技术前沿：功率半导体的纳米银烧结技术
当前功率半导体行业正在面临SiC和GaN等宽禁带半导体强势崛起，随着电动汽车市场的增量放大，消费者对汽车的高续航、超快充等要求越来越高，电力电子模块的功率密度、工作温度及可靠性的要求也在越来越复杂，封装成了提升可靠性和性能的关键。封装是承载器件的载体，也是保证SiC芯片可靠性、充分发挥性能的关键。
碳化硅材料的使用，减小了芯片尺寸，但芯片单位面积的功率仍然相关，这意味功率模块需要更多地依赖封装工艺和散热材料来提供散热。而当前，传统的封装工艺如软钎焊料焊接工艺已经达到了应用极限，亟需新的封装工艺和材料进行替代。
SiC芯片的工作温度更高，对封装的要求也非常高，同时对散热和可靠性的要求也更加严苛，这些都需要相配套的封装工艺和材料同步跟进。
传统功率模块中，芯片通过软钎焊接到基板上，连接界面一般为两相或三相合金系统，在温度变化过程中，连接界面通过形成金属化合物层让芯片、软钎焊料合金及基板之间形成互联。目前电子封装中常用的软钎焊料为含铅钎料或无铅钎料，其熔点基本在300℃以下，采用软钎焊工艺的功率模块结温一般低于150℃，应用于温度为175-200℃甚至200℃以上的情况时，其连接层性能会急剧退化，影响模块工作的可靠性。
传统的芯片粘接和基板粘接材料通常由焊料合金组成，其粘结层厚度范围为50至100μm（用于芯片连接）和100至150μm（用于基板连接）。尽管性能还不错，但在特斯拉、比亚迪和现代等主要汽车原始设备制造商的推动下，人们对银烧结的偏好越来越高。与传统的焊料合金相比，银烧结具有更高的导热性（200至300W/mK），有可能将从结到外壳的热阻降低40%以上，同时显着提高熔点并降低电阻率。此外根据下表数据可观察到银烧结的最高使用温度接近900℃远超传统焊料。
焊接材料性能对比（来源：功率模块纳米银烧结技术研究进展）
纳米银烧结成为碳化硅器件封装核心工艺。相比于传统的软钎焊工艺，低温纳米银烧结技术有利于提升产品的可靠性，使用的银材料具有高导电率、高导热率等特点，近年颇受业界关注。
为什么采用银烧结技术
传统功率模块中，芯片通过软钎焊接到基板上，连接界面一般为两相或三相合金系统，在温度变化过程中，连接界面通过形成金属化合物层使芯片、软钎焊料合金及基板之间形成互联。目前电子封装中常用的软钎焊料为含铅钎料或无铅钎料，其熔点基本在300℃以下，采用软钎焊工艺的功率模块结温一般低于150℃，应用于温度为175-200℃甚至200℃以上的情况时，其连接层性能会急剧退化，影响模块工作的可靠性。
在功率器件中，流经焊接处的热量非常高，因此需要更加注意芯片与框架连接处的热性能及其处理高温而不降低性能的能力。烧结银的热阻要比焊料低得多，因而使用烧结银代替焊料能提高RθJC，而且由于银的熔点较高，整个设计的热裕度也提高了。
7LD2PAK的热模型，表明了从芯片到壳的不同温度梯度。(a)使用Pb95.5Ag2.5Sn2.0焊料进行晶粒贴装(b)使用140W/m.K银烧结进行晶粒贴装。后者可将热阻降低28%。
相比之下，烧结材料通常可以达到200℃-300℃，这让烧结技术成为焊接工艺理想的替代方案。此外，芯片粘接是一个极其复杂的过程，采用烧结银技术进行芯片粘接，可大大降低总制造成本，加工后无需清洗，还可缩短芯片之间的距离。
纳米银烧结工艺，通过银原子的扩散达到连接目的。在烧结过程中，银颗粒通过接触形成烧结颈，银原子通过扩散迁移到烧结颈区域，从而烧结颈不断长大，相邻银颗粒之间的距离逐渐缩小，形成连续孔隙网络。随着烧结过程的进行，孔洞逐渐变小，烧结密度和强度显著增加。在烧结最后阶段，多数孔洞被完全分割，小孔洞逐渐消失，大孔洞逐渐变小，直到达到最终的致密度。
纳米银烧结的工艺优点主要有：
低温烧结：纳米尺度的金属，会表现出强烈的体积效应、量子尺寸效应、表面效应和量子隧道效应，在烧结过程中，彼此接触的纳米银颗粒之间原子相互扩散，形成互连的接头，当大量纳米银颗粒互相堆积，就可以实现在低于其块体金属熔点的温度下形成块体金属烧结体，从而实现芯片与焊膏、基板之间的焊接。
高导热性和导电性：在银烧结工艺下，当连接层孔隙率为10%的情况下，其导电及导热能力可达到纯银的90%，远高于普通软钎焊料。由于银材料的性能特质，相比软钎焊方式，在功率模块中，采用银烧结工艺的内互联，其功率循环寿命比软钎焊焊料内互联高2~3倍，烧结层的厚度比软钎焊层薄70%，热传导率提升大约3倍，热阻约为软钎焊结构热阻的1/156。
高可靠性：由于银的熔点高达961℃，将不会产生熔点小于300℃的软钎焊连接层中出现的典型疲劳效应。
材料相对环保：传统软钎焊可能采用含铅钎料，银烧结技术所用材料不含铅。
当下的芯片热流密度的增大和模块集成度的进一步提升，现有的小面积接合技术已经不能满足其散热需求。因此，若能使用烧结银实现更大面积的封装互连，则将极大地提升SiC功率模块的散热性能和高温可靠性。实现低温烧结银进行大面积封装的可靠互连，促进电力电子半导体器件的高温可靠应用是电力电子器件发展的必然趋势。然而，烧结银在大面积互连领域的应用还面临以下困难：烧结驱动力的需求高，导致封装成本升高；烧结致密化程度不足，造成封装互连可靠性和散热效果降低；“热-机械”应力更高，导致烧结银层开裂、分层和基板翘曲等现象出现。
Ag烧结浆料成本比传统焊料合金高五到十倍。IDTechEx了解到一家日本公司开发的Ag烧结浆料成本约为2-3美元/克，尽管随着体积和其他材料性能的增加，这一价格有可能大幅下降。另一家供应商表示，其烧结银浆的成本约为1,400美元/千克。总体而言，在汽车厂商的推动下，用银烧结浆料取代焊料合金的趋势明显，为材料供应商创造了更具有潜力的市场机会。
近年来英飞凌科技股份公司（InfineonTechnologiesAG）、德国大陆集团(ContinentalAG)、丹佛斯集团（Danfoss）等功率模块制造商在新能源汽车模块中均采用了烧结银连接技术。随着银纳米颗粒制备技术及其有机物体系合成方面的快速发展，贺利氏科技集团（HeraeusGroup）、阿尔法公司（MacDermidAlpha）、铟泰公司（Indium）等焊接材料制造商也逐渐推出了适用于工业小面积烧结的纳米银焊膏。
