上海贝岭“功率器件＆电源IC”在PD快充中的应用
USB-PD，英文全称为USB Power Delivery，是USB的标准化组织USB-IF推出的一个快速充电的标准。经过近7年时间的发展与更新，如今的USB PD快充协议已经由最初的1.0版本、2.0版本、3.0版本发展到PPS(Programmable Power Supply)，现在又推出了最新的3.1版本。目前为止，我们现有的使用消费类产品大部分停留在USB-PD 3.0的时代。
接口方面，当下USB-C即type C接口以其正反插即可、可通大电流的同时还能实现数据传输的优势稳居市场占有量最大。
从2010年到2021年，快充技术整体上基本经历了4次大的变更，功率从7.5W到最大可实现240W的功率等级。
快充技术方案概述
传统的手机充电器采用的是PSR反激电路，这种充电器的电路是最早研发被采用的，目前市场上15W以下的充电器大多也采用这种方案，相对于SSR来讲，PSR反激电路主要有以下优缺点：
优点：PSR 省掉了光耦、431 及它们周边元件，所以体积可以做得更小，价格更便宜；
缺点：PSR采用原边辅助绕组作为采样电压，由于变压器工艺、输出二极管的一致性、输出寄生电阻等因素，导致 PSR 输出精度较低，一般只用在小功率电源上（15W 以内）。
PSR反激电路
相对来讲，SSR电路较PSR电路要复杂一点，主要优缺点如下：
优点：由于采用的是副边反馈，所以反馈的速度比较快，精度更准确，使得电路的稳定性更高，动态响应速度更快，输出电压电流精度高，可应用的领域更多；
缺点：由于反馈控制要更快更精准，采用了光耦和431,使得电路板上元器件的成本增加。
SSR反激电路
现在的手机充电器电路方案：SSR反激电路+协议输出可调组成的电路。下图为目前市场上流通的带有协议的充电器采用的方案，也是目前市场上采用量最大的方案，输出功率从18W-120W不等；目前最新的充电器功率240W,后续也将大批量投入市场。
优点：输出功率随着手机和充电器的协议可以进行调节，而且输出稳定，采用MOS管用来同步整流大大减小了整流时的损耗，输出VBUS MOS管可及时对输出进行保护和调节，安全性高；
缺点：元器件多，成本高。
SSR反激电路+协议组合电路
现状较少但是未来有一定发展趋势的手机充电器电路方案：PFC+SSR反激电路+协议输出可调组成的电路。图中这种方案目前市场上流通量较少，但必定是未来发展趋势，这种手机充电器的功率一般是≥100W时才会采用这样的方案，后续随着充电器功能功率不断加大，这种方案采用的会更多。
优点：增加了PFC电路，使功率因数增大，在同等方案下充电器功率可以做得更大。
缺点：元器件多，成本高。
PFC+SSR反激电路+协议组合电路
贝岭功率器件在PD应用的产品推荐
3.1手机充电器对功率MOSFET技术需求1
手机充电器中，PFC和初级开关管有如下技术需求：
高击穿电压：保证开关MOS能够不被击穿；
低内阻：导通状态下产生的功率小，发热少；
低开关损耗：使开关导致的损耗降低，发热减少；
低热阻：正常工作时发热量小；
低di/dt和dv/dt：开关状态下产生震荡以及杂波小，产生较小的电磁干扰。
贝岭型号推荐：
3.2手机充电器对功率MOSFET技术需求2
手机充电器中整流开关管和VBUS开关管技术需求如下：
高击穿电压：保证开关MOS能够不被击穿；
低内阻：导通状态下产生的功率小，发热少；
低热阻：正常工作时发热量小；
高雪崩耐量：发生异常短路情况时会产生较大的电压电流尖峰，高雪崩耐量可使MOS管不被击穿；
短路电流能力强：短路瞬间会产生较大电流，MOS管需要有承受较大电流的能力。
贝岭型号推荐：
贝岭电源IC器件在PD应用的产品推荐
应用场合：
应用于PD快充、适配器、充电器、开放式电源
ME8138亮点
➢内置650V 800mΩ氮化镓
➢超宽VDD供电范围9.6V-80V
➢待机功耗<75mW
➢软启动 自适应软驱动
➢频率抖动和峰值电流抖动
➢轻载打嗝模式及噪音优化
➢前沿消隐
➢内置斜坡补偿
➢OCP、OLP、UVLO、VDD-OVP、OTP、LEB、CS-SCB等
➢SOP8封装
应用场合：
应用于PD快充、适配器、充电器、开放式电源
ME8131亮点
➢低启动电流,待机功耗<75mW
➢超宽VDD供电范围 9.6V-80V
➢恒功率控制
➢软启动、自适应软驱动功能
➢频率抖动和峰值电流抖动
➢轻载打嗝模式及噪音优化
➢前沿消隐
➢内置斜坡补偿
➢OCP、UVLO、VCC-OVP、OTP、LEB、CS-SCB等
应用场合：
应用于PD快充电源、适配器等反激式开关电源
ME8128亮点
➢合封 480mΩ/650V 氮化镓
➢准谐振QR模式
➢最高支持170KHz工作频率
➢软启动、低启动电流和静态工作电流
