南芯推出高集成度GaN解决方案SC3050/3056，DFN5x6封装，助力于实现快充电源产品小型化
为了应对中小功率的PD快充电源市场，南芯推出了高集成度的氮化镓功率芯片SC3050/SC3056，将控制器、驱动、GaN集成在一起，采用DFN5x6小体积封装。
氮化镓与传统硅功率器件相比，最大的优势在于高频，但是高频下极易出现串扰，南芯推出合封的氮化镓功率芯片SC3050/SC3056，集成450mΩ/650V GaN功率器件，独特的EPAD设计用于大电流和最好的电气性能，引脚功能区块化，简化PCB设计，得到极小化PCB面积和更好的热体验。集成了分段式供电，应对超宽输出电压范围，让外围电路变得更加精简，在产品开发应用过程中减少PCB占板面积，实现快充电源产品的小型化。SC305x将助力于实现快充电源产品的小型化。
Features 1——高性能控制器、低阻抗GaN
SC305x是南芯高性能SSR控制器与GaN功率器件的完美结合，更加利于发挥GaN器件低阻抗、低开关损耗的优良性能；QR工作模式，可支持170kHz开关频率；提高系统的功率密度，满足日趋小型化的需求；特有的降频策略，使得全功率范围获得理想的转换效率。
Features 2——集成分段式供电，适应超宽输出电压范围
针对宽输出电压范围PD，采用分段式供电技术 “以柔克刚”，依靠单一辅助绕组，轻松应对PD中超宽的输出电压要求，省去复杂的供电电路，同时也避免过高的辅助绕组电压所带来的额外损耗、EMI等问题。
Features 3——完备的保护功能
SC305x高集成度的同时，拥有完备的保护功能，过流保护、过载保护、过压保护、过温保护等。
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