银烧结的优势总结：
Ø纳米银烧结工艺烧结体具有优异的导电性、导热性、高粘接强度和高稳定性等特点，应用该工艺烧结的模块可长期工作在高温情况下；
Ø纳米银烧结工艺在芯片烧结层形成可靠的机械连接和电连接，半导体模块的热阻和内阻均会降低，整体提升模块性能及可靠性；
Ø烧结料为纯银材料，不含铅，属于环境友好型材料。
国内外企业纷纷布局银烧结技术
2006年英飞凌推出了Easypack1的封装形式，分别采用单面银烧结技术和双面银烧结技术。通过相应的高温循环测试发现，相比于传统软钎焊工艺，采用单面银烧结技术的模块寿命提高了5-10倍，而采用双面银烧结技术的模块寿命提高了10以上。
之后2007年，赛米控推出了SkinTer技术，芯片和基板之间采用精细银粉银烧结工艺进行连接，在250℃及压力辅助条件下得到低孔隙率银层。相比于钎焊层，功率循环能力提升了2-3倍，烧结层厚度减少约70%，热导率约提升3倍。
2012年，英飞凌推出了XT互联技术，芯片和基板之间采用银烧结技术连接。循环试验表明，无底板功率模块寿命提升达2个数量级，有底板模块寿命提升也在10倍以上。
2015年，三菱电机采用银烧结技术制作功率模块，循环寿命是软钎焊料的5倍左右。
今年5月，东芝称新发布的用于碳化硅（SiC）功率模块的封装技术iXPLV，能够使产品的可靠性提升一倍，同时减少20%的封装尺寸。
几个月前，斯达在国内会议上也表示，公司T6系列汽车级的单管，1200V和750V，芯片采用的银烧结工艺。双面冷却的N3和N7系列，今年年底也会有相应的碳化硅的版本数量，结构同样采用双面银烧结技术。
最大阻力
银烧结技术在国外发展遇到的主要问题是：银烧结技术所用的纳米银成本远高于焊膏，银浆成本随着银颗粒尺寸的减小而增加，同时基板铜层的贵金属镀层也增加了成本；银烧结技术需要一定的辅助压力，高辅助压力易造成芯片的损伤；银烧结预热、烧结整个过程长达60分钟以上，生产效率较低；银烧结技术得到的连接层，其内部空洞一般在微米或者亚微米级别，目前尚无有效的检测方法。
随着汽车的电子化和EV、HEV的实用化以及SiC/GaN器件的亮相等，车载功率半导体正在走向多样化。比如，不仅是单体的功率MOSFET，将控制IC（电路）一体化了的IPD（IntelligentPowerDevice）也面世且品种不断增加。多样化了的车载功率半导体，尤其是EV和HEV用车载功率半导体的耗电量不断增加，为了应对这个问题，就要求封装实现（1）低电阻、（2）高散热、（3）高密度封装。而烧结银工艺正是解决这一难题的关键技术。
压力，温度和时间是烧结质量的主要影响因素，镀层类型和质量，芯片面积大小和烧结气氛保护也是需要考虑的重要因素。相信随着以SiC为住的宽禁带半导体的应用场景的扩大时，烧结银技术将得到更为广泛的应用和推广。
银烧结技术原理及其应用展望如今实际生产制造中像电子业中共晶炉，回流焊，波峰焊，烧结炉等都属于烧结的一种，所以烧结有很多种工艺技术呈现，只是细分中工艺有所不同，材料配比成份经过高温烧结熔炼合成所产生的意识形态与产物功能会有所不同；近来中国的烧结技术逐渐的让大家认识到需要全方位的技术升级，对温度精准控制，气氛精准控制，材料配比精准控制，冷却的精准控制，化学的精准控制等进行了全方位数字话成功经验话进行实际改善；如下几种：
烧结：是指把粉状物料转变为致密体，是一个传统的工艺过程。人们很早就利用这个工艺来生产陶瓷、粉末冶金、耐火材料、超高温材料等。一般来说，粉体经过成型后，通过加热烧结得到的致密体是一种多晶材料，其显微结构由晶体、玻璃体和气孔组成。烧结过程直接影响显微结构中的晶粒尺寸、气孔尺寸及晶界形状和分布，进而影响材料的性能，或通过高温将多种材质融合到一起转变为另一种意识形态。例如芯片前道从沙子通过单晶生长炉在惰性气体环境中加温出晶硅棒，也就是切割晶圆前的母体。
如上讲解了大概的烧结技术与烧结相关的知识，相信大家对烧结也有一定理解了，那么接下来我们来看看烧结银相关的工艺技术：
20世纪80年代末期，Scheuermann等研究了一种低温烧结技术，即通过银烧结银颗粒实现功率半导体器件与基板的互连方法。
烧结银工艺是一种将粉末状银加热至熔化状态并在其它材料表面上形成粘结层的工艺。这种工艺最初在古代中国用于制造银饰品，并在现代工业中广泛应用于制造电子元器件、电极、合金、催化剂和粉末冶金产品等领域。
纳米银互联在半导体领域的发展
纳米银无压烧结技术作为一种新型封装互连技术, 凭借烧结银层的优异性能, 逐步在第三代半导体器件的封装互连领域应用和推广。目前, 无压烧结银技术只适用于芯片级别小面积互连领域, 在基板级别大面积互连领域存 在若干瓶颈, 有待深入研究。文章详细介绍了现有的小面积无压烧结纳米银互连工艺以及可靠性, 在此基础上, 针对大面积无压烧结银工艺所面临的瓶颈, 引入一种双层印刷焊膏 (双印法) 的低温无压烧结工艺。采用超声扫描成像技术对烧结质量进行表征, 获得双印法中使用的两层银焊膏的成分优化配比并对其烧结机理进行分析, 为纳米银基板级 大面积无压烧结互连提供一种可行方案。最后, 展望了基板级别大面积无压烧结银工艺的发展趋势和应用前景。
近年来, 随着电子产业的快速发展, 电子器件的服 役条件越来越苛刻, 尤其以碳化硅 (silicon carbide, SiC) 和氮化镓 (gallium nitride, GaN) 为代表的第 3 代半导体器件, 凭借更高的禁带宽度、 电子漂移速 率、 击穿电压, 更低的开关损耗和通态比热阻等众多优势, 在高达 250 ℃的工作温度下仍具有良好的转换特性和工作能力, 打破了第 2 代半导体器件难以耐高温高压和处理大功率的瓶颈, 但也对封装结构的散热 性能提出了更大的挑战。传统的封装互连材料, 如导电胶、 铅锡焊料等的工作温度通常在 200 ℃以下 很难跟第 3 代半导体功率器件应用环境相匹配。此 外, 考虑到铅对人体和环境的危害, 根据有害物质限制 (restriction of hazardous substances, RoHS) 的指令规定, 含铅焊料已被禁止应用于电力电子器件中, 探 索适用于第 3 代半导体功率器件的封装材料与技术显得尤为重要。
