品技术理念、新能源汽车的新趋势、新发展的分享和讲解。

厂牌及品类    发布时间 : 2024-09-12

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