森未科技200kW+储能PCS用IGBT：S3L400R10GA7U_C20，采用三电平INPC拓扑

【元件】新洁能650V Gen.7 IGBT “V”系列产品，非常适合光伏逆变、储能、UPS等应用

NCE新洁能650V Gen.7系列IGBT产品，基于微沟槽场截止技术，可大幅提高器件的元胞结构密度。本文要介绍的“V”系列产品具有较大的饱和电流和良好的导通损耗/开关损耗折中特性，非常适合光伏逆变、储能、UPS等应用。

【产品】阻断电压BV＞770V的ACP-2 I型高效三电平功率模块，助力储能产品实现更高功率密度和效率

阿基米德半导体推出了系列化三电平IGBT功率模块助力工商业储能产品实现更高的功率密度，更高的充放电效率。目前在静态性能上该产品阻断电压BV ＞770V， VCEsat值低至1.35V，而行业一般在1.7v, 优化后导通损耗降低近21%。

【元件】森未科技推出200kW+储能PCS用IGBT：S3L400R10HA7U_C20，采用Flow2系列封装

森未科技正式发布HA系列首款产品：S3L400R10HA7U_C20，可用于1000V系统125KW+及1500V系统200KW+储能。S3L400R10HA7U_C20为三电平INPC拓扑，采用森未科技的第7代1050V IGBT芯片和软恢复FRD，针对ESS双向能量变换应用进行了芯片优化。满足工商业储能1000V及1500V DC系统的功率变换。

模块化储能PCS技术“大比武”，功率IGBT模块是核心

本文讨论了模块化储能PCS技术在储能领域中的快速发展和应用，强调了其因分布式场景多样化和储能安全、经济需求而得到重视。文章还详细介绍了部分企业的模块化储能PCS产品和技术特点，此外，文章还提到了模块化PCS技术在应对系统能量密度提升、削峰填谷、电力稳定等方面的优势。整体而言，模块化储能PCS技术正逐渐成为储能领域的重要发展方向，为分布式能源和智能电网的发展提供了有力支持。

研讨会2024功率器件新技术研讨会

描述- 11月21日在线直播，带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术，点击了解报名

议题- 降低20%导通电阻的功率MOS  |  集成驱动的GaN IC  |  沟槽栅场截止型IGBT新技术  |  适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET  |  1700V SiC功率MOS  |  国产50A IPM模块  |  高可靠国产车规IGBT模块  |  ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商  |  EPC——基于氮化镓（GaN）功率管理器件的领先供应商  |  致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI）  |  中国半导体功率器件十强企业：扬杰科技（YANGJIE）  |  致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体（Archimedes）  |  中国领先的碳化硅（SiC）半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子（InventChip）  |  专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子（CRM ICBG ）  |  Kyocera（京瓷）——全球领先的材料与电子元件制造商  |  Shindengen（新电元）——“桥王”，整流桥全球份额占比约40%  |  中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能（NCEPOWER）  |  国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动（HVIC）制造商——数明半导体  |  国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics）  |  国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯（SOCAY）  | 

【选型】适用于50KW储能的1200V/200A的I型三电平IGBT模块

目前市场上50KW的储能产品，基于高效理念，通常需提高整机的开关频率（最高可达50kHz），主功率电路多采用I型三电平拓扑。Vincotech高集成度I型三电平的NPC IGBT模块10-FY07NPA200SM02-L366F08（1200V/200A）的IGBT模块，已经成功的助力50KW高效储能产品的设计。

【技术】三电平SI IGBT和两电平SiC模块联手实现高效整流逆变

将SiC和三电平IGBT配合使用，将SIC的MOSFET用于前端的PFC电流中，三电平IGBT可以用于逆变中，这样更能提高整个系统的效率。

【应用】IGBT功率模块充分利用三电平NPC拓扑，成为太阳能、UPS和蓄能应用的热门选择

本文对Vincotech推出的Flow 0封装100A IGBT功率功率模块中的两个芯片组进行了比较（P927F58和P927F53），但Vincotech可提供更多的组合。这些广泛的标准模块可满足每个客户和选择太阳能、UPS和储能应用的芯片组时等应用的要求。

华润微电子IGBT和SiC二极管，短路耐受力强，抗浪涌能力优异，适合UPS电源应用

华润微电子针对UPS应用，采用Trench FS技术，开发了600V 20A~75A和1200V 15A/25A/40A的全系列化IGBT产品。针对UPS中电池双向DC/DC电路应用，可提供电压范围30V~200V，电流范围30A~150A的中低压MOSFET产品，满足12V—72V电池电压需求。另外新推出的650V、1200V系列的SiC二极管，适于高频高效的高端UPS应用。