纳米银焊膏作为一种新型绿色封装互连材料, 凭 借纳米颗粒的尺寸效应, 能够在低于 300 ℃下实现稳定烧结互连, 烧结后银层呈现多孔结构, 弹性模量较低, 具有优异的导电、 导热性能和力学可靠性, 在学 术界和产业界获得了广泛关注。近年来, 赛米控、 英飞凌、 富士电机、 三菱电机、 比亚迪等企业相继将 烧结银技术商用于绝缘栅双极型晶体管 (insulated gate bipolar translator, IGBT) 功率模块中。基于烧结银技术, 这些模块功率循环能力提升 2 ~ 3 倍, 热传 导率大约提升 3~5 倍, 寿命增加 10 倍以上。这充 分证明了烧结银技术是第 3 代半导体器件的理想封装互连技术。
起初, 纳米银烧结工艺应用于封装互连, 尤其是大面积封装互连领域时, 通常需要施加一定压 力辅助烧结。LEI 等采用纳米银膏烧结连接大面积 芯片 (10 mm×10 mm), 在固定的烧结参数下 (烧结 温度 275 ℃ , 保温时间 20 min), 从无压条件到外加 压力增加至 5 MPa, 烧结银接头强度由 7. 7 MPa 增加 到 31. 6 MPa。压力辅助烧结可以提高连接界面的致 密化, 具有较高的连接质量和可靠性。然而, 脆性芯 片和基板在加压烧结过程中可能会发生钝化开裂, 容易造成功率模块失效。高压对封装工艺、 封装过程的自动化以及产品的成品率提出了挑战。进一步探索和 实现纳米银焊膏在无压条件下的封装互连将推动第 3 代半导体在功率模块中的应用, 具有非常重要的科研意义和应用价值。
文中对纳米银无压烧结互连技术进行探讨, 按照烧结面积和应用场合, 将纳米银烧结工艺分为芯片级 别小面积烧结工艺 (<15 mm×15 mm) 和基板级别大 面积烧结工艺 (≥15 mm×15 mm) 展开论述和研究, 并展望了纳米银无压烧结技术在基板级别封装互连领 域的应用前景。
芯片级无压互连技术
1 传统烧结工艺
如图 1 所示, 焊接式 IGBT 功率模块封装内部结 构是由不同材料组成的多层结构。其中芯片和覆铜陶瓷 (directed bonding copper, DBC) 基板、 散热装置 之间是通过互连层连接在一起。封装互连层, 尤其是 芯片级别小面积封装互连层的性能是决定整个 IGBT 封装模块散热效率和可靠性的关键因素。
如图 2 所示, 纳米银焊膏的无压烧结工艺通常包括印刷焊膏、 放置芯片、 升温烧结3个过程。纳米银 焊膏中的有机溶剂在保证焊膏的流动性和粘接性上具有重要的作用。随着烧结的进行, 有机溶剂会完全挥 发或分解, 最终形成均匀多孔银互连层。针对小面积烧结互连, 印刷时易于控制焊膏的厚度, 烧结时有机溶剂容易在氧气等烧结气氛中挥发、 分解完全, 产生 的气体容易排出 。同时, 国内外众多高校以及研究 机构致力于对纳米银焊膏成分和烧结温度曲线的研究 和优化, 使纳米银焊膏在芯片级别互连领域有着长足 的发展并逐渐商业化。
最初, 用于封装互连的纳米银焊膏由纳米银颗粒和有机溶剂组成, 用于无压烧结时, 经常会导致烧结密度低, 存在大量裂纹等缺点。通过优化焊膏成分, 实现无压致密化烧结。天津大学陆国权课题组通过改 善焊膏中的有机成分, 合成 1 种改进的纳米银焊膏, 由分散剂、 稀释剂和粘合剂等有机溶剂添加到纳米银 颗粒中制成, 实现了纳米银焊膏低温烧结、 高温服役 的目标, 在不施加压力的情况下可以实现镀银 SiC 芯 片与基板的连接, 得到了高纯度与密度均匀的纳米银 烧结层, 烧结后样品的剪切强度达到 40 MPa, 适用 于碳化硅半导体器件互连领域。
YAN 等采用 改进的多元醇法, 制备出有机溶剂质量含量低于 4 % 的高浓度纳米银焊膏用于无压烧结互连。该种焊膏引 入聚乙烯吡咯烷 ( polyvinyl pyrrolidone, PVP) 作为 银纳米颗粒有机层, 凭借 PVP 能够在空气中加热分 解的优势, 实现纳米银的无压烧结, 烧结后的结构剪 切强度高达 25 MPa, 符合电子封装器件互连中的使 用要求。纳米银焊膏中的银颗粒通常其粒径尺寸单 一, 研究表明, 纳米银膏通过采用微米银和纳米银等 混合银颗粒烧结的方式, 能够较好实现烧结层的无压 互连, 既改善了烧结层的质量, 又降低了生产成本。
LI 等制备的 1 种新型的多尺度纳米银焊膏, 包含 纳米银 和 微 米 银 颗 粒, 应 用 到 尺 寸 为 5. 5 mm × 5. 5 mm 的 IGBT 芯片与裸铜陶瓷衬板的焊接界面, 在 265 ℃的加工温度以及无压力烧结条件下, 剪切强 度可以达到 53 MPa。
烧结温度对于纳米银焊膏的烧结质量具有很大的影响。烧结温度太低, 使得纳米银焊膏处于以表面扩 散为主的非致密化烧结过程中, 有机溶剂难以挥发出 去, 阻碍着纳米银颗粒之间的颈连, 导致烧结质量的 降低; 烧结温度较高, 高温下发生的晶界扩散和塑性 流动使焊膏实现快速致密化, 烧结层的空隙数量减少。
但是, 较高的温度会使空隙尺寸增大, 而在大孔 处易发生应力集中现象, 进而影响功率器件的寿命。文献报道的烧结温度在 200 ~ 300 ℃ 之间 , 因纳 米银焊膏的成分而异。此外, 通常采用阶梯式升温曲 线进行无压烧结, 升温的速度取决于焊膏的有机溶剂 的种类和含量。确定升温速率的原则是在烧结前确保 焊膏中的有机物充分消耗, 不形成裂纹或分层现象, 烧结开始时应尽可能提高升温速率, 促进致密化烧结。
2 新型互连工艺
目前普遍应用的纳米银焊膏烧结工艺大多采用上述基于热板或环境加热方法等实现芯片互连界面的连 接, 但也存在其局限性。通常受限于工艺复杂化, 耗时长以及难以与现有焊接设备兼容等问题。研究人员 也在探索各种新型工艺来实现纳米银快速烧结互连, 促进纳米银烧结技术更加广泛便捷地应用。
在不影响烧结银互连界面的致密性和性能的情况下, 一些学者研究了激光烧结, 通过控制激光束的强度和时间, 大大缩短了烧结时间, 提高了封装的效 率。LIU 等采用激光辅助快速烧结工艺, 实现了 芯片与基板的连接。通过激光照射 2~5 min 与传统的 热板烧结工艺相比, 有着更高的剪切强度。
