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选择单向还是双向TVS ?
瞬态电压抑制器简称TVS,它采用半导体工艺制成的多个PN结、BJT、SCR、MOSFET、集成电路构成的器件,是一种高效电路保护器件,可用于防静电的ESD、防瞬态过电压EOS、抗干扰EFT、防雷击Surge、吸收浪涌功率等。应能微面向所有企业客户免费测试整改ESD静电以及EOS/Surge浪涌冲击全套服务。
应能微TVS&二极管选型表
应能微提供以下技术参数的TVS选型,VRWM:1V~80V,Cj Typ:0.15pF~3700pF,IR Max:0.02μA-600μA,PPP:10W-8000W;二极管选型,VRWM(V):45V,Cj Typ(pF):90pF、25pF。
产品型号
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品类
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UNI/BI
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Line Config
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VRWM(V)
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VBR Min(V)
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Cj Typ(pF)
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IR Max(μA)
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PPP(W)
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Package
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ASK45V1RD3
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Schottky Barrier Diode
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Bi
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1-Line
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45
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40
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90
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100
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0.32
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SOD-323
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选型表 - 应能微 立即选型
AU0921P1单线双向TVS二极管
描述- 该资料介绍了AU0921P1双向TVS二极管,这是一种利用先进单晶硅技术制造的器件,具有快速响应时间和低ESD钳位电压。它适用于保护敏感数据和电源线路,符合IEC 61000-4-2(ESD)标准。
型号- AU0921P1
AU3341P1单线双向TVS二极管
描述- AU3341P1是一款双向TVS二极管,采用先进的单晶硅技术,提供快速响应时间和低ESD钳位电压。该器件符合IEC 61000-4-2(ESD)标准,适用于保护敏感数据和电源线。
型号- AU3341P1
APL0501A/B, APO2003D/H, CM1623T, AR2421P0, AR3621P0, AU0581P1A, AU0791P1–主动式电容笔技术及应能微 APM 优势产品方案应用笔记
型号- AR3621P0,AU0581P1A,APL0501A,APO2003H,AR2421P0,APL0501B,CM1623T,APO2003D,AU0791P1
主动式电容笔技术及应能微APM优势产品方案
应能微(APM)负载开关APL0501A/B,静态工作电流和待机电流是业界同类产品的 1/2~ 1/10,可极大的延长电池待机时间和使用寿命。集成过压保护和过流保护功能的芯片APO2003D/H,采用小封装DFN-2x2-8L,非常适合USB Type-C电源口的过压过流保护,适用于主动式电容笔及可穿戴类产品。
AU18V21P0单线双向TVS二极管
描述- 该资料介绍了AU18V21P0双向TVS二极管,这是一种采用先进单晶硅技术制造的18伏双向瞬态电压抑制器(TVS)二极管。它具有快速响应时间和低ESD钳位电压的特点,适用于保护敏感数据和电源线路。该器件符合IEC 61000-4-2 (ESD)标准,并采用超小型无铅DFN0603-2封装。
型号- AU18V21P0
AU3371D1单线单向TVS二极管
描述- 该资料介绍了AU3371D1单向TVS二极管的特点和应用。这是一种利用先进单晶硅技术制造的快速响应时间低ESD钳位电压的二极管,适用于保护敏感数据和电源线路。它符合IEC 61000-4-2(ESD)标准,具有小型化和高ESD浪涌保护功能,适合用于手机、数码相机、音频播放器等多种便携式设备。
型号- AU3371D1
AU1221P1L单线双向TVS二极管
描述- 该资料介绍了AU1221P1L双向TVS二极管,这是一种采用先进单晶硅技术的12V双向TVS二极管,具有快速响应时间和低ESD钳位电压的特点。它符合IEC 61000-4-2(ESD)标准,并采用超小型无铅DFN1006-2封装。适用于保护手机、数码相机、音频播放器等多种便携式设备的数据和电源线。
型号- AU1221P1L
LC03-6低电容TVS
描述- 该资料介绍了LC03-6低电容TVS阵列的特性、应用和规格。它是一种结合了TVS二极管和整流桥的6V 100A低电容TVS阵列,提供共模和差模瞬态保护。符合IEC 61000-4-2(ESD)标准,具有±30kV空气放电和±30kV接触放电能力。适用于电信安装的内建瞬态免疫要求和为10/100/1000 BaseT以太网和T3/E3接口等应用提供过压保护。
型号- LC03-6
AU3621M0单线双向TVS二极管
描述- 该资料介绍了AU3621M0双向TVS二极管,这是一种利用先进单晶硅技术提供快速响应时间和低ESD钳位电压的二极管。它符合IEC 61000-4-2(ESD)标准,具有±30 kV空气和±30 kV接触放电能力。该器件适用于保护敏感数据和电源线,采用超小型0201封装。
型号- AU3621M0
ASMF05 4线TVS阵列
描述- ASM F05是一款5V TVS阵列,采用先进的单晶硅技术,提供快速响应时间和低ESD钳位电压,适用于保护敏感的高速数据线。该器件符合IEC 61000-4-2(ESD)标准,具有±30kV空气放电和±30kV接触放电能力。它采用无铅SOT-353封装,适合用于便携式电子产品。
型号- ASMF05
AR8001S2单线低电容TVS
描述- AR8001S2是一款低电容TVS二极管,采用先进的单晶硅技术,提供快速响应时间和低ESD钳位电压,适用于保护敏感的高速数据线。该器件具有非常低的典型电容值(0.75pF),符合IEC 61000-4-2(ESD)标准,具备±30kV空气和±30kV接触放电能力。它采用无铅3引脚SOT-23封装。
型号- AR8001S2
AR3621P0单线超低电容双向TVS二极管
描述- AR3621P0是一款双向TVS二极管,采用先进的单晶硅技术,提供快速响应时间和低ESD钳位电压。该器件具有极低的电容(典型值为0.3pF),符合IEC 61000-4-2 (ESD)标准,适用于保护高速数据线。
型号- AR3621P0
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