【元件】 瑶芯新一代1200V G4.5碳化硅MOSFET，持续赋能新能源产业高速发展
瑶芯新一代1200V G4.5碳化硅MOSFET，持续赋能新能源产业高速发展
新平台介绍
1.1 平台特点
瑶芯微电子科技（上海）有限公司凭借其先进的技术，推出1200V G4.5技术平台AK1CK2MXXX系列SiC MOSFET，在导通电阻与动态性能上均实现了相当大的提升。这一卓越的性能优势，不仅提高了能源转换效率，还降低了系统的功耗，为用户带来了更高效、更可靠的使用体验。无论是在电动汽车领域，还是其他新能源应用中，AKS 1200V G4.5 技术平台都展现出了强大的竞争力。以1200V G4.5 40mΩ（AK1CK2M040WAM）为例，其主要应用于 OBC（车载充电机），而此应用对寄生电容 CGD的要求极高；该产品此参数低至10pF以下，使得器件在开关损耗上也有较大的提升。同步明年将推出更新一代G5产品，实现了卓越的技术升级，RON,SP将进一步降低。
图1 AKS 1200V SiC MOSFETs技术对比
1.2 产品分布
表1 AKS 1200V G4.5 SiC MOSFETs系列产品
1200V G4.5技术平台拥有14-80mΩ多种规格及不同的封装形式，以匹配不同的拓扑电路应用。
技术参数
2.1 器件品质
功率器件通常采用RON,SP（比导通电阻）和FOM（品质因子）来衡量器件性能。
1200V G4.5平台产品RON,SP相较于上一代G4平台产品降低了16%，未来在G5平台上预计RON,SP再降低12%，FOM再降低10%。
图2 AKS SiC MOSFETs 归一化RON,SP：G4 vs. G4.5 vs. G5
图3 AKS SiC MOSFETs 归一化FOM：G4 vs. G4.5 vs. G5
2.2 温升
在实际应用中，功率器件的导通电阻并非一成不变，通常规格书中器件导通电阻典型值指的是常温状态下器件的导通电阻，而在大功率应用场合，器件通常会工作在更高的结温下，因此，需要知道器件在高温下的导通电阻表现。
1200V G4.5平台产品在各个温度工况下，导通电阻均低于G4平台同规格产品，在常温状态下导通电阻下降了9%，在175℃高温状态下，电阻下降了3%，导通电阻值降低意味着器件的静态功耗会更小，可选择的功率应用范围更广。
图4 AKS SiC MOSFETs 不同结温下归一化RDS(ON)：G4 vs. G4.5
图5 AKS SiC MOSFETs 常温与高温归一化RDS(ON)：G4 vs. G4.5
2.3 电荷
栅极电荷QG是代表器件驱动栅极所需要的电荷值，在一些快速开关应用中，栅极电荷越小代表器件开通和关断的速度越快，可以降低器件的动态损耗。
1200V G4.5平台产品的QG减小20%，寄生导通因子（PTO）降低44%（PTO=QGD@800V/QGS@VTH_25C ），增加开关速度的同时，降低了寄生导通出现的可能性。
图6 AKS SiC MOSFETs QG：G4 vs. G4.5
图7 AKS SiC MOSFETs PTO：G4 vs. G4.5
2.4 输出电容
输出电容COSS是决定器件开关损耗的重要指标之一，其产生的动态损耗EOSS在开关过程中发挥了重要的作用，在拓扑电路应用中会影响系统的效率。
1200V G4.5平台产品相较于G4平台产品，输出电容更低，优化了产品的EOSS/QOSS，可有效降低应用中的动态损耗。
图8 AKS SiC MOSFETs COSS：G4 vs. G4.5
图9 AKS SiC MOSFETs Eoss/QOSS：G4 vs. G4.5
2.5 双脉冲测试
双脉冲测试是表征器件动态特性的常用测试方法，1200V G4.5平台产品通过器件设计优化，在双脉冲测试中的开关损耗均优于G4平台产品，其体二极管的反向恢复电荷也降低了6%。
图10 AKS SiC MOSFETs 不同RG(EXT)开关损耗：G4 vs. G4.5