在印刷焊膏贴片后, 无压烧结过程中引入超声波能量有望使纳米银焊膏致密化烧结。LI 等 采用这 种超声波辅助方法实现大尺寸芯片 (10 mm×10 mm) 与镀银铜衬板的焊接, 随着超声功率的加大或者延长使用时间, 都可提高烧结银接头的剪切强度。但在对其烧结结构的截面进行检测时, 芯片的边缘区域存在银烧结过程滞后, 烧结非致密化的问题, 这对互连界 面的可靠性有着一定的影响, 还需要再进一步地探索研究。
电流辅助烧结可以在极短的时间内通过电流热效 应使得纳米银颗粒局部熔化, 通过急速升温产生大量 的焦耳热, 使得焊膏中的有机溶剂迅速挥发, 进而使 银颗粒在极短时间内实现烧结。XIE 等借助电流 辅助烧结技术, 实现了大尺寸 IGBT 芯片 (13. 5 mm× 13. 5 mm) 与覆铜陶瓷基板之间的纳米银烧结, 仅用 10 s 就实现了快速烧结。与常规热压烧结相比, 孔隙 率降低了 13. 2%, 连接强度提高了 6. 9 MPa, 充分展 现了电流辅助烧结方法的优势。
3 互连结构可靠性
功率电子器件在服役期间要经受高温高压等恶劣环境的考验, 加之自身功率密度的提升也会产生大量 的热量, 造成器件温度的上升, 进而影响功率电子器件的寿命和可靠性。其芯片连接界面材料的散 热能力与互连结构在高温高功率载荷下的可靠性和器件的整体性能密切相关。在封装互连界面的可靠性测试过程中, 上述提到的剪切强度是判断连接结构强度的方式之一, 还包括温度循环试验、 机械循环试验、 电-热-机耦合循环试验等。
对于温度循环试验, 由于封装系统中不同材料之 间的 热 膨 胀 系 数 ( coefficient of thermal expansion, CTE) 不匹配, 例如 SiC 芯片的 CTE 为 4. 0 × 10 -6 K -1 , 而纳米银焊膏烧结材料的 CTE 为 1. 9×10 -5 K -1 , 热循环测试会导致连接层产生热机械应力, 发生断裂 或分层现象, 影响器件的性能和可靠性 。
SIOW 等在镀银铜基板结构上, 通过-65 ~ 150 ℃ 热循环 试验, 发现热应力是产生裂纹和界面分层的主要原 因, REGALADO 等发现结构翘曲变形可能导致热 循环下烧结银层中间裂纹扩展速度高于周围, 为了进 一步探索裂纹的变化, YANG 等对 Cu / Mo 结构进 行了-50~150 ℃下的热冲击试验, 裂纹在靠近 Cu 芯 片界面银层产生, 在纵截面内竖直扩展贯穿银层, 在 靠近 Mo 板的界面沿横截面水平扩展, 1 000 次循环后剪切强度仍然接近初始剪切强度的 50%。
对于机械循环试验, 李欣等采用了应力或应 变控制方式对纳米银焊膏搭接结构在室温和高温下的 力学性能进行了全面的试验和理论研究, 考察了平均 应力、 应力幅值和环境温度对接头可靠性的影响。TAN 等和 CHEN 等系统地研究了烧结银结构在 不同温度下的疲劳、 棘轮和蠕变-棘轮行为, 并分别 采用 Basquin 模型、 修正 Basquin 模型和平均应变率 模型预测了疲劳寿命。CHEN 等把连续性损伤变 量与经典粘塑性本构模型相耦合描述了温度相关的单 轴棘轮。经验证烧结银具有良好的热机械可靠性, 主 要是由于其弹性模量低, 在半导体和衬底之间形成一 个良好的机械缓冲层, 来调节由于 CTE 失配而引起 的热应力问题。
对互连层的可靠性研究多集中在其剪切强度等力学性能以及导热电性能和疲劳寿命等, 缺乏对其低温 烧结互连结构的电、 热、 力等宏观物理性能三者间的 科学关系。陈民铀等提出了一种基于电-热-机械 应力分析模型, 研究了连接层不同失效程度对功率模 块性能的影响。能立强等基于电-热-力耦合仿真 分析了缓冲层以及衬板的厚度对烧结银层的影响，通过响应面优化方法使封装互连层疲劳寿命提高了20.2%。
基板级无压烧结工艺
1 技术瓶颈
纳米银烧结技术不仅在芯片级别小面积互连领域已经商业化, 在基板级别大面积互连领域也具有广阔 的应用前景。基板级别有压烧结技术已经成熟并产业 化, 但基板级无压烧结技术的实现存在以下瓶颈。首 先, 烧结面积显著影响烧结工艺: 面积越大, 烧结质 量越不均匀, 伴随烧结驱动力需求的提高, 导致封装 成本升高; 其次, 相比于小面积烧结, 大面积有机物 的含有量增大、 分解释放的气体和氧扩散路径增加, 限制了氧气对连接层中心区域下的银粘合剂的热解, 在焊膏层及连接界面产生高而不均匀的孔隙, 形成大 量气道和空洞等缺陷, 进而使烧结致密化程度不足, 造成封装互连可靠性和散热效果的降低; 最后, 由于 功率模块中芯片和基板的 CTE 差异较大, 在复杂环境服役的过程中, 将面临着更高的 “热-机械” 应 力, 容易导致粘接层分层失效和基板翘曲等现象出 现, 从而造成模块与散热器接触不良的问题, 在大面 积领域以及环境温度变化剧烈时, 现象更加明显, 限 制了纳米银烧结技术在基板级别大面积互连领域的应用。
2 基于双印法的烧结工艺
文中试验采用的纳米银焊膏由 NBE 科技公司 (Blacksburg, VA, USA, https: / / www. nbetech. com/ ) 提供, 由纳米银颗粒、 微米银片 (厚度为纳米级别) 和有机溶剂组成, 其微观形貌如图 3 所示。采用基于 双印法的烧结工艺, 以促进纳米银焊膏中有机溶剂分 解和气态产物的排出。在制备的烧结银互连样品时, 选择直径为 25. 4 mm、 厚度为 2. 0 mm 的铜和镍含量 为 35. 4%的铁镍合金作为基体。烧结前对这两种基 体进行电镀银的预处理, 一方面银与纳米银焊膏之 间有着良好的适配性, 起到促进粘接的作用; 另一 方面, 镀银层可以防止铜板的氧化, 避免破坏材料的性能。
基于双印法的烧结工艺曲线和烧结流程分别如图 4 和图 5 所示。
具体的烧结过程为:
1) 将分别镀银的铜基板和 铁镍合金基板在超声波清洗仪中清洗 10 min, 以去除 表面的杂质;
