上海贝岭650V/80A IGBT助力高效率逆变焊机设计,开关速度快、关断损耗小、导通电压低

2024-09-28 上海贝岭公众号
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一、引言

逆变焊机作为一种先进的焊接设备,在现代工业中占据了重要的地位。与传统的变压器式焊接设备相比,具有诸多优点,如:


  • 高效节能

由于逆变焊机的工作频率很高(通常在20kHz~100kHz),因此它能更有效地利用电能,减少能量损失。


  • 轻便便携

相比传统焊机,逆变焊机体积小、重量轻,易于携带。


  • 焊接性能好

逆变焊机能提供更稳定的电弧,减少飞溅,提高焊接质量。


  • 可调节性强

用户可以根据不同的焊接材料和厚度来调整焊接参数,灵活性更高。

如图1所示,逆变焊机工作原理是先将电网提供的工频交流电转变为直流电,然后通过电子开关(IGBT/MOSFET)将直流电逆变成高频交流电,最后通过整流得到适合焊接工艺要求的电流和电压。

 图1 逆变焊机工作方框图

二、逆变焊机拓扑介绍

逆变焊机主电路拓扑已经较为成熟,主要的拓扑有双管正激式、推挽式、半桥式、全桥式等。


图2.1为半桥式拓扑结构。该拓扑由两个功率管组成桥式电路,其对称交替导通有利于变压器完全复位,磁芯利用率高,输出响应快,且半桥分压电容器的存在能够较好抗磁偏。该拓扑广泛应用于中小功率逆变焊机。但在相同功率下,半桥式功率管要承受更大的电流。


图2.2为全桥式拓扑结构。该拓扑由四个功率管组成桥式电路,主要应用于大电流、大功率场合,变压器磁芯利用率高,成本也相应较高。

图2.1 半桥逆变主电路

图2.2 全桥逆变主电路

三、逆变焊机IGBT损耗分析

目前市面上大部分逆变焊机采用的为硬开关电路,电路拓扑如图2.1和2.2,通过测试分析,该应用场景IGBT器件的损耗主要来源于以下四个部分,如图3.1所示:

1、IGBT器件内部合封二极管续流和反向恢复过程损耗Ediode

2、IGBT开启损耗Eon

3、IGBT通态损耗Econ

4、IGBT关断损耗Eoff


图3.1 逆变焊机IGBT开关波形

如图3.2所示,逆变焊机硬开关应用中,关断损耗Eoff占比最大,其次为导通损耗Econ。

图3.2  IGBT损耗占比

四、上海贝岭650V/80A IGBT产品优势

为适应逆变焊机客户大电流IGBT单管需求,上海贝岭研发推出650V/80A IGBT单管BLG80T65FDK7,助力高效率逆变焊机设计。该器件具有开关速度快、关断损耗小、导通电压低等特点,可满足客户高效率设计要求。


4.1器件技术

上海贝岭650V/80A IGBT产品BLG80T65FDK7采用了第七代微沟槽多层场截止IGBT技术,进行了特殊工艺控制,优化了VCE(sat)和Eoff参数,提升了产品的可靠性。


4.2饱和压降VCE(sat)

逆变焊机中IGBT的导通损耗占总损耗比例较大,影响导通损耗的主要参数为VCE(sat),常温下贝岭BLG80T65FDK7导通压降比竞品低12%,导通损耗比竞品更低。

图4.1 不同温度下饱和压降对比

4.3关断损耗Eoff

BLG80T65FDK7具有较小的寄生电容,这保证了器件有更高的开关速度,开关频率高达50kHz以上,如图4.2所示,通过测试IGBT的损耗,BLG80T65FDK7关断损耗比竞品低5%。

图4.2 IGBT关断损耗对比

4.4系统优势

IGBT开关频率的提高还可以显著提升逆变焊机对电流的控制精度,同时器件损耗的减小,可在大功率输出工况下提升焊机的工作效率,显著降低正常工作时IGBT器件的温升。上海贝岭BLG80T65FDK7基于优异的器件设计,为逆变焊机系统顺利通过温升、输出短路等测试提供了保障。如图4.3,常温自然散热情况下,贝岭BLG80T65FDK7和竞品壳温基本一致,满足客户的需求。

图4.3 IGBT壳温对比

五、上海贝岭功率器件选型方案

上海贝岭功率器件产品线齐全,包含MOSFET、IGBT等系列产品,为逆变焊机主逆变和辅助电源设计提供助力,具体型号参考表1:

表1 功率器件选型表

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
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ROHM(罗姆)IGBT选型指南(英文)

描述- ROHM's IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) contribute to higher efficiency and energy savings for a wide range of high voltage and high current applications.ROHM's IGBTs contribute to greater efficiency and energy savings in a variety of high-voltage, large-current applications, including electric vehicles (EVs), trains, air conditioners, portable welding machines, DC/AC inverters.

