【元件】 新锐半导体推出工业级SGT MOSFET：XRS150N15H与XRS180N15TL，具有低导通、低损耗等优点
新锐半导体新推出的工业级SGT MOSFET：XRS150N15H与XRS180N15TL，具有低导通、低损耗、宽SOA、高散热、高EAS的特性与优点，可应用发电机、锂电池保护、逆变器等。
XRS150N15H采用TO247封装，具有优良的散热性能，且材料符合Rohs标准无卤素。
图1 TO247 POD
主要参数如下：
最大漏极/源极电压BVDSS：150V
最大栅极/源极电压VGSS：±20V
最大漏极持续电流（DC）ID：150A，最大总耗散功率Pt：298W
静态漏源导通电阻Rds（VGS=10V）典型值：5.9mΩ
XRS180N15TL采用TOLL-8L封装，具有优良的散热性能，且材料符合Rohs标准无卤素。
图2 TOLL-8L POD
主要参数如下：
最大漏极/源极电压BVDSS：150V
最大栅极/源极电压VGSS：±20V
最大漏极持续电流（DC）ID：180A，最大总耗散功率Pt：298W
静态漏源导通电阻Rds（VGS=10V）典型值：5.0mΩ
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本文由Vicky转载自XNRUSEMI，原文标题为:新品推荐 150V N沟道，分离栅MOSFET，可应用电机、锂电池保护、逆变器，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
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产品型号
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品类
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封装
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Configuration
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MOSFET Type
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VDS(V)
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VGS(V)
|
Vth typ.(V)
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RDS(ON) (mΩ) typ. at VGS=4.5V
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RDS(ON) (mΩ) typ. at VGS=2.5V
|
ID(A)
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XR2010S
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XR-N-MOSFETS
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SOP8
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Single
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N
|
20
|
±12
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0.7
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12
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17
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10
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选型表 - XNRUSEMI 立即选型
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