2) 采用丝网印刷控制厚度的方式, 将 100 μm 厚的纳米银焊膏均匀预涂覆在铁镍合金基板 的表面;
3) 采用开放对流干燥的形式, 在 90 ℃下干 燥 20 min, 干 燥 后 焊 膏 厚 度 约 80 μm;
4 ) 采 用 100 μm 厚的丝网, 在第 1 层焊膏层上涂覆第 2 层较 薄的湿焊膏 (约 20 μm);
5) 将铜基板对接在涂有 焊膏的铁镍合金基板上, 形成 “三明治结构”, 并施加 3 MPa 压力后卸压;
6) 采用阶梯升温曲线 (图 4), 升温至 265 ℃ , 无压烧结 60 min 后随炉冷却至室温。
需要指出, 烧结前施加 3 MPa 的压力使第 2 层湿 润的焊膏变形, 促进了焊膏与基板界面的紧密接触, 进而在卸掉压力、 无压烧结过程中加速银原子的扩 散, 促进烧结致密化。此外, 为了确保有机溶剂充分 消耗, 避免形成裂纹或界面剥离, 以 0. 5 ℃ / min 的 速率缓慢升温至 265 ℃ 进行烧结, 期间在 90 ℃ 和 180 ℃分别保温 90 min。
3 工艺优化
针对上述双印法烧结工艺, 采用控制单一变量的 对比试验, 对烧结工艺进行优化, 基于超声波扫描成 像技术对烧结效果进行表征, 探究焊膏成分和粘接面 积对烧结质量的影响。
焊膏成分的影响
针对上述烧结工艺, 为研究焊膏成分对烧结质量 的影响, 采用直径为 φ22 mm 的粘接面积进行 3 组烧 结试验。其 中 第 1 层 焊 膏 的 银 含 量 分 别 为 89%, 91%, 89%, 第 2 层焊膏的银含量分别为 89%, 82%, 82%。图 6 给出了不同焊膏成分下烧结结构的超声扫 描成像图, 其中深灰色区域为有效粘接区域, 白色区 域为界面剥离区域。利用 Image J 软件对图 6 中的超 声扫描成像图进行处理, 计算有效粘接面积比例 (深灰色区域面积/ 总粘接面积×100%)。3 组试样的 有效粘接面积比例分别为 80. 3%, 87. 8%, 95. 1%。对比发现, 当两层焊膏的银含量分别为 89%和 82% 时 (图 6 (c) ), 烧结质量最佳。
针对第 1 层焊膏, 相比于 91%, 银含量为 89%时 烧结质量较好 (图 6 (b)、 (c) )。这是因为焊膏中 有机物含量过高 (91%) 会影响焊膏的润湿性, 不利 于基板和焊膏的界面接触。第 2 层焊膏厚度较薄, 印 刷难度较大。为了保证均匀印刷和印刷表面平整, 相 比于第 1 层焊膏 (有机溶剂含量 11%), 第 2 层焊膏 中有机溶剂含量 (18%) 进一步提高, 能够使焊膏有 较好的流动性以及湿润性, 利于上层基板放置时的平 稳性和与焊膏层的良好接触。因此, 第 1、 2 层焊膏 的银含量分别为 89%, 82%时, 烧结效果最佳。
粘接面积的影响
采用上述第 1、 2 层银含量分别为 89%和 82%的 焊膏, 进行粘接直径分别为 φ10, φ16, φ22 mm 3 组 烧结试验, 烧结结构的超声扫描成像图如图 7 所示。进一步, 通过 Image J 软件对超声扫描成像图进行处 理, 测得 3 组烧结试验下结构的有效粘接面积占比分 别为 84. 6%, 85. 5%, 95. 1%。可以发现, 3 种粘接 面积下均可获得较好的烧结质量。同时, 印刷面积越 接近基板面积时, 烧结效果越好。
4 烧结机理
针对无压烧结, 液相有机溶剂可以有效促进银颗 粒和基板之间的界面接触。在烧结过程中, 有机溶剂 只能从两块基板之间狭窄的区域挥发。随着粘接面积 的增加, 有机溶剂含量和溶剂挥发气道距离同时增 加, 如图 8 所示。文中所引入的基于双印法的烧结工 艺, 一方面在确保焊膏和基板界面有效接触的前提 下, 尽量减少有机溶剂的含量 (第 2 层湿润焊膏的厚 度仅有 20 μm); 另一方面采用阶梯式缓慢升温烧结 曲线, 促进有机物充分挥发; 进而实现大面积无压烧 结, 获得较好的烧结质量。
毛细效应 ( 毛细现象是指内径细长的毛细管, 液体能够在毛细管中上升或下降的现象) 可以促进 有机物的挥发。在第 1 层焊膏干燥后, 银颗粒之间形 成许多弯曲的微、 纳米尺寸的毛细孔道, 引发的表面 效应可以有效促进有机溶剂的挥发。
一方面, 流体分子在每个孔隙是分布不均匀的, 并且分子间的距离变 小, 分子间的力很大, 影响着流体-孔-壁相互作用, 表现在孔隙润湿性; 另一方面, 有机溶剂等液体分子在膨胀多孔的材料中会引入 1 种众所周知的吸附现 象, 伴随分子间力的作用会产生多个分子层的吸附, 易在弯曲的两相界面形成压力差, 直到打破某种平 衡, 形成新的凝聚相, 从而产生毛细管凝聚现象, 可以强烈地改变流体分子与孔壁间的粘附、 润滑、 摩擦 和腐蚀等性质。基于上述两个方面, 溶剂在微小 的孔道或者壁面形成的气液界面将提供液体往垂直液 面抽吸的毛细力, 促使溶剂从焊膏中蒸发出去。
根据扩散理论, 大面积烧结时, 烧结层的四周与外界空气充分接触, 能够快速地扩散和挥发, 使外层的焊膏迅速干燥, 同时在温度的加持下, 依靠浓度差 和毛细力的作用, 膏体内部的有机溶剂会通过这些微 小的孔道扩散蒸发出去, 使其内部焊膏充分干燥。
以上理论可以合理解释基于双印法的烧结工艺能 够在不同的粘接面积下均能实现可靠烧结。需要指出, 毛细效应加速了银粒子向基体顶部的扩散, 提升 了界面结合的能力, 从而有利于基板与焊膏的充分连接。
5 工艺研发趋势和应用前景
基于双印法的无压烧结工艺, 在实用性方面, 为 基板级别大面积无压互连领域提供了 1 种可行方案; 在工艺方面, 提供了烧结层致密化的 1 种有效方式; 通过工艺手段促进有机溶剂分解和气态产物的排出, 达到提高烧结质量的目的。
对于提到的基板级别大面积无压烧结瓶 颈, 未来可以在以下几个方面进行探索研究。
1) 为了在无压或者较低的烧结压力下有效地实现烧结银的牢固连接, 未来可以结合新的热源, 如电流、 激光、 超声波等, 缩短烧结周期和克服烧结缺陷等, 实现纳 米银的低温无压烧结;
2) 改善纳米焊膏中的有机层 和有机溶剂, 以优化烧结层致密性, 克服 “热-机 械” 应力高等问题;
