世强硬创获真茂佳半导体授权代理,车规级MOSFET损耗小/效率高/EMI低
为进一步扩充平台国产功率器件产品,世强先进(深圳)科技股份有限公司(以下简称“世强先进”)与深圳真茂佳半导体有限公司(以下简称“真茂佳半导体”)签署授权代理协议,将更多高可靠性产品触达至下游硬科技企业。
据了解,真茂佳半导体是一家专注于车规级功率器件设计研发的高新技术企业,主营产品涵盖MOSFET、SiC MOSFET、IGBT、GaN-HEMT、高边开关等。
其中,车规级MOSFET产品种类高达200+,包含RobustFET™、SpeedFET™和BPFET™三大系列,击穿电压涵盖-100V~200V,具有高可靠性及出色性能,DFN5×6内阻最低达到0.4mΩ,其低导通电阻和动态参数带来损耗小、效率高、低EMI等优点,产品多应用于动力系统、车身电子(车门、后视镜、车窗等)、网联化(T-Box等)、智能驾驶&智能座舱、汽车电动化(逆变器、DCDC、OBC、BMS)、汽车底盘(EPS、ESC、One-Box等)、热管理系统(燃油风扇、水泵、油泵等)等领域。
去年,真茂佳半导体荣获“2023汽车芯片50强”,车规中低压功率器件获得业内人士的广泛认可。我们了解到某头部车企运用了真茂佳半导体的ZMA230P06D芯片,该MOSFET芯片采用先进的Trench工艺,具有简化驱动电路、导通阻抗低、浪涌能力强等特点,在车灯应用里边主要用于高边开关和防反。
今年,在全国第六批专精特新“小巨人”企业评选活动中,深圳真茂佳在众多中小企业中脱颖而出,成功入选国家级专精特新“小巨人”。这充分体现了行业内对真茂佳在技术创新、产品质量、市场竞争力以及专业化发展等方面卓越表现的充分认可。
此外,在工业、消费领域真茂佳半导体拥有将近千种低中高压MOSFET系列产品,涵盖多种封装形式,性能获得业内广泛好评。
从产品应用方面,目前客户群体已覆盖20+OEM汽车品牌,累计出货量达数亿颗级别,成为全球Top级的中低压车规MOSFET方案提供商,也是国内量产车规MOSFET种类最多且连续出货时间最长的民族品牌之一。
目前,真茂佳半导体所有产品已经上线至世强先进搭建的产业互联网平台世强硬创,平台提供从概念方案设计到打样量产一站式的技术和产品供应服务,致力赋能下游硬科技企业,为产品研发提供支持。
用户可以进入平台搜索“真茂佳”即可查看产品相关信息,不仅可以在平台订购产品,还可以进行产品选型、BOM优化/配单、国产化替代、设计方案等服务需求提交,线上FAE技术专家团队联合千家原厂技术人员共同介入处理,助力工程师解决在项目中遇到的研发难题。
深圳真茂佳半导体有限公司是一家拥有自主知识产权且掌握先进功率器件设计和封测特色工艺的高新技术企业。公司顺应新能源汽车电子电气化架构和车规级功率半导体技术的发展,在真茂佳车规九大中低压电压平台衍生的不同封装形式和诸多应用领域成功案例的加持下,将持续打造值得客户信任的高可靠性“ZMJ”中低压车规MOSFET产品系列解决方案。 目前客户群体已覆盖20+OEM汽车品牌,累计出货量达数亿颗级别,产品种类包括190+车规MOSFET,为全球Top级的车规中低压车规MOSFET方案提供商,也是国内量产车规MOSFET种类最多且连续出货时间最长的民族品牌。 查看更多
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真茂佳MOSFET选型表
真茂佳MOSFET,品类为power MOSFET和power speedFET,TO-252/DFN/TOLL等多种封装形式,VDSS Min(V):-30~150V,VGS(V):±20V,ID(A) Tc=25℃:-1.8~475A,PD(W) Tc=25℃:6~375W,Ciss(pF):275~10870pF,Coss(pF):33~9658pF,Crss(pF):3.7~854pF,Rg(Ω):1.2~9Ω,Qg(nC):7~185nC,Qgs(nC):1.5~51C,Qgd(nC):0.9~49nC,Operating Temperature(℃):-55~175℃
产品型号
|
品类
|
封装/外壳/尺寸
|
VDSS Min(V)
|
VGS(V)
|
ID(A) Tc=25℃
|
PD(W) Tc=25℃
|
Ciss(pF)
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Coss(pF)
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Crss(pF)
|
Rg(Ω)
|
Qg(nC)
|
Qgs(nC)
|
Qgd(nC)
|
Operating Temperature(℃)
