森未200kW+储能用IGBT：S3L225R12GA7H_C20，满足工商业储能1500VDC系统的功率变换

时间： 2024-09-27 来源：SEMI-FUTURE

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森未科技正式发布GA系列首发IGBT产品：S3L225R12GA7H_C20，可用于200kW+储能，产品外形及引脚分布如下图所示。

外形图

针脚分布图

S3L225R12GA7H_C20为三电平INPC拓扑，采用森未7代1200V IGBT芯片和软恢复FRD，针对ESS双向能量变换应用进行了芯片优化。模块采用铜基板，并联使用可以实现200kW+，满足工商业储能1500VDC系统的功率变换。

电路拓扑：INPC

一、产品特点

1. GA系列封装（兼容Easy3B）

2. 采用第7代IGBT芯片技术，并针对储能应用进行了优化

3. 低开关损耗

4. 低寄生电感的模块设计

5. 带铜基板，增加输出能力

二、应用领域

1. 储能系统

2. 光伏系统

3. UPS等其他三电平应用

三、仿真对比

1、仿真条件：额定 Vdc=1500Vdc，Po=200kW, Vo=690Vac， Io=168Arms，PF=1，Fsw=16kHz, SVPWM，Th=90℃。

S3L225R12GA7H总损耗为619.54*2*3(W)，效率为98.14%；国际竞品***225（_B11）总损耗为636.58*2*3(W)，效率为98.09% 。

2、仿真条件：额定 Vdc=1500Vdc，Po=200kW, Vo=690Vac， Io=168Arms，PF=-1，Fsw=16kHz, SVPWM，Th=90℃。

S3L225R12GA7H总损耗为570.58*2*3(W)，效率为98.28%；国际竞品***225（_B11）总损耗为583.8*2*3(W)，效率为98.25%。

S3L225R12GA7H_C20整体损耗优于进口品牌，并增加了铜基板，输出能力和长期可靠性进一步得到提升。

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