3) 选取不同颗粒尺寸的复合浆 料, 其中, 纳米银颗粒用作 “填充物” 填充微米颗粒之间的空隙提高初始堆垛密度, 纳米银的高表面能易于扩散, 有利于快速形成烧结颈, 使其在相对较低 的温度下将颗粒表面连接在一起。同时, 微米银颗粒由于颗粒尺寸较大, 用作 “框架” 稳定烧结后的最终结构。
另外, 纳米银焊膏配方的 1 个新兴趋势是将 SiC、 碳化钛 ( titanium carbide, TiC) 和六方氮化硼 (hexagonal boron nitride, h-BN) 等微米颗粒加入到纳米银焊膏中改善烧结银接头的热膨胀问题 ;
4) 以 上 3 种介绍是从焊膏成分做出的改进, 同样从烧结设备、 功率模块结构优化等间接方面出发, 也可以实现纳米银焊膏在基板级领域的无压烧结。
纳米银无压烧结技术随着芯片封装、 电子焊接等微电子领域的快速发展, 使其在第 3 代半导体器 件封装中有着很好的应用前景, 已成为高功率电力电子器件封装研究的关注点, 尤其是在移动通信、 航空航天、 高速轨道交通、 新能源汽车等领域受到广泛关注。
纳米银无压烧结技术适用于高温功率模块封装互连领域, 目前在芯片级别互连领域逐渐推广应用, 在 基板级别互连领域方兴未艾。文中介绍了芯片级纳米 银无压互连工艺和可靠性, 分析了基板级别无压烧结领域的挑战, 并在此基础上研发了一种双层印刷焊膏 (双印法) 的基板级无压烧结工艺, 此创新工艺有利 于气态产物的排出, 对基板级别互连领域提供了一种 烧结致密化的有效方式。
对比分析双印法烧结工艺中焊膏成分、 粘接面积对烧结质量的影响及相关机理, 研究发现, 当选用银含量为 89%和 82%的焊膏分别作为第 1 层和第 2 层印刷材料时, 烧结效果最佳; 该烧结工艺对于烧结面积小于基板面积时有着良好的适 配性; 在基板级大面积烧结过程中, 通过形成微小湿润的多孔道, 加强了毛细效应的影响, 从而有助于有 机溶剂的快速挥发, 达到提升烧结质量的效果。
实现纳米银低温无压封装的可靠互连, 促进功率模块的高温可靠应用是电力电子器件发展的主要趋势。未来的研究重点可从材料、 烧结工艺、 可靠性等角度出发, 在烧结银优良特性的基础上, 实现高质量的导热电性和高可靠性的机械连接界面, 提高封装器件的整体性能和服役可靠性。
1.在SIC或IGBT等功率器件中为什么采用银烧结技术
传统IGBT功率模块中，芯片通过软钎焊接到基板上，连接界面一般为两相或三相合金系统，在温度变化过程中，连接界面通过形成金属化合物层使芯片、软钎焊料合金及基板之间形成互联。目前电子封装中常用的软钎焊料为含铅钎料或无铅钎料，其熔点基本在300℃以下，采用软钎焊工艺的功率模块结温一般低于150℃，应用于温度为175-200℃甚至200℃以上的情况时，其连接层性能会急剧退化，影响模块工作的可靠性。
封装是承载器件的载体，载体具有可靠性，耐高温，高寿命，高传导这在汽车行业军工行业中以及高精密装备中也是大家的共识。
银烧结技术也被成为低温连接技术（Low temperature joining technique,LTJT），作为一种新型无铅化芯片互连技术，可在低温（＜250℃）条件下获得耐高温（＞700℃）和高导热率（~240 W/m·K）的烧结银芯片连接界面，具有以下几方面优势：
①烧结连接层成分为银，具有优异的导电和导热性能；②由于银的熔点高达（961℃），将不会产生熔点小于300℃的软钎焊连接层中出现的典型疲劳效应，具有极高的可靠性；③所用烧结材料具有和传统软钎焊料相近的烧结温度；④烧结材料不含铅，属于环境友好型材料。
表 互连材料性能对比
相对于焊料合金，银烧结技术可以更有效的提高大功率硅基IGBT模块的工作环境温度及使用寿命。目前，银烧结技术已受到高温功率电子领域的广泛关注，它特别适合作为高温SiC器件等宽禁带半导体功率模块的芯片互连界面材料。
2.银烧结技术原理
银烧结技术是一种对微米级及以下的银颗粒在300℃以下进行烧结，通过原子间的扩散从而实现良好连接的技术。所用的烧结材料的基本成分是银颗粒，根据状态不同，烧结材料一般为银浆（银膏）、银膜，对应的工艺也不同：
银浆工艺流程：银浆印刷——预热烘烤——芯片贴片——加压烧结；
银膜工艺流程：芯片转印——芯片贴片——加压烧结。
芯片转印是指将芯片在银膜上压一下，利用芯片锐利的边缘，在银膜上切出一个相同面积的银膜并粘连到芯片背面。
上图 银烧结技术工艺流程
以纳米银浆为例，如下图所示，在烧结过程中，银颗粒通过接触形成烧结颈，银原子通过扩散迁移到烧结颈区域，从而烧结颈不断长大，相邻银颗粒之间的距离逐渐缩小，形成连续的孔隙网络，随着烧结过程的进行，孔洞逐渐变小，烧结密度和强度显著增加，在烧结最后阶段，多数孔洞被完全分割，小孔洞逐渐消失，大空洞逐渐变小，直到达到最终的致密度。
上图 银浆烧结互联示意图
烧结得到的连接层为多孔性结构，孔洞尺寸在微米及亚微米级别，连接层具有良好的导热和导电性能，热匹配性能良好。
3、银烧结技术在功率模块封装的应用
作为高可靠性芯片连接技术，银烧结技术得到了功率模块厂商的广泛重视，一些功率半导体头部公司相继推出类似技术，已在功率模块的封装中取得了应用。
2006年，英飞凌与开姆尼茨工业大学（Chemnitz University of Technology）等高校，采用银烧结技术的功率模块进行了高温循环测试。在Easypack功率模块中分别采用了单面银烧结技术和双面银烧结技术，测试结果表明，相对传统软钎焊工艺模块，采用单面银烧结技术的模块寿命提高5~10倍，采用双面银烧结技术的模块寿命提高10倍以上。2012年，英飞凌推出.XT封装连接技术（英飞凌高可靠封装与互连技术的统称），采用了扩散焊接工艺，在封装中实现了从芯片到散热器的可靠热连接。
2007年，赛米控推出的功率模块技术SKiNTER，利用精细银粉，在高压及大约250°C温度条件下烧结为低气孔率的银层。其功率循环能力提升二至三倍，而且高运行温度下的烧结组件长期可靠。如下图所示，与烧结模块相比，焊接模块由于散热性差，很早就会因焊接老化引起芯片温度上升。芯片与DCB之间为烧结结合的模块使用寿命更长。
