森未科技200kW+储能PCS用IGBT：S3L400R10GA7U_C20，采用三电平INPC拓扑

时间： 2024-09-27 来源：SEMI-FUTURE

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森未科技正式发布GA系列IGBT首品：S3L400R10GA7U_C20，可用于1000V系统125KW+及1500V系统200KW+储能，兼容性好，产品外形及引脚分布如下图1和图2所示：

图1 产品外形

图2 引脚分布

S3L400R10GA7U_C20为三电平INPC拓扑如图3，采用森未科技的第7代1050V IGBT芯片和软恢复FRD，针对ESS双向能量变换应用进行了芯片优化。满足工商业储能1000V及1500V DC系统的功率变换。

图3 拓扑

一：产品特点

1.Easy3B+BP系列封装，单模块适用于200kW+储能系统设计；

2.INPC拓扑，森未第7代精细沟槽S7 IGBT+软恢复FRD，Tvj.max=175℃；

3.优化换流回路设计，低杂散电感，高功率密度布局；

4.IGBT T1~T4采用两并200A芯片，BV提升至1050V，应对高母线电压；

5.结构带铜基板，提供更好的散热性能，增强输出能力；

6.更好的功率兼容性。

二：应用领域

1.储能系统

2.光伏系统

3. UPS等其他三电平应用

三：应用仿真

1. 1000V系统：

(1) 仿真条件：额定 Vdc=1000Vdc，Po=125kW，Vo=380Vac，Io=190Arms，PF=±1，Fsw=16kHz，SVPWM，Th=80℃，1.1倍长期过载，1.2倍过载1分钟，仿真结果如下：

2. 1500V系统

(1) 仿真条件：额定 Vdc=1500Vdc，Po=200kW, Vo=690Vac，Io=168Arms，PF=±1，Fsw=16kHz，SVPWM，Th=80℃，1.1倍长期过载，1.2倍过载1分钟，仿真结果如下：

S3L400R10GA7U_C20兼容1000V和1500V系统，满足1300V~1500V母线电压，结构增加铜基板，输出能力得到有效提高。

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