➢频率抖动和峰值电流抖动
➢轻载打嗝模式及噪音优化
➢OCP、OLP、UVLO、VCC OVP、OTP、LEB、CS-SCB、输入过欠压自恢复保护Brown out等
➢ESOP8、DFN8L (5*6*0.85-1.27)封装
应用场合：
应用于PD快充电源、充电器、适配器等反激式开关电源
ME841X亮点
➢外推MOS和 内置80V/ 100 MOS
➢支持反激应用 低待机功耗
➢兼容CCM\DCM\ QR\CrCM工作模式
➢驱动电压动态调整控制
➢集成150V高压检测和高压供电
➢<30ns关断延时
➢欠压保护等功能
➢支持High Side和Low Side配置
➢SOT23-6 SOP8封装
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SL2305具有低导通电阻高效能，低阈值电压易于控制等性能，由于其优秀的性能指标，被广泛应用于各种电子设备中。SL2305更多用于功率开关、稳压器、DC-DC转换器、低压电源开关等领域。在功率开关领域，它可以用于控制高电流和高电压的开关，如用于电机驱动、电源开关、照明控制等。在稳压器领域，它可以用于实现高效率的稳压器，例如用于手机充电器、电脑电源等。
美禄科技授权世强硬创代理氮化镓功率器件、平面/超结MOS等产品
产品广泛应用于PD快充、户外电源、UPS、储能、逆变器、充电桩、数字服务器、马达驱动、PD快充、电源适配器、LED照明、通讯电源、白色家电、工业控制、光伏逆变、移动储能等领域。
CRMICRO推出一系列可靠、高效的高压及低压MOSFET，满足智能手机和平板电脑等充电器的需求
为满足当下智能手机和平板电脑等充电器的需求，CRMICRO推出了一系列可靠、高效的高压及低压MOSFET。多种封装形式如DFN8*8、DFN5*6等可满足终端应用小尺寸外形的需求。
AM07N65 MOSFET 650V 7A N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
型号- AM07N65,AM07N65S3VR,AM07N65DR,AM07N65T3VR,AM07N65S3R,AM07N65T3R,AM07N65S2R,AM07N65S2VR,AM07N65DVR,AM07N65T3FU,AM07N65PJ8R,AM07N65DTD3U,AM07N65D3VU,AM07N65T3FVU
京东旗下首款氮化镓65W双口PD快充，内置真茂佳ZMS040N10N MOS管
京东京造推出了一款65W氮化镓快充充电器，输出采用ZMJ真茂佳ZMS040N10同步整流。大大降低了整流器的损耗，提高变换器的效率，满足低压、大电流整流的需要。
南芯推出高集成度GaN解决方案SC3050/3056，DFN5x6封装，助力于实现快充电源产品小型化
为了应对中小功率的PD快充电源市场，SOUTHCHIP南芯推出了高集成度的氮化镓功率芯片SC3050/SC3056，将控制器、驱动、GaN集成在一起，采用DFN5x6小体积封装；，独特的EPAD设计用于大电流和最好的电气性能，引脚功能区块化，简化PCB设计，得到极小化PCB面积和更好的热体验。
亚成微高雪崩高可靠性超结MOSFET在DJI大疆100W双USB-C口氮化镓桌面充电器的应用
大疆这款100W氮化镓充电器采用PFC+LLC+DC-DC的架构设计，PFC使用镓未来氮化镓功率芯片配合瑞能二极管整流，LLC采用亚成微RMD65R380SN MOS管组成半桥。滤波电容来自冠坤电子，输出使用两颗维安的低压MOS管用于同步整流，电源初级主控芯片和同步整流控制器均来自NXP恩智浦。
谷峰电子授权世强硬创代理SiC/SJ MOSFET、沟槽/平面型MOSFET
所有产品的市场应用覆盖中小功率充电器、适配器、工业电源、LED驱动电源、BMS、电动工具、电机、5G基站、商业显示屏、汽车电子、通讯、能源等领域。
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定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量： 1片 提交需求>
可定制板装式压力传感器支持产品量程从5inch水柱到100 psi气压；数字输出压力传感器压力范围0.5~60inH2O，温度补偿范围-20~85ºС；模拟和数字低压传感器可以直接与微控制器通信，具备多种小型SIP和DIP封装可选择。
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授权代理品牌：集成电路
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