|
ZMA029P03D
|
power MOSFET
|
TO-252
|
-30V
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±20V
|
-120A
|
107W
|
10870pF
|
1082pF
|
854pF
|
3Ω
|
184nC
|
37nC
|
23nC
|
-55~175℃
|
选型表 - 真茂佳 立即选型
【元件】罗姆新开发安装可靠性高的10种型号、3种封装的车载Nch MOSFET,适用于车门、座椅电机及LED前照灯
ROHM开发出具有低导通电阻优势的车载Nch MOSFET “RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和“RD3x0xxBKHRB”。新产品非常适用于汽车门锁和座椅调节装置等所用的各种电机以及LED前照灯等应用。目前,3种封装10种型号的新产品已经开始销售,未来会继续扩大产品阵容。
ZMBG030N065DAB 650V IGBT
描述- 该资料介绍了ZMJ半导体公司生产的650V IGBT(绝缘栅双极型晶体管)产品。该IGBT采用先进的沟槽和场截止技术,具有非常低的VCE(sat)、低栅极电荷和优异的开关性能。资料详细说明了产品的特性、绝对最大额定值、热阻、电子特性、动态特性、开关特性、二极管开关特性以及封装信息。
型号- ZMBG030N065DAB
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ZMC020N120C4 1200V N沟道SiC MOSFET
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型号- ZMC020N120C4
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描述- 该资料介绍了ZMJ半导体公司的1200V N-Channel SiC MOSFET器件ZMC060N120C4。该器件采用先进的第二代SiC MOSFET技术,具有非常低的RDS(on)、低电容和高开关操作能力,适用于电机驱动、板上充电器、DC-DC转换器和辅助驱动等领域。
型号- ZMC060N120C4
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6月14日,“走进上汽集团”对接交流日活动于上汽集团研发总院1楼展览大厅圆满完成,深圳真茂佳作为汽车芯片供应商参加了此次活动。深圳真茂佳可提供MOSFET、SiC MOSFET、IGBT、GaN-HEMT、高边开关等多款产。
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型号- AKG4N013GM-A,AKG4N007GM-A,AKG4N009DAM-A,SXX76DN4LF7AG,IXX240N04S4,IXXC60N04S6N050H,IXX50N04S5-5R8,AKBK2A040WHH,AKCK2M080WAMH,SXX410N4F7,SXX70N4LLF5,AKG4N025GM-A,BXX7M6R0-40H,AKG4N068GM-A,IXXC120N04S6N013,AKG4N058GM-A,NXXFS5C426N,AKG4A058GM-A,AKG4N008GM-A,AKG4N058QM-A
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描述- 该资料介绍了ZMJ半导体公司生产的1200V N-Channel SiC MOSFET器件。这款器件采用先进的SiC MOSFET技术,具有低RDS(on)、高开关速度、低电容等特点,适用于电机驱动、车载充电器、DC-DC转换器和辅助驱动等领域。
型号- ZMCA020N120C4
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服务
可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数,电压1.5-37V,电流5-150mA,波长470-940nm。
最小起订量: 30000 提交需求>
可定制车规级电感的电流范围0.3~17.9A,尺寸最小1x0.55x0.5mm到最大12.5x12.5x6mm,工作频率100KHz~2MHz,感值范围:0.47uH~4.7mH。符合IATF16949和AECQ-200。SPQ为5K。
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