南芯推出高集成度GaN解决方案SC3050/3056,DFN5x6封装,助力于实现快充电源产品小型化

2024-09-30 SOUTHCHIP官网
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为了应对中小功率的PD快充电源市场,南芯推出了高集成度的氮化镓功率芯片SC3050/SC3056,将控制器、驱动、GaN集成在一起,采用DFN5x6小体积封装。

 

氮化镓与传统硅功率器件相比,最大的优势在于高频,但是高频下极易出现串扰,南芯推出合封的氮化镓功率芯片SC3050/SC3056,集成450mΩ/650V GaN功率器件,独特的EPAD设计用于大电流和最好的电气性能,引脚功能区块化,简化PCB设计,得到极小化PCB面积和更好的热体验。集成了分段式供电,应对超宽输出电压范围,让外围电路变得更加精简,在产品开发应用过程中减少PCB占板面积,实现快充电源产品的小型化。SC305x将助力于实现快充电源产品的小型化。


Features 1——高性能控制器、低阻抗GaN

SC305x是南芯高性能SSR控制器与GaN功率器件的完美结合,更加利于发挥GaN器件低阻抗、低开关损耗的优良性能;QR工作模式,可支持170kHz开关频率;提高系统的功率密度,满足日趋小型化的需求;特有的降频策略,使得全功率范围获得理想的转换效率。


Features 2——集成分段式供电,适应超宽输出电压范围

针对宽输出电压范围PD,采用分段式供电技术 “以柔克刚”,依靠单一辅助绕组,轻松应对PD中超宽的输出电压要求,省去复杂的供电电路,同时也避免过高的辅助绕组电压所带来的额外损耗、EMI等问题。


Features 3——完备的保护功能

SC305x高集成度的同时,拥有完备的保护功能,过流保护、过载保护、过压保护、过温保护等。


授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
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