焊接功率模块与烧结功率模块最终的失效机理
焊接功率模块与烧结功率模块最终的失效机理，来源：赛米控
2015年，三菱电机采用银烧结技术制作出功率模块，循环寿命是软钎焊料（Sn-Ag-Cu-Sb）的5倍左右，并且三菱电机自主开发了加压烧结的专用设备。
如今，银烧结技术已经成为宽禁带半导体功率模块必不可少的技术之一，随着宽禁带半导体材料（SiC、GaN）的发展，银烧结技术将拥有良好的应用前景。
随着汽车的电子化和EV、HEV的实用化以及SiC/GaN器件的亮相等，车载功率半导体正在走向多样化。比如，不仅是单体的功率MOSFET，将控制IC（电路）一体化了的IPD（IntelligentPowerDevice）也面世且品种不断增加。多样化了的车载功率半导体，尤其是EV和HEV用车载功率半导体的耗电量不断增加，为了应对这个问题，就要求封装实现（1）低电阻、（2）高散热、（3）高密度封装。而烧结银工艺正是解决这一难题的关键技术。压力，温度和时间是烧结质量的主要影响因素，镀层类型和质量，芯片面积大小和烧结气氛保护也是需要考虑的重要因素。
银烧结技术的挑战与发展趋势
尽管银烧结技术在功率电子领域及其他应用领域展现出诸多优势，但仍面临一些挑战和问题，需要不断研究和改进。
设备成本：银烧结技术所需的设备和材料成本较高，这对于大规模推广和应用产生一定阻碍。未来需要在降低成本和提高生产效率方面取得突破。
工艺控制：银烧结工艺参数对互连层的性能有很大影响，因此对工艺参数的控制非常关键。进一步研究和优化工艺参数，提高银烧结连接层的性能和可靠性是未来发展的重点。
环境稳定性：银烧结连接层可能受到外部环境因素的影响，如湿度、氧化等，影响其长期稳定性。因此，未来需要研究改进烧结材料的环境稳定性，以适应更广泛的应用需求。
纳米银焊接技术拓展性：柔性3D打印技术近年来研究柔性线路，柔性传感，神经传感，纳米银抗菌材料等新型应用行业；
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型号- CRSM076N04N2Z,CRXB10D065G2,CRTD080N02U2-G,CRMV0318D,CRTT048N08N,CRG75T60AK3SD,CRTS030N04L,CS4N90FA9HD,CRJL99N65G2,CS630FA9H,CRTS025N04L2-G,CRXQ40D065G2,CS4N80ARHD-G,CS630FA9R,CR7N60A4K,CS55N10AQ3-G,3DG3001A1-H,CS16N06AE-G,CS45N06A3,CRMM4976C,CRTK055N03L2P,CS45N06A4,CRTS150N15N,CS5N20A4,CS5N20A3,CS7N70A4R-G,CRGMF800T120DS1AH,CRJW125N60G2F,CRGMF50T120FSC,CS12N70FA9H,CRG30T65A05SDZ,CS50N20ANR,CRJT99N65G2,2CR60K60AND,CRXQF60M065G1,CRTD370P10L,CRSS056N07N,CR7N60A3K,CS460FA9H,CRGMP40T120DV2A3,CRG75T60AK3H,CRJQ30N60G2F,CRJF550N65G2,D92-02,CRTD055N03L,CS24N60ANR,CRM50TD04R1,CRMM4978C,CRTT056N06N,CS5N60A3H,CS4N65A3R,CRST113N20N,2CR15K120A8C,CRG75T65BK5HD,CRXB20D120G2,CRTT019N03L2-G,CRM50TA04E1,CRTH105N06L,CR2N60A4K,CS10N40A8R,CRMR0410D,CRG 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【选型】爱浦电子（Aipulnion）DC-DC模块电源/AC-DC模块电源/通讯隔离收发模块选型指南
目录- DC-DC模块电源 隔离收发模块 DC-DC（1-3W）定电圧输入隔离模块 DC-DC 非隔离模块 DC-DC（6-75W）宽电压输入隔离稳压输出 DC-DC（100-400W）宽电压输入隔离稳压输出 AC-DC模块电源 AC-DC（3-6W）智能家居 物联网隔离模块 AC-DC（10-25W）高性能标准隔离模块 AC-DC（30-75W）隔离模块 AC-DC（100-200W）隔离模块 产品安全使用注意事项和电源模块的测试
型号- UA25-220E0512H2,FN1-15D24B3N,DA150-220SXXG9N3 SERIES,FN1-XXDXXH6,FD30-36S09B3C,FD50-24S15B3C,BK20-H1N4,FD20-A3 SERIES,FD15-18S05A3,FD15-36S12A3,FD20-18D05A3C,FD12-36S15A32,FD20-110SXXA33-T SERIES,FD30-36S24B3,FN1-15S24BN,UA15-F2D4,WD150-110S12Q1,FN1-12S12H6,FN2-05S05H6,FD50-24S3V3B3C,FN1-05S3V3AN,FK1-05D12E3,WD100-48S12N1,FK1-12S05E3,VD150-110S12N1,FD30-24S12A3,NN1-3V3S15ANT,FA3-220SXXB9D4,FD12-110S3V3A3,FD12-18D05A3,FW2-XXSXXC,FD20-36S3V3A3C,FA15UA15-F2D4,FW2-12S12C,RS485-05LSSV,WD150-48S12N1,FN1-H6 SERIES,FD30-48S3V3A3,NN1-3V3S3V3ANT,UA15-F2A SERIES,DA45-220T05XXXXG9N3,FK1-24S12E,FK1-05D12E,FN1-15D15BN,FA30-220SXXH2,FA30-220SXXH2-TS,RSCAN-XXXSXX