瞻芯电子累计交付SiC MOSFET产品1000万颗以上，产品的长期可靠性得到市场验证

时间： 2024-09-29 来源：瞻芯电子公众号

技术问答

选型帮助

研发客服

商务客服

近日，自2020年正式发布第一代碳化硅(SiC) MOSFET产品以来，瞻芯电子累计交付SiC MOSFET产品1000万颗以上，其中包含近400万颗车规级产品应用在新能源汽车市场，标志着产品的长期可靠性得到了市场验证。

SiC MOSFET作为功率变换系统的核心元器件，其性能表现影响应用系统的效率表现。而产品的长期可靠性则更为关键，它决定了应用系统的安全和稳定。

瞻芯电子CTO叶忠博士说：“对SiC MOSFET来说，产品可靠性验证过程是一场马拉松长跑。产品通过可靠性测试认证只是拿到参赛入场券，而长期实际运行表现才能验证真正的产品可靠性。”

叶忠博士进一步介绍：“为了确保产品的高可靠性，我们针对SiC MOSFET的失效机理做了长期的研究积累，并自主开发了一套锤击老化测试系统 (Hammer burn-in System)，针对不同的产品失效机理，开展多种辅助测试筛查、加严测试和寿命测试。”

瞻芯电子致力于为客户提供高可靠的碳化硅（SiC）功率器件产品，其SiC MOSFET超千万颗的交付量不仅是一项里程碑，更将成为公司对产品可靠性研究和持续提升的重要基石。

关于瞻芯电子

上海瞻芯电子科技股份有限公司（简称“瞻芯电子”）是一家聚焦于碳化硅(SiC)半导体领域的高科技芯片公司，2017年成立于上海临港。公司致力于开发碳化硅功率半导体和芯片产品，并围绕碳化硅(SiC)应用，为客户提供一站式解决方案。

瞻芯电子是中国第一家自主开发并掌握6英寸碳化硅(SiC)MOSFET产品以及工艺平台的公司，拥有一座车规级碳化硅(SiC)晶圆厂，标志着瞻芯电子进入中国领先的碳化硅(SiC)功率半导体IDM公司行列。

瞻芯电子将持续创新，放眼世界，致力于打造中国领先、国际一流的碳化硅(SiC)功率半导体和芯片解决方案提供商。

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由犀牛先生转载自瞻芯电子公众号，原文标题为:瞻芯电子交付碳化硅(SiC)MOSFET逾千万颗，产品长期可靠性得到验证，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

全部评论（0）

暂无评论

瞻芯电子荣获“东方芯港·明日之星”奖，致力于打造碳化硅(SiC)功率器件芯片和驱动芯片的产业化

2017年，瞻芯电子在东方“芯”港这片沃土创立，前瞻性地致力于打造碳化硅(SiC)功率器件芯片和驱动芯片的产业化，现已成长为我国少有的碳化硅(SiC)芯片的垂直整合制造（IDM）企业，累计交付核心产品：碳化硅(SiC)MOSFET约900万颗，驱动芯片约4800万颗，广泛应用于新能源汽车、光伏与储能、充电桩、工业和通信电源等领域。

原厂动态发布时间 : 2024-08-24

格力新元电子携带多款核心产品参加2024第十二届上海国际新能源汽车生态链博览会

本次展会，格力新元电子的展品涵盖电机驱动系统、导航仪表、直流电压转换器DCDC、照明系统、车载充电机OBC、空调系统、动力转向系统和电池管理系统等新能源汽车核心应用领域，提供车载用电子器件解决方案和服务，推动新能源汽车产业升级。

原厂动态发布时间 : 2024-08-12

爱仕特1200V 12mΩ SiC MOSFET已量产并批量出货，兼具超低导通和超快开关特性

爱仕特自主研发的15V驱动的1200V 12mΩ SiC MOSFET和1700V 25mΩ SiC MOSFET芯片已量产并开始批量出货给国内客户，填补了国内该系列产品研发及应用的空白，引领国内SiC功率器件技术跻身国际领先水平。

原厂动态发布时间 : 2022-12-05

SiC MOSFET驱动电压尖峰分析与抑制（上）

高频、高速开关是碳化硅(SiC) MOSFET的重要优势之一，这能显著提升系统效率，但也会在寄生电感和电容上产生更大的振荡，从而让驱动电压产生更大的尖峰。设计可靠的驱动电路来抑制的驱动电压尖峰，成为发挥SiC MOSFET优势特性的关键课题。为此，我们首先测试复现驱动尖峰波形并分析原因，然后采取相应措施来抑制尖峰。本篇主讲第一部分：驱动电压尖峰复现与分析。

设计经验发布时间 : 2024-01-02

瞻芯电子SiC MOSFET选型表

瞻芯电子提供以下参数选型：汽车级&工业级，VDS（V）：650V~1700V，RDS(ON) ：15mΩ~10000mΩ。

产品型号	品类	Qualification	VDS（V）	RDS(ON) （mΩ）	ID（TC=25°C）（A）	VTH（ TJ =25°C）（V）	VTH（ TJ =175°C）（V）	Qg（nC）	Operating Junction Temperature（°C）	Package
IV2Q06025T4Z	SiC MOSFET	汽车级	650V	25mΩ	99A	2.8V	2.0V	125.0nC	-55°C to 175°C	TO247-4

选型表 - 瞻芯电子立即选型

【视频】蓉矽高可靠性SiC功率器件在光储充与新能源汽车上的应用

型号- NCD30S40TTD,NC1M120C12HT,NC1M120C12W,NC1D120C10AT,NCD30S20TTD,NC1D120C20KT,NC1D120C30KT,NC1M120C40HT,NC1M120C75HT

商品及供应商介绍 - NOVUSEM PPTX 中文下载

澜芯半导体车规级SiC MOSFET/ IGBT等功率器件授权世强硬创代理

1200V 40mΩ SiC MOSFET和基于第二代工艺平台开发的1200V 12mΩ SiC MOSFET单芯片流片取得巨大成功，平均良率达到90%以上。

签约新闻发布时间 : 2023-10-18

SiC MOSFET驱动电压尖峰分析与抑制（下）

高频、高速开关是碳化硅(SiC) MOSFET的重要优势之一，这能让系统效率显著提升，但也会在寄生电感和电容上产生更大的振荡，从而在驱动电压上产生更大的尖峰。抑制驱动电压尖峰，成为发挥SiC MOSFET优势的关键课题。本篇主要介绍驱动电压尖峰的抑制方法。

设计经验发布时间 : 2024-01-02

高压快充推动碳化硅SiC器件产业化：新能源汽车市场趋势与技术革新

随着全球新能源汽车市场的蓬勃发展，高压快充技术作为新能源汽车补能的主要解决方案，正逐步成为市场主流。凭借多年来在磁性元器件领域中积累的研发技术、生产经验，铭普已形成PFC电感、共模电感、电源变压器、PLC变压器和塑封逆变电感等系列产品矩阵且积极与碳化硅芯片公司合作。

行业资讯发布时间 : 2024-08-10

瞻芯电子提出新能源汽车恒流预充固态继电器方案，体积大幅降低70%以上，性能优异，成本更低

瞻芯电子提出了一种新颖的高压预充方案，采用恒流控制的buck电路，可将后级母线电容快速充到电池电压。该方案采用碳化硅（SiC）MOSFET和碳化硅（SiC）SBD组成恒流充电回路，整个预充过程电流恒定，既降低了对于功率器件的要求，同时也大大提高了预充速度，而且不需要电阻，即可让后级电容充到母线电压。

应用方案发布时间 : 2023-11-20