世晶半导体针对各充电电压的规格开发出全系列USB Type-C充电端(EOS)防护方案

2024-10-08 世晶半导体公众号
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随着欧盟规定2024年起的电子设备皆必须以USB Type-C作为通用标准,让消费者更为方便,也因此近年消费类数码产品充电端口皆逐渐以USB Type-C作为主流。利用统一充电端口的做法来减少电子垃圾的同时,USB Type-C Power Delivery供电规格的完备也让产品设计工程师在挑选功率规格时相当方便,下图一为目前USB Power Delivery充电协议所支持的功率范围:

图一、USB Power Delivery充电协议中,各功率范围所采用的电压及电流

充电端口的ESD/Surge防护需求及测试标准

不论是传统DC Jack, Micro USB还是USB Type-C的充电端口皆会遭遇用户相当频繁的线材插拔,甚至用户时常会在带电的状态下进行线材的热插拔,也因此会将充电端口暴露于较高的ESD/Surge突波破坏风险之中,这也促使消费类数码产品设计厂商在设计研发阶段时会以IEC 61000-4-2 Level 4静电测试来确保产品充电端口的静电耐受程度,甚至为确保在线材的插拔时遭遇Cable Discharge Event的情况下仍可确保不致损毁,越来越多的厂商要求以Direct Pin Injection的方式来测试自家产品,严苛的测试条件也成为工程师们在产品设计阶段时的难题。 


而除了基本的IEC 61000-4-2静电测试之外,部分品牌厂针对其消费类数码产品的充电端口会额外进行IEC 61000-4-5过度电性应力测试来模拟更大能量的突波破坏,以预防产品在环境较严苛的区域引起较高的不良返修。目前业界针对数码产品充电端口的IEC 61000-4-5过度电性应力测试的规格当中,以低压浪涌测试(2ohm) 300V较为严苛。


充电端口的ESD/Surge解决方案

为确保充电端口可以通过如此严苛的ESD及浪涌测试,建议选择具备以下条件的ESD/Surge防护元件

●Low Clamping Voltage:

箝制电压(Clamping Voltage)为评估ESD/Surge防护元件保护效果最重要的参数。拥有较低箝制电压的ESD/Surge防护元件在遭遇大能量突波的当下,得以将能量有效地抑制,并借以保护先进制程的IC元件。由于现今快充IC多采用先进制程来研发制造,其静电耐受度也有逐渐下降的趋势,也因此必须选择拥有更低箝制电压的ESD/Surge防护元件,才能避免敏感的快充IC在静电放电或过度电性应力事件中受到干扰。


●High Surge Ipp: 

具备高Surge Ipp的ESD/Surge防护元件不仅仅可以帮助充电端口通过严苛的IEC 61000-4-5过度电性应力测试,更进一步可以帮助电子产品于售后减少因EOS引起的不良返修。 


●Uni-direction: 

因Power Rail上为直流电压,快充IC内部简易的ESD防护电路往往会以单向ESD cell来设计,因此选择ESD/Surge防护元件时建议选择Uni-direction的元件以得到最优化的负向导通速度以及更好的负向箝制电压,借以提供快充IC最良好的保护效果。


为确保提供充电端口良好的ESD/Surge保护方案,世晶半导体针对各充电电压的规格开发出全系列的保护方案,规格选型如下表:  

表一: DFN1006-2L封装的ESD/Surge防护元件系列,适合基础Surge防护需求

表二: DFN1610-2L封装的ESD/Surge防护元件系列,适合中Surge防护需求

表三: DFN2020-3L封装的ESD/Surge防护元件系列,适合高Surge防护需求

世晶半导体SSGSEMI

世晶半导体 TVS/ESD 解决方案拥有多种不同封装尺寸,提供超低钳位电压,单向、双向,普容、低容等丰富选择,能够满足多种类型的电子电路或芯片对瞬态过压的防护需求。未来,世晶半导体将持续发力电路保护领域,不断升级创新,积极助力更高性能的电子产品面对静电和浪涌挑战。

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产品型号
品类
PACKAGE
LINE CONFIG.
VRWM (V)
VBR MIN (V)
Cj MAX (pF)
IPP MAX (A)
Vc(V)@Ipp
IR MAX (μA)
PPP (W)
工作温度范围(℃)
SST1V2XBP062
小型化ESD
CSP0603-2L
1-Line Bi-Directional
1.2V
1.7V
0.25pF
4A
4V
0.01μA
55W
﹣40℃~ 125℃

选型表  -  世晶半导体 立即选型

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