【元件】 美林电子推出MN封装IGBT 1200V/1700V半桥模块,采用铜线键合工艺,10μs短路耐量能力
MN封装IGBT模块采用行业标准外形设计(Econodual),该封装搭配自主1200V 200A、1700V 150A、200A大电流IGBT芯片,内部杂散电感小,电流密度高,600A以上电流端子侧采用铜线键合,特别是在光伏发电、新能源汽车等领域具有广泛的市场需求。
MN170BTH1产品展示图
1700V IGBT包含225A、300A、450A和600A4个电流等级,通过每相采用单模块和两个模块并联,基本可以覆盖6kV-10kV MVD的中等功率范围和一部分大功率范围、10kV-35kV SVG的中等容量范围。
产品特点
● 采用自主6.0 Trench +FS系列 IGBT芯片
● 最高结温175℃
● 10μs短路耐量能力
● 优化了开关损耗和通态压降
● 铜线键合工艺
产品型号
应用领域
● 级联型中高压变频器
● 静止无功发生器(SVG)、有源滤波器(APF)
● 特种电源
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IGBT 单管&模块
型号- GKU50N65RF5,GM200HF120S4F1A,GM50FFB120C1T1H,GM400HF120S4T1M,GKU20N65EH3,GKU40N65EH3,TGKU50N65DH3,GKU25N120ET2,GKU40N120RF5,GKU50N65ET,GKF20N65EH3,GM75HF120S2F2A,GM40FFB120C1T1,GKF07N65,GM400HF65S4T1A,TGKU40N120NH3,GKB20N65H3,GKD05N65,GM200SG65S1T1,GM100PI120C2T1X,GKU60N65DH5,GM450HF120C3T1M,GKU15N120H3,TGKU50N65ET,GKU100N65DH5,GKU40N120ET2,GM400HF65C3T1,GM150FFB120C2T1M,GM15PJ120E1T3A,GM300HF120S4T1M,GKB20N65EH3,TGKU40N120DT2,GM25PJ120E2T3A,TGKU65N65RF5,GKF06N65,GM10PJ120E1T3A,GKP20N65H3,GKU25N120DH3,GKU65N65RF5,GM100HF120S2F1B,GKU50N120EH3,GKU50N120CH3,GM100HF120S2F1A,GKD06N65,GKU50N65H3,GKU40N120NH3,GM35PJ120E2T3A,GKP20N65EH3,GKF05N65,GKU40N65DH3,GM50PI120C1T3A,GKU75N120EH3,GKU15N120ET2,GKF20N65H3,GKU20N65H3,GM40PI120C1T3A,GKU10N120T2,GM40HF120S2F2A,GKD07N65,TGKU75N65EH5,GKU50N65DH3,GM600HF65C3T1,GKU60N65EH5,GM150HF120S4F2,GM50HF120S2F2A,GKU75N65EH5,GKU40N120DT2,TGKU40N120ET2,GM600HF120C3T1M
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