图11 AKS SiC MOSFETs Qrr：G4 vs. G4.5
2.6 效率测试
30kW风冷2U充电桩中，三相LLC部分采用1200V 40mΩ碳化硅MOS效率对比测试，在60-100% Load下，G4.5平台相比G4平台同等Rdson产品效率提升0.01-0.04%不等。
图12 SiC应用于三相LLC拓补
图13 30kW风冷2U充电桩模块
图14 AKS SiC MOSFETs 不同负载下转换效率：G4 vs. G4.5
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由samsara转载自瑶芯微电子公众号，原文标题为:产品介绍 | 瑶芯新一代1200V G4.5碳化硅MOSFET，持续赋能新能源产业高速发展，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关推荐
【元件】扬杰科技推出TOLL封装的SiC MOSFET产品，非常适合大功率、大电流、高可靠性等应用场景
随着新能源市场进入高速发展期，功率器件也需要提供更高的效能，功率分立器件的封装技术也需持续进步。随着下游市场的多样化需求增长，功率分立器件封装产品也逐渐向定制化和专业化方向发展，扬杰科技推出了一系列TOLL封装的SiC MOSFET产品,非常适合大功率、大电流、高可靠性等应用场景的需求。
【元件】瞻芯电子TC3Pak顶部散热封装SiC MOSFET，高频开关、低损耗，助力高效高密电源设计
为了满足高密度的功率变换的需求，瞻芯电子推出2款新型TC3Pak（Topside Cooling D3Pak）顶部散热型、表面贴封装1200V碳化硅（SiC）MOSFET产品，具有低损耗、散热性强等特点，让系统设计更紧凑、更高效，组装时能自动化生产。
昕感科技1200V/7mΩ SiC MOSFET，采用TO247-4PLUS封装，方便实现大电流并联
昕感科技在低导通电阻器件的开发上走在了行业的前列，于2023年推出一款1200V/7mΩ SiC MOSFET产品N2M120007PP0，使用了TO247-4PLUS封装降低器件热阻。该产品工作电流可达300A以上，具有正温度系数，可方便实现大电流并联。同时，昕感新品的漏电流极低，具备优越的高压阻断特性，方便用户使用和节省成本。
1700V SiC MOSFET在大功率能源及工业领域的应用
1700V SiC MOSFET的低开关损耗可提高开关频率，且每个单元的总体尺寸大幅减小。同时，1700V的高阻断电压还可减少达到相同直流电压所需的单元数。在以上种种简化和优化后，终端应用的系统可靠性大大提升，而更少的有源开关和栅极驱动器也降低了整体成本。SMC桑德斯微电子根据客户的需求设计和生产半导体及相关产品。
瑞之辰授权世强硬创，代理SiC MOSFET/IPM/PIM模块等产品
产品应用涉及储能、白电、充电桩、逆变器、光伏、锂电池保护、新能源汽车、音频功放、小功率适配器、手机充电器、LED驱动等领域。
技术分享 | 解析SiC MOSFET串扰特性
随着SiC MOSFET开关频率的不断增加，在半桥结构（如逆变电路、全桥电路等）桥臂串扰现象越发严重，易造成桥臂直通短路或影响可靠性，限制了SiC MOSFET开关频率及系统功率密度进一步提高。本文瑶芯微将为您解析SiC MOSFET串扰特性。
蓉矽1200V 40mΩ碳化硅产品NC1M120C40HT用于车载充电机，整体系统效率提升约为2%，峰值可达97%以上
蓉矽半导体自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT已顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核，支持11kW/22kW大功率主流充电，适配目前OBC 800V高电压电池发展趋势。采用1200V SiC器件可以简化系统拓扑复杂度，总损耗可降低50%以上，磁性器件体积可降低70%以上。整体系统效率提升约为2%，峰值可达97%以上。
