分立器件产品在蓝牙耳机上的应用：合科泰可提供二极管、三极管、MOS管和锂电池保护IC等

时间： 2024-10-01 来源：合科泰电子（合科泰半导体公众号）

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蓝牙耳机是很多电子设备配置的重要音频设备，其应用和实用性高，使用频率非常高，用户体验非常重要。怎么样的产品算一个好的蓝牙耳机呢？合科泰认为，它至少具备通信性能稳定、音质表现出色、低功耗、电池续航时间长、外观优美、稳定可靠且使用寿命长等优点。如何做到这些性能，好的分立器件是必备。

想做好蓝牙耳机，当然得了它的原理和构造。蓝牙耳机是通过蓝牙技术与设备建立连接，接收并处理音频信号，最终通过扬声器播放给用户。通过智能的电源管理系统确保耳机具有足够的电量，并根据连接状态进行智能的电源管理。作为一款音频设备，其通常包括三大部分组成，蓝牙信号传输、音频处理和电源管理。

蓝牙信号传输、音频处理部分

蓝牙耳机内置蓝牙模块，包括蓝牙芯片和天线，负责与兼容的音频播放设备（如手机、电脑等）建立蓝牙连接。当手机或播放器等设备发出蓝牙信号时，蓝牙耳机内部的蓝牙芯片会接收这个信号，并与设备建立连接。

音频信号通过蓝牙协议编码后，以电磁波的形式从设备传输到蓝牙耳机。蓝牙耳机接收到这些信号后，通过内部的蓝牙接收器捕获这些信号。蓝牙耳机将接收到的数字音频信号进行解码，这一步骤是将压缩或编码的音频数据还原成原始的音频数据流。然后，通过内部的数模转换器（DAC）将数字音频信号转换为模拟音频信号。模拟音频信号随后被送到耳机内部的放大器进行放大，以增强音频信号的功率，使其能够驱动耳机单元（即扬声器）产生声音。扬声器中的音圈在磁场中受到力的作用，随电流的变化而振动，从而驱动振动膜片产生声音。蓝牙耳机还会对音频信号进行降噪和回声消除等处理，以提供更清晰和高质量的音频体验。

电源管理部分

电源管理部分包括电池和电源管理电路等，蓝牙耳机通常使用可充电电池作为电源，电池的电量可以通过蓝牙芯片进行监测和管理。当电池电量较低时，蓝牙耳机会发出警告信号，提醒用户需要充电。蓝牙耳机还通过与其他设备的连接状态来控制电源的开关。当蓝牙耳机与其他设备断开连接时，它会自动进入待机模式以节省电量。一些高端蓝牙耳机还支持快速充电技术，用户可以在短时间内为耳机充电以便继续使用。

在某蓝牙耳机应用上，合科泰为蓝牙耳机提供二极管、三极管、MOS管和锂电池保护IC等，具体型号包括采用SOT-23封装的NPN三极管 MMBT3904，采用SOT-23封装的NMOS管 2N7002，采用SOT-23封装的PMS管SI2301，采用采用SOD-123封装的二极管1N4148W。

总之，作为一家专业的分立器件厂商，合科泰的分立器件非常适合蓝牙耳机这种小型化电子设备，稳定、安全、可靠、低功耗等，是客户的不错选择。

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型号- 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

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合科泰电子（HKT）成立于1992年，是一家专业从事半导体模拟芯片和分立器件研发生产的的高新技术企业，旗下产品包括电源管理、桥堆、二极管、三极管、MOSFET等。合科泰电子采用欧盟生产标准，在电路设计、半导体器件及工艺设计、可靠性设计、器件模型提取等方面积累了众多核心技术，并获得国家发明专利，实用新型专利等多项资质。

二极管肖特基二极管整流二极管稳压二极管整流桥开关二极管 TVS二极管快恢复二极管特快恢复二极管超快恢复二极管三极管普通三极管达林顿三极管 MOS管低压MOS管高压MOS管稳压电路三端稳压电路

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带阻三极管选型全攻略：时科DTC114系列的卓越之选

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科信（KEXIN）从事SMD表面贴片分立器件生产、研发、销售30年，一直专注SMD表面贴片分立器件小型化，产品均通过ISO9001认证和IATF16949认证，广泛应用于各类电子设备。当市场对新功能有需求，公司全力搜寻最合适的物料，以提供最优质的产品与服务。

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分立器件产品在开关电源上的应用

本文合科泰电子来为大家介绍分立器件产品在开关电源上的应用，希望对各位工程师朋友有所帮助。作为一家专业分立器件厂商，合科泰能为电源产品提供高质量、可靠性高且稳定的产品，如整流桥GBU410、高压MOS管HKTD7N65、中低压MOS管HKTD80N06、快恢复二极管RS2M和超快恢复二极管ES2MF、肖特基SS510等。

2024-11-27 - 技术探讨代理服务技术支持现货查询批量订货

合科泰电子NPN晶体管选型表

合科泰电子提供以下参数选型：集电极基极电压VCBO(V)：20~900V、集电极-发射极电压VCEO(V)：12~800V、集电极电流Ic(mA)：20~6000mA、放大倍数（最小）HFE（MIN）：10~10K、放大倍数（最大）HFE（MAX）：40~3200、耗散功率PD(mW)：100~2000mW等

产品型号	品类	封装形式	沟道类型	集电极基极电压VCBO(V)	集电极-发射极电压VCEO(V)	发射极-基极电压VEBO(V)	集电极电流Ic(mA)	放大倍数（最小）HFE（MIN）	放大倍数（最大）HFE（MAX）	耗散功率PD(mW)
2SC1162	NPN晶体管	TO-126	NPN	35	35	5	2500	60	320	750

选型表 - 合科泰电子立即选型

【技术】TVS瞬态抑制二极管：保护电子设备免受过电压损害

在今天的科技时代，我们生活和工作中使用的电子设备越来越多。然而，电力供应中可能存在的瞬态过电压可能对这些设备造成严重损害。为了保护电子设备免受过电压损害，我们需要使用TVS瞬态抑制二极管。今天，里阳半导体和大家具体来聊一聊，TVS瞬态抑制二极管!

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高特SS58C肖特基二极管：节能稳定，全方位助力电子设备

SS58C是高特微电子研发的一款卓越的LOW VF肖特基二极管，以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理大电流和高压场景而设计，具有出色的稳定性，在80V工作电压下，最大正向导通电流可达5A，尤其在5A电流条件下VF值仅为0.7V，展示了其优秀的节能特性。即使在80V高压环境下，其漏电电流也仅有1mA，充分体现了产品的高效能表现。

2024-11-18 - 产品代理服务技术支持现货查询批量订货

合科泰电子 P沟道MOSFET选型表

合科泰电子提供P沟道MOSFET以下参数选型，漏源电压-60V~-8V，连续漏极电流-60A~-0.13A

产品型号	品类	封装形式	沟道类型	漏源电压 VDS(V)	栅源电压 VGS±(V)	连续漏极电流 ID(A)	漏源导通电阻 RDS(ON)(Ω)	栅极阈值电压(最小) VGS(th)(V)	棚极阈值电压(最大) VGS(th)(V)	耗散功率 PD(mW)
9435	P沟道MOSFET	S0P-8	p	-30	-20	-5	0.053	-1	-3	2500