森未科技将携新能源领域最新研发产品亮相2024 SNEC国际储能展,邀您共同开启绿色能源新篇章
在这个充满生机与活力的9月,2024 SNEC ES+第九届国际储能展即将启幕。9月25至27日,一起探索储能技术无限可能。
森未科技将携新能源领域最新研发产品惊艳亮相,与您相约N3馆670展位,共同开启绿色能源新篇章!
新品速看
功率半导体器件作为能源变换与传输的核心之一,是新能源发展的重要驱动力。森未科技始终以可持续发展为己任,专注于功率半导体技术的研发与应用,针对新能源领域开发出高效、可靠、环保的IGBT/SiC系列产品;凭借在功率半导体领域耕耘多年的技术积累和产品性能优势,为新能源产业发展提供强劲动能。
森未科技自主研发的IGBT/SiC系列产品凭借高品质、高性能、高可靠性的技术优势,已在光伏储能、新能源车等领域中得到广泛应用。届时,欢迎各位好友、合作伙伴莅临现场展位指导交流。
展位指引
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由Vicky转载自SEMI-FUTURE,原文标题为:展会邀请 | 森未科技邀您共赴2024 SNEC国际储能展,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关研发服务和供应服务
相关推荐
阿基米德半导体携光储及车用IGBT模块实力亮相上海第十七届SNEC展会!
6月13至15日,阿基米德半导体在十七届全球SNEC展会璀璨亮相,阿基米德半导体展示了SiC MOSFET/IGBT单管,半桥IGBT模块,三电平IGBT模块, SiC模块等众多产品。这些产品广泛应用于直流快充/超充,工业电源,感应加热,光伏逆变器,储能PCS,新能源汽车等领域,为行业实现了更高的可靠性和能源转化效率。
北京车展展示新能源汽车行业SiC技术革命,阿基米德半导体赋能技术新纪元
随着全球汽车行业向电动化转型的加速,碳化硅(SiC)技术正成为新能源汽车领域的关键驱动力。碳化硅技术以其高效率、高耐压、高频率的特性,正在重新定义新能源汽车的性能标准。SiC器件的高温稳定性和快速开关能力,使得电动汽车的续航能力得到显著提升,同时大幅缩短了充电时间。在中国,SiC技术的渗透率正以前所未有的速度增长,预示着新能源汽车技术的新时代。
阿基米德半导体携光储及车用IGBT模块亮相深圳国际电子展,共襄科技盛宴!
日前,阿基米德半导体参加了在深圳会展中心举办的elexcon2024深圳国家电子展。展示了SiC MOSFET/IGBT单管,半桥IGBT模块,三电平IGBT模块, SiC模块等众多产品。广泛应用于直流快充/超充,工业电源,感应加热,光伏逆变器,储能PCS,新能源汽车等领域。
SiC模块先进DTS+Cu Bonding工艺,解决车规可靠性最后一块拼图?
半导体技术的进步,特别是碳化硅,产生了具有高功率密度的器件,并允许器件在明显更高的结温度下运行。互连技术在设备和组件的不间断运行中起着重要的作用。以DTS技术和铜线键合的功率模块,可作为新一代基于碳化硅的高功率模块提供有效的技术支持。
电磁炉/缝幼机等白色家电 市场专用IGBT单管
型号- HMG40N65AT,HMG75N65FT,HMG20N65F,HMG50N65FT,HM75N120FT3,HMG20N65D,HM30N135A,HMG20N65,HM40N120FT,HMG40N65FT,HMG75N65AT,HM40N120AT,HM30N135FT
【经验】一文介绍IGBT单管与IGBT模块的区别
本文SLKOR介绍IGBT单管与IGBT模块的区别,IGBT模块可以看作是IGBT单管的功能改进和升级,它们的应用领域基本相同。但是,由于集成了各种驱动和保护电路,IGBT模块的安装极大地方便了用户。随着新包装技术的采用,拓展了IGBT的应用领域。
最简单易用的7管封装的IGBT模块
IGBT的优势在于输入阻抗很高,开关速率快,导通态电压低,关断时阻断电压高,集电极和发射机承受电流大的特点,目前已经成为电力电子行业的功率半导体发展的主流器件。
电孩炉/缝幼机等白色家电 市场专用 IGBT单管
型号- HMG40N65AT,HMG75N65FT,HM30N135FA,HMG20N65F,HMG50N65FT,HM75N120FT3,HMG20N65D,HM15N120AT,HMG20N65,HM40N120FT,HM25N120AT,HMG40N65FT,HMG75N65AT,HM40N120AT,HM30N135FT
Vincotech的IGBT模块P914L33,匹配20KW的高性能UPS双BOOST设计
20KW的三相PFC采用P914L33做设计,因三相PFC都为双BOOST电路,故单机需采用Vincotech的10-FZ06NBA030SA-P914L33模块是3PCS,每相的工作原理均是一样的。基于应用设计原理,10-FZ06NBA030SA-P914L33模块完美的匹配了20KW的双BOOST设计。
森未科技IGBT模块SF450R12E6,规格为1200V/450A,具备低开关损耗和正温度系数
本文为大家推介的产品是森未科技IGBT模块:SF450R12E6,规格为1200V/450A。SF450R12E6采用森未科技E类封装,具体封装外形及内部电路拓扑结构如下图所示,设计指标对标国外某I公司第四代产品。
中国新能源汽车的几何式发展,倒推SiC碳化硅市场扩张
近年来,中国新能源汽车市场发展迅猛。根据中汽协数据显示,2023年,中国新能源汽车销量达到了949.5万辆,同比增长37.9%。预计2024年,中国新能源汽车销量可能将达到1200-1300万辆,并占据全球新能源汽车总销量的约60%。新能源汽车的迅猛发展,倒推车规级碳化硅SiC功率器件的需求也呈井喷式增长。
森未科技授权世强硬创代理全线100+产品,涵盖IGBT晶圆/模块/单管
产品已广泛应用于工业变频、光伏/储能、特种电源、感应加热、新能源发电以及新能源车等多个市场领域。
IV1B12013HA1L–1200V 13mOhm SiC模块
描述- 本资料介绍了InventChip Technology Co., Ltd.生产的IV1B12013HA1L型碳化硅(SiC)模块。该模块具有高阻断电压、低导通电阻、高速切换能力等特点,适用于太阳能应用、不间断电源系统(UPS)、电机驱动器和高压直流/直流转换器等领域。
型号- IV1B12013HA1L
电磁炉/缝纫机等白色家电市场专用IGBT单管
型号- HMG40N65AT,HMG75N65FT,HM30N135FA,HMG20N65F,HMG50N65FT,HM75N120FT3,HMG20N65D,HM15N120AT,HMG20N65,HM40N120FT,HM25N120AT,HMG40N65FT,HMG75N65AT,HM40N120AT,HM30N135FT
电子商城
现货市场
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量: 1片 提交需求>
可定制高压电源模块的输入电压100VDC-2000VDC、功率范围5W-500W/4W-60W; 高压输出电源模块的输出电压100VDC-2000VDC。功率范围:4W-60W。
提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论