森未科技推出200kW+储能PCS用IGBT:S3L400R10HA7U_C20,采用Flow2系列封装

2024-09-27 SEMI-FUTURE
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森未科技正式发布HA系列首款IGBT产品:S3L400R10HA7U_C20,可用于1000V系统125KW+及1500V系统200KW+储能,产品外形及引脚分布如下图1和图2所示:

图1产品外形


图2 引脚分布


S3L400R10HA7U_C20为三电平INPC拓扑如图3,采用森未科技的第7代1050V IGBT芯片和软恢复FRD,针对ESS双向能量变换应用进行了芯片优化。满足工商业储能1000V及1500V DC系统的功率变换。

图3 拓扑


一:产品特点

1.   Flow2系列封装,单模块适用于200kW+储能系统设计;

2.   INPC拓扑,森未第7代精细沟槽S7 IGBT+软恢复FRD,Tvj.max=175℃;

3.   优化换流回路设计,低杂散电感,高功率密度布局;

4.   IGBT BV提升至1050V,应对高母线电压

5.   采用AMB氮化硅(Si3N4)基板,可靠性优异,功率密度提升。


二:应用领域

1.   储能系统

2.   光伏系统

3.   UPS等其他三电平应用


三:应用仿真

1.   1000V系统:

(1) 仿真条件:额定 Vdc=1000Vdc,Po=135kW, Vo=380Vac, Io=205Arms,PF=±1,Fsw=16kHz, SVPWM,Th=80℃,1.1倍长期过载,1.2倍过载1分钟,仿真结果如下:



2.   1500V系统

(1)   仿真条件:额定 Vdc=1500Vdc,Po=200kW, Vo=380Vac, Io=168Arms,PF=±1,Fsw=16kHz, SVPWM,Th=80℃,1.1倍长期过载,1.2倍过载1分钟,仿真结果如下:



S3L400R10HA7U_C20兼容1000V和1500V系统,满足1300V~1500V母线电压,采用AMB氮化硅(Si3N4)基板,增强输出能力和长期可靠性进一步得到提升。

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