MOSFET保护Micro 0402单向ESD解决方案:世晶半导体拥有多种不同封装尺寸并提供丰富参数选择
注意!!!电路设计:您的MOSFET是否安全免受ESD侵害?
其实大家有没有想过,为什么即使有瞬态电压抑制器(TVS)在旁,您的MOSFET仍然会受到损坏?答案可能会让你大吃一惊!
双向TVS的隐藏风险:许多人选择双向TVS以避免安装错误,认为这样更安全。然而,这一选择有时会让您的电路容易受到攻击,尤其是来自负向ESD事件的攻击。
切换到单向TVS以实现无懈可击的保护:当负向ESD发生时,您的MOSFET的体内二极管可能会在双向TVS反应之前就已激活。而使用单向TVS,您的保护装置会更快激活,从而保护您的精密MOSFET免受意外浪涌的影响!
简单更换,重大保护:不要让安装方向增加损坏的风险。确认您的正常工作电压,切换到单向TVS,看您的电路如何经受住最严峻的ESD挑战!
通过为您的电路选择合适的保护装置,在电子设计的游戏中保持领先。告别ESD损害,使用单向TVS确保您的项目不仅高效且安全!
有时候即使在MOSFET旁边有TVS,它仍然会受到ESD的损坏。而当客户询问我们建议时,我们总会发现MOSFET旁边的TVS是双向。
一些工程师倾向于使用双向TVS,以防止SMT工厂将其放置在错误的方向,如果确认受保护的线路在正常工作电压下不会出现负电压,建议使用单向TVS以获得最佳保护效果。
这种情况下,当发生“负向ESD”时,MOSFET的体内二极管会在“双向TVS”激活之前先开启。将TVS更换为“单向TVS”后它会更快激活并在发生负向ESD时保护MOSFET。
世晶半导体SSGSEMI
世晶半导体TVS/ESD解决方案拥有多种不同封装尺寸,提供超低钳位电压,单向、双向,普容、低容等丰富选择,能够满足多种类型的电子电路或芯片对瞬态过压的防护需求。未来,世晶半导体将持续发力电路保护领域,不断升级创新,积极助力更高性能的电子产品面对静电和浪涌挑战。
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产品型号
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品类
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PACKAGE
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LINE CONFIG.
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VRWM (V)
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VBR MIN (V)
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Cj MAX (pF)
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IPP MAX (A)
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Vc(V)@Ipp
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IR MAX (μA)
|
PPP (W)
|
工作温度范围(℃)
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SST1V2XBP062
|
小型化ESD
|
CSP0603-2L
|
1-Line Bi-Directional
|
1.2V
|
1.7V
|
0.25pF
|
4A
|
4V
|
0.01μA
|
55W
|
﹣40℃~ 125℃
|
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