【产品】国产1200V碳化硅肖特基二极管B1D20120H，TO-247-2封装
基本半导体的碳化硅肖特基二极管（SiC肖特基二极管）B1D20120H，反向重复峰值电压为1200V，连续正向电流为20A，总电容电荷为101nC，采用TO-247-2封装，不含卤素，符合RoHS标准。
该产品反向电流极低，反向恢复电流可忽略，VF具有正温度系数，还具有优秀的浪涌电流保护能力，可用于开关电源（SMPS），不间断电源和电机驱动器等应用。
B1D20120H的非重复正向峰值浪涌电流为150A，浪涌保护性能出色。Tc=25℃条件下，器件的耗散功率为269W。工作结温为-55~175℃，存储温度范围-55~135℃。器件的结壳热阻的典型值为0.557K/W。Tj=25℃下，器件的正向压降典型值为1.46V，反向电流为10uA。
特点：
●极低的反向电流
●反向恢复电流可忽略
●与温度无关的开关特性
●VF具有正温度系数
●优秀的浪涌电流保护能力
●低电容电荷
优势：
●开关损耗极低
●通过Si二极管提高系统效率
●更高的功率密度
●更高的开关频率
●降低散热器需求
●较小的磁性元件节省了系统成本
●低EMI
应用：
●开关电源（SMPS）
●不间断电源
●电动机驱动器
●功率因数校正
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产品型号
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品类
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VRRM
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IF
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IFSM
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VF
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Ptot
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QC
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B1D02065K
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碳化硅肖特基二极管
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650V
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2A
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16A
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1.4V
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39W
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6.8nC
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选型表 - 基本半导体 立即选型
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