【元件】 森未科技推出200kW+储能PCS用IGBT：S3L400R10HA7U_C20，采用Flow2系列封装
森未科技正式发布HA系列首款IGBT产品：S3L400R10HA7U_C20，可用于1000V系统125KW+及1500V系统200KW+储能，产品外形及引脚分布如下图1和图2所示：
图1产品外形
图2 引脚分布
S3L400R10HA7U_C20为三电平INPC拓扑如图3，采用森未科技的第7代1050V IGBT芯片和软恢复FRD，针对ESS双向能量变换应用进行了芯片优化。满足工商业储能1000V及1500V DC系统的功率变换。
图3 拓扑
一：产品特点
1. Flow2系列封装，单模块适用于200kW+储能系统设计；
2. INPC拓扑，森未第7代精细沟槽S7 IGBT+软恢复FRD，Tvj.max=175℃；
3. 优化换流回路设计，低杂散电感，高功率密度布局；
4. IGBT BV提升至1050V，应对高母线电压
5. 采用AMB氮化硅（Si3N4）基板，可靠性优异，功率密度提升。
二：应用领域
1. 储能系统
2. 光伏系统
3. UPS等其他三电平应用
三：应用仿真
1. 1000V系统：
(1) 仿真条件：额定 Vdc=1000Vdc，Po=135kW, Vo=380Vac， Io=205Arms，PF=±1，Fsw=16kHz, SVPWM，Th=80℃，1.1倍长期过载，1.2倍过载1分钟，仿真结果如下：
2. 1500V系统
(1) 仿真条件：额定 Vdc=1500Vdc，Po=200kW, Vo=380Vac， Io=168Arms，PF=±1，Fsw=16kHz, SVPWM，Th=80℃，1.1倍长期过载，1.2倍过载1分钟，仿真结果如下：
S3L400R10HA7U_C20兼容1000V和1500V系统，满足1300V~1500V母线电压，采用AMB氮化硅（Si3N4）基板，增强输出能力和长期可靠性进一步得到提升。
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