【元件】 新锐半导体推出工业级SGT MOSFET:XRS150N15H与XRS180N15TL,具有低导通、低损耗等优点
新锐半导体新推出的工业级SGT MOSFET:XRS150N15H与XRS180N15TL,具有低导通、低损耗、宽SOA、高散热、高EAS的特性与优点,可应用发电机、锂电池保护、逆变器等。
XRS150N15H采用TO247封装,具有优良的散热性能,且材料符合Rohs标准无卤素。
图1 TO247 POD
主要参数如下:
最大漏极/源极电压BVDSS:150V
最大栅极/源极电压VGSS:±20V
最大漏极持续电流(DC)ID:150A,最大总耗散功率Pt:298W
静态漏源导通电阻Rds(VGS=10V)典型值:5.9mΩ
XRS180N15TL采用TOLL-8L封装,具有优良的散热性能,且材料符合Rohs标准无卤素。
图2 TOLL-8L POD
主要参数如下:
最大漏极/源极电压BVDSS:150V
最大栅极/源极电压VGSS:±20V
最大漏极持续电流(DC)ID:180A,最大总耗散功率Pt:298W
静态漏源导通电阻Rds(VGS=10V)典型值:5.0mΩ
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本文由Vicky转载自XNRUSEMI,原文标题为:新品推荐 150V N沟道,分离栅MOSFET,可应用电机、锂电池保护、逆变器,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
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