【IC】 芯进电子新推超宽体，超高耐压，光耦兼容，单通道隔离驱动CCi8335系列芯片
针对1.5kV光伏逆变器应用系统，芯进电子专门研发并推出了超高耐压的光耦兼容单通道隔离驱动CCi8335系列芯片。为了适应1.5kV及以上的系统工作电压需要，CCi8335在耐压方面进行了全方位优化，采用了体宽为15mm的超宽体SOP8WW封装，同时采用了公司最新一代专利的超高耐压隔离膜技术，AC, BV, SURGE峰值都超过了24KV，VISO=8KVrms；VIOWM至少可达到2000Vrms和2828Vpk，动态CMTI>150V/ns；隔离耐压达到了国际领先水平。可以pin2pin替换ACNT-H3X3等隔离驱动芯片。
产品优势与主要特性
1、实现光兼容单通道隔离式栅极驱动器
2、超高耐压&高可靠性专利隔离膜技术，远超增强型隔离标准
· VIOWM≥2000VRMS
· 隔离等级高达8000VRMS
· 浪涌能力高达24kVPK
3、共模瞬态抑制：典型值大于±150V/ns
4、输出驱动侧VCC的最大工作电压33V
5、UVLO四档可选（A-5V，B-8V，C-10V，D-12V）
6、具有6A峰值拉电流和8A峰值灌电流
7、60ns典型传播延迟
8、25ns最大脉宽失真
9、输入级具有24V反向电压处理，反向击穿电压26V
10、多项国家发明专利，超高耐压&可靠性的隔离膜和封装技术。
应用场景
· 太阳能逆变器、储能
· 变频器、直流充电桩
· UPS和电池充电器
· 隔离IGBT、功率MOSFET栅极驱动
实测数据
CCi8335系列芯片因超高压耐压需求而生，实测数据显示: AC BV和SURGE峰值都超过了24KV，VISO=8KVrms；VIOWM至少可达到2000Vrms和2828Vpk，动态CMTI>150V/ns，达到了目前国际领先的隔离耐压水平。
1、超高耐压、超强可靠性高可靠性，远超增强型隔离标准，国际领先
· VIOWM≥2000VRMS
· 隔离等级高达8000VRMS；
· 浪涌能力高达24kV；AC BV≥24kV
· 在整个隔离栅具有±8kV IEC 61000-4-2接触放电保护
2、优秀的CMTI性能和抗干扰能力
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