SERIES,KW6-18S3V3E2C3,FW2-C3,FD6-36S15A3,FD6-36S3V3B2C5,FD30-XXSXXB3-T,WD100-48S12Q1,WD150-24S12N1,NA150-220SXXL1 SERIES,FD15-36S3V3A3C,BK20-600S24H1N4,FN1-05S05B3N,FW1-12S05B,FDXX-B2C5 SERIES,FA15-F2 SERIES,WD300-48S24P1,FK3-05S24E,FN1-12D12BN,CK6-E2 SERIES,FN2-05D05CN,FA6-220S09D2,FK1-05S12E3,BK25-500S24H1N4,FD12-110SXXA33 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阿基米德半导体ACP-2高效三电平功率模块获得市场认可：预计2024全年出货量有望突破20万只
阿基米德半导体推出的第一代适用于105kw功率段的三电平模块ACP-2系列，一经推出就获得行业同类模块效率领先地位，阿基米德紧跟行业步伐，在此基础上进一步推出了更高效率的针对125-150kw功率段的ACP-3S功率模块，并处于持续放量中。
国内新能源汽车未来发展，最核心的技术是什么？
近年来，中国新能源汽车市场发展迅猛。根据中汽协数据显示，2023年，中国新能源汽车销量达到了949.5万辆，同比增长37.9%。预计2024年，中国新能源汽车销量可能将达到1200-1300万辆，并占据全球新能源汽车总销量的约60%。新能源汽车的迅猛发展，倒推车规级碳化硅SiC功率器件的需求也呈井喷式增长。
模块化储能PCS技术“大比武”，功率IGBT模块是核心
本文讨论了模块化储能PCS技术在储能领域中的快速发展和应用，强调了其因分布式场景多样化和储能安全、经济需求而得到重视。文章还详细介绍了部分企业的模块化储能PCS产品和技术特点，此外，文章还提到了模块化PCS技术在应对系统能量密度提升、削峰填谷、电力稳定等方面的优势。整体而言，模块化储能PCS技术正逐渐成为储能领域的重要发展方向，为分布式能源和智能电网的发展提供了有力支持。
【元件】新品速递！铭普光磁推出19英寸模块化储能系统，最大输出功率5760W，助力5G基站节费
mentech铭普光磁模块化储能系统通过模块化设计、支持多种电池接入以及实时监控功能，助力运营商提升能效，实现绿色能源的可持续发展。铭普光磁多年来致力于通信网络能源领域的研究，成功研发出了模块化储能系统，该系统把双向DC/DC变换部分做成模块，DC/DC变换模块和储能电池模块为两个独立的部分。
阿基米德半导体解析SiC功率模块串扰机理及解决方案
串扰问题（Cross talk）半桥电路中，SiC MOSFET芯片开关动作引起另一个SiC MOSFET芯片开关的栅源极电压波动的问题，分为正向串扰和负向串扰。本文阿基米德半导体将为您介绍SiC功率模块串扰机理及解决方案。
ROHM(罗姆) IC/功率器件/分立式半导体/无源元件/光学器件/模块 选型指南
描述- ROHM launched the ComfySIL™ brand for customers involved in the design of functional safety to use products that support SIL (Safety Integrity Level) in a ‘Comfy’ (comfortable) manner, and for social systems' greater safety, security, and convenience to which ROHM can contribute through its products.
型号- DTC143TE3,KA2004-H05N20A,ML62Q20XX,RCJ220N25,SML-S13UT,DTC143TEB,RSX101VYM30,SML-D12M8W(C),SDR,R6002JND4,BD60A00NUX,RB238NS150,SML-D12Y8W,SMLA12BN8T,MG6405WZ,BDJ0GA3VEFJ-M,SML-811UT (A),SML-010VT,BD94130EFV-M,DTA124XM,BM2SC123FP2-LBZ,RS3L110AT,RB298T100,DTC143TCA,RSS060P05,BD71L4LG-1,SFR,BR25A512,RGPR20BM36HR,BD95821MUV,BD6995FV,KD2002-G0JB10A,BU23TD2W,SML-S13VT,BD12IC0WEFJ,BU97941FV,SLI-325YC(W),RQ5L015SP,BH7673G,SML-811UT (C),BD52XXG-2C,BD6046GUL,RGW60TS65HR,BD10KA5WFP,BA03CC0FP,SML-D12Y3W,BM6241FS,BD450S5FP2-C,MH2206WZ,BD63521EFV,BU94702AKV,SML-S13PT,RB168MM200,DTC144WCA,BD22621G-M,SLI-343URC,RS6R035BH,BDJ2FC0WFP,RGT20NL65,DTD123TC,DTA015TUB,BD750L5FP-C,BM521Q25F,R8003KNX,BD52XXG-1 SERIES,SML-D12D8W (C),DTA023YEB,UCR006,BD95514MUV,BD9S200MUF-C,SML-H10PD2B,DTD123TK,RFN6T2D,IMX25,BD80FD0WHFP,R6000ENH,SML-S13RT,BU64253GWZ,BD70GC0VEFJ-M,BD52XXG-2M,RBR2LAM30A,CSL0902DT 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