【IC】 华润上华成功开发第三代0.18微米BCD工艺平台,为电源管理IC设计提供有竞争力的工艺方案
2018年11月5日,华润微电子有限公司(“华润微电子”)旗下的华润上华科技有限公司(以下简称“华润上华”)宣布,公司已成功开发出第三代0.18微米BCD工艺平台。新一代BCD工艺平台在降低导通电阻的同时,提升了器件的可靠性,降低了工艺成本,可覆盖7V-40V的宽工作电压范围,为电源管理IC的设计提供了有竞争力的工艺方案。
华润上华第三代0.18微米BCD工艺基于大量的仿真和流片数据,对高压器件结构进行优化,将综合性能做到业界领先水平。其中30V
nLDMOS的击穿电压达到50V,导通电阻仅为 15 mohm*mm^2,相比第二代0.18微米BCD工艺在品质因子(Ron*Qg)指标上优化25%。新一代BCD工艺平台提供了BJT、Poly电阻、Zener、SBD等种类丰富的寄生器件,以及针对不同工作电压的ESD保护方案。目前已有手机、安防监控、消费电子等多个领域的客户在该平台导入产品,器件性能得到国内外多家客户的一致认可。
作为国内领先的模拟晶圆代工厂,华润上华在BCD工艺平台上已耕耘多年,具有丰富的量产经验,从6英寸生产线到8英寸生产线,从1μm延伸至0.18μm,在各个节点上可满足客户对电源管理芯片设计的全方位需求。
华润上华市场销售副总经理邵军表示:“我们期待第三代0.18微米BCD工艺平台能为客户提供更高性价比的方案。未来,华润上华还将持续精进,不断提升BCD工艺平台的竞争力,满足客户在电源管理芯片上的多种需求。”
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产品型号
|
品类
|
工作电压(V)
|
类别
|
规格(A/V)
|
自举二极管
|
温度感测
|
RDSON(Ω)
|
CS5752ATO
|
IPM模块
|
13.5~16.5
|
3相
|
2/500
|
自举二极管
|
温度感测
|
3
|
选型表 - 华润微电子 立即选型
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产品型号
|
品类
|
Supply Voltage Range
|
Gain Bandwidth Product
|
Slew Rate
|
Typical Supply Current
|
CN2001BST5
|
运算放大器
|
1.4V to 5.5V
|
7KHz
|
2.2V/ms
|
400nA
|
选型表 - 华润微电子 立即选型
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