【元件】 新锐半导体推出工业级SGT MOSFET:XRS150N15H与XRS180N15TL,具有低导通、低损耗等优点

2024-09-30 XNRUSEMI
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新锐半导体新推出的工业级SGT MOSFETXRS150N15HXRS180N15TL,具有低导通、低损耗、宽SOA、高散热、高EAS的特性与优点,可应用发电机、锂电池保护、逆变器等。


XRS150N15H采用TO247封装,具有优良的散热性能,且材料符合Rohs标准无卤素。


图1 TO247 POD


主要参数如下:

最大漏极/源极电压BVDSS:150V

最大栅极/源极电压VGSS:±20V

最大漏极持续电流(DC)ID:150A,最大总耗散功率Pt:298W

静态漏源导通电阻Rds(VGS=10V)典型值:5.9mΩ


XRS180N15TL采用TOLL-8L封装,具有优良的散热性能,且材料符合Rohs标准无卤素。


图2 TOLL-8L  POD


主要参数如下:

最大漏极/源极电压BVDSS:150V

最大栅极/源极电压VGSS:±20V

最大漏极持续电流(DC)ID:180A,最大总耗散功率Pt:298W

静态漏源导通电阻Rds(VGS=10V)典型值:5.0mΩ


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