B2M040120Z碳化硅MOSFET
描述- 本资料介绍了B2M040120Z型号的碳化硅（SiC）MOSFET的特性、最大额定值、电学特性、热特性、典型性能和应用领域。该器件具有低导通电阻、高阻断电压、低电容等特点，适用于开关电源、逆变器、电机驱动器和电动汽车充电站等领域。
型号- B2M040120Z
蓉矽半导体碳化硅产品在车载充电机中的应用：已通过AEC-Q101测试和HV-H3TRB考核
为了提升充电效率，延长续航里程，800V高压平台成为主流选择。使用1200V碳化硅MOSFET对提升OBC功率密度、降低重量具有积极意义和显著效果。NOVUSEM自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT已顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核，支持11kW/22kW大功率主流充电，适配目前OBC 800V高电压电池发展趋势。
B2M065120T SiC MOSFET
描述- 本资料详细介绍了B2M065120T型号的SiC MOSFET产品，包括其产品概述、特性、应用领域、最大额定值、电气特性、封装特性、热特性、开关特性、典型性能、封装尺寸和修订历史。该产品适用于高频率操作，具有高功率密度和低热沉要求。
型号- B2M065120T
功率MOSFET的寄生导通行为和抑制方法
本文中瑶芯微将与大家分享功率MOSFET的寄生导通行为和抑制方法。SiC MOSFET和Super Junction MOSFET（简称SJ MOS）都是高速功率器件，经常被应用于大功率AC-DC电源、电动汽车充电桩、OBC等高频应用场合。较低的导通电阻和高速开关特性，获得较低的导通损耗和开关损耗，助力电源获得越来越高的功率密度，更小的体积，更高的效率，助力降低碳排放。
B2M040120T SiC MOSFET
描述- 本资料详细介绍了B2M040120T型号的SiC MOSFET产品，包括其产品概述、特性、应用领域、最大额定值、电气特性、封装特性、热特性、开关特性、典型性能、封装尺寸和修订历史。该产品适用于高频率操作，具有高阻断电压、低导通电阻和低电容等特点，适用于开关电源、微逆变器、太阳能逆变器、电机驱动器、DC/DC转换器和OBC等领域。
型号- B2M040120T
走进长安，2024智能电动汽车前瞻技术与生态链合作展示交流会圆满落幕，扬杰科技展示在汽车电子领域的最新成果
7月26日，为期两天的“2024智能电动汽车前瞻技术与生态链合作展示交流会”在长安全球研发中心圆满落幕。作为行业领军企业，扬杰科技凭借其在半导体领域的深厚积累和汽车电子领域的持续创新，受邀参与本次大会。
SMC 1700V SiC MOSFET用于中功率新能源，两级拓扑更简单，效率、功率密度、可靠性提升
高电压SiC MOSFET在低功率辅助电源的应用带来了诸多收益。2015年，SMC布局碳化硅产品的设计、研发与制造，并推出了一系列节能可靠、高性价比的大功率碳化硅产品器件，可广泛运用于包括新能源汽车、光伏、储能、电源等各个领域。目前，SMC在650V-1700V SiC MOSFET的研发与生产上均有所规划，并将于2024年下半年实现大批量量产。
瑶芯SiC MOSFET荣获第十九届“中国芯”优秀技术创新产品奖
2024年11月7日，国内集成电路行业最受瞩目的年度评选—“中国芯”优秀产品征集结果在珠海正式揭晓，瑶芯微SiC MOSFET/AK1CK2M040WAM以技术创新性和优异的产品性能表现，在众多参评产品中脱颖而出，荣获2024年第十九届“中国芯”优秀技术创新产品奖。
电子商城
现货市场
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论