型号- RGSX5TS65HR,RGW50TS65,RGS30TSX2DHR,RGW50TK65,RGTH40TS65,RGW40TK65,RGWX5TS65HR,RGS60TS65DHR,RGW40TS65,RGW00TS65DHR,RGSX5TS65DHR,RGS30TSX2D,RGTH50TS65,RGT20TM65D,RGTH60TS65D,RGW80TS65DHR,RGT8NS65D,RGPR50NL45HRB,RGTH60TK65D,RGT40NL65D,RGTH40TK65,RGTH00TK65D,RGT40TS65D,RGT30NS65D,RGW80TS65,RGTVX2TS65,RGW80TK65,RGT50TM65D,RGTV60TK65D,RGT16NL65D,RGW60TS65D,RGTV60TS65D,RGT50NS65D,RGS50TSX2D,RGC80TSX8R,RGW60TK65D,RGW00TK65D,RGS30TSX2HR,RGS80TSX2HR,RGTH50TK65,RGW00TS65CHR,RGTH80TS65,RGT40TM65D,RGCL80TK60,RGS30TSX2,RGTVX2TS65D,RGS00TS65DHR,RGPR20BM36HR,RGW60TS65EHR,RGW00TS65D,RGT40NS65D,RGTH80TK65,RGCL80TS60,RGS80TSX2DHR,RGW80TS65CHR,RGTH80TS65D,RGPZ10BM40FH,RGT20NL65D,RGTHD40TS65HR,RGWX5TS65EHR,RGS60TS65HR,RGTH80TK65D,RGS80TS65HR,RGT80TS65D,RGPZ30BM56HR,RGTH50TS65D,RGPR20NL43HR,RGW60TS65HR,RGW00TS65HR,RGW50TK65D,RGS80TS65DHR,RGS80TSX2,RGT50TS65D,RGW00TS65,RGW80TS65HR,RGSX5TS65E,RGT30NL65D,RGTVX6TS65,RGW80TK65E,RGW80TK65D,RGT30TM65D,RGW80TS65D,RGPR30NS40HR,RGS00TS65EHR,RGW60TS65DHR,RGWX5TS65D,RGW50TS65D,RGCL60TS60,RGT8TM65D,RGS50TSX2,RGPR10BM40FH,RGCL60TK60,RGTV80TK65,RGCL80TK60D,RGCL80TS60D,RGTV00TK65D,RGS50TSX2DHR,RGTV80TS65,RGTV00TS65D,RGT8BM65D,RGWX5TS65DHR,RGTH00TS65D,RGT20NL65,RGTV60TS65,RGTV00TK65,RGWX5TS65,RGTV00TS65,RGCL60TK60D,RGT8NL65D,RGTH00TK65,RGTV60TK65,RGPR30BM40HR,RGTH60TK65,RGT60TS65D,RGT16NS65D,RGT20NS65D,RGS50TSX2HR,RGTVX6TS65D,RGW00TS65EHR,RGTH40TS65D,RGT00TS65D,RGS80TSX2D,RGTH40TK65D,RGSX5TS65EHR,RGPR20NS43HR,RGW60TS65CHR,RGW40TK65D,RGT50NL65D,RGW00TK65,RGW80TS65EHR,RGW40TS65D,RGCL60TS60D,RGS00TS65HR,RGTV80TS65D,RGW60TS65,RGTH60TS65,RGTH50TK65D,RGT16BM65D,RGT16TM65D,RGPR30BM56HR,RGW60TK65,RGTV80TK65D,RGTH00TS65

选型指南  -  ROHM  - Edition 2022  - 2022/8/3 PDF 英文 下载 查看更多版本

BLQG3040 IGBT

型号- BLQG3040-B,BLQG3040,BLQG3040-D

数据手册  -  上海贝岭  - Rev 1.1  - 2023-2-27 PDF 英文 下载

BLG3040 IGBT

型号- BLG3040-D,BLG3040-P,BLG3040-B,BLG3040,BLG3040-I

数据手册  -  上海贝岭  - Rev 2.2(I)  - 7/2024 PDF 英文 下载 查看更多版本

在设计一款逆变焊机,其中IGBT驱动电路采用的脉冲变压器进行驱动,在测试过程中,发现IGBT门极驱动存在电压尖峰,希望帮忙分析一下?

在IGBT驱动电路采用脉冲变压器驱动,其电压上升沿受漏感的影响会产生尖峰值,由于IGBT的门极电压允许的范围通常是±20V,如果尖峰电压超过此范围,容易导致 IGBT门极击穿而损坏,建议在门极和集电极增加双向TVS管进行钳位,推荐使用littelfuse的SMBJ16CA,其稳态工作电压16V,开始击穿电压为 17.8V,有效保护IGBT门极电压。

技术问答    发布时间 : 2019-02-25

【应用】美林电子提供单管/半桥IGBT产品用于电焊机设计,助力直交流电转变,实现整机循环控制

本文主要介绍美林电子IGBT产品在电焊机方面应用。电焊机中由IGBT或场效应管组成的逆变电路将直流电变为15~100kHz的交流电,实现整机循环控制,采用脉宽调制PWM为核心的控制技术,从而获得快速脉宽调制的恒流特性和优异的焊割工艺效果。

应用方案    发布时间 : 2023-05-27

BLG75T65FUK IGBT

型号- BLG75T65FUK,BLG75T65FUK-F

数据手册  -  上海贝岭  - Rev3.0  - 2024-05-31 PDF 英文 下载 查看更多版本

BLG75T65FDL IGBT

型号- BLG75T65FDL,BLG75T65FDL-F

数据手册  -  上海贝岭  - Rev5.0  - 2024-05-31 PDF 英文 下载 查看更多版本

BLG75T65FDK IGBT

型号- BLG75T65FDK,BLG75T65FDK-F

数据手册  -  上海贝岭  - Rev6.0  - 2024-05-31 PDF 英文 下载 查看更多版本

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