【元件】瞻芯电子推出2000V SiC MOSFET和SBD，助力高压光伏逆变器系统

时间： 2024-10-09 来源：瞻芯电子公众号

代理服务

技术支持

现货查询

批量订货

SiC MOSFET,SiC SBD,碳化硅Schottky Diode,SiC Schottky Diode

为了满足光伏、储能和电网等领域对更高耐压等级功率器件的需要，瞻芯电子开发了2000V碳化硅（SiC）MOSFET和SBD工艺平台。近期首批2款产品通过了严格的可靠性认证，并正式推向市场。目前已有客户导入新产品测试，进入整机验证阶段。

关于产品

瞻芯电子依托浙江瞻芯6英寸SiC晶圆厂，基于Gen-2 SiC MOSFET技术和SiC SBD技术，分别开发了2000V SiC MOSFET和SBD工艺平台。平台首款产品延续了成熟产品的良好性能和可靠性表现，并通过了包括HV-HTRB和HV-H3TRB在内的完整可靠性考核。

IV2Q20045T4：2000V 45mΩ 碳化硅（SiC）MOSFET，TO247-4

驱动电压：15V~18V，具有开尔文源极引脚

IV1D20020T2：2000V 20A 碳化硅（SiC）Schottky Diode，TO247-2

工作结温高达175℃，且Vf具有正温度系数

关于应用

随着电力电子技术的发展，在光伏、储能、电网等领域的功率变换系统呈现2个趋势：一是追求更高工作频率，以压缩电感和电容尺寸，提升效率和功率密度；二是追求更高母线电压，以降低电流导通损耗，提升系统效率。

2000V SiC器件兼具耐高压、高频开关的特点，满足以上2方面的系统应用需求。以升压变换电路为例，为了降低线路导通电阻，而将母线电压提升到1500V，若采用1200V SiC器件则需增加联级电路和元器件数量；若采用2000V SiC器件的方案，具有简化电路设计和控制，减少元器件数量，降低成本，提升功率密度等优势，如下图所示：

IV2Q20045T4 典型应用：

光伏逆变器
UPS电源
电机驱动
开关电源

IV1D20020T2 典型应用：

光伏逆变器
逆变器续流二极管
开关电源

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由ll转载自瞻芯电子公众号，原文标题为:瞻芯电子推出2000V SiC MOSFET和SBD，助力高压光伏逆变器系统，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

全部评论（0）

暂无评论

【元件】瞻芯电子再推3款车规级第二代650V SiC MOSFET产品，具备业界较低的损耗水平

瞻芯电子开发的3款第二代650V SiC MOSFET产品通过了严格的车规级可靠性认证（AEC-Q101 Qualified）。瞻芯电子开发的第二代SiC MOSFET芯片，具备业界较低的损耗水平，且驱动电压为15V~18V，兼容性更好。

2024-03-13 - 产品代理服务技术支持现货查询批量订货

【元件】瞻芯电子推出第二代650V车规级SiC MOSFET，TO263-7封装助力高效高密应用

瞻芯电子采用TO263-7封装的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ产品IV2Q06040D7Z通过了严苛的车规级可靠性认证，该产品采用TO263-7贴片封装，具有体积较小，安装简便，损耗更低的特点。

2024-01-17 - 产品代理服务技术支持现货查询批量订货

【元件】昕感科技推出TOLL封装MOSFET N1M065030PL2/60PL2，在储能、光伏等广泛应用

昕感科技TOLL封装系列SiC MOSFET产品N1M065030PL2和N1M065060PL2非常适合客户对大功率、大电流、高可靠性等应用的需求。其封装形式具有小体积、低封装电阻、低寄生电感、低热阻等特点，可在通信电源、光伏、储能、数据中心、电机驱动等领域广泛应用。

2023-12-12 - 产品代理服务技术支持现货查询批量订货

【方案】30~80kW组串式光伏逆变器优选器件方案

描述- 该方案针对30~80kW的组串式光伏逆变器，采用多路BOOST升压电路，减少光伏电池组件最佳工作点与逆变器不匹配的情况，最大程度增加发电量。逆变侧采用T型三电平拓扑，开关频率支持16kHz（最佳频率点），效率最高可达98.54%。辅助电源采用1700V耐压SiC MOSFET，单端反激电源可直接应用在1000V母线系统。同时，在BOOST升压电路和逆变电路中均采用IGBT模块设计，集成度更高。

型号- MKS4J022202D00MSSD,10-FZ12NMA080NS03-M260F,0505025.MX52LEP,TFLEX HD300,BGM111,C2M1000170D,EFR32MG13P732F512GM48-C,RBN75H125S1GP4-A0,10-FY12NMA160SH01-M820F18,KT05,PS9402,SGM6022,MLX91208,28R1101-000,28R0610-000,30-FT12NMA160SH-M669F28,PS9031,LSIC2SD120E30CC,30-FT12NMA200SH-M660F08,LXXXX 15.00/05/90 4.5SN GR,28R1476-100,92ML,LX 15.00/05/90 4.5SN GR BX,MKS4J033305D00KSSD,TPCM780,RC12-6-01LS,SMBJ18CA,28R1953-000,PS9531L3,SI86XX,28B0141-000,WDU50N,SGM6032,WGM110,R5F56514FDLJ,C4D30120D,WDU70N,RBN40H125S1GPQ-A0,C2M0080120D,V23990-P629-L43,SGM2019,LSIC1MO120E0080,SID11X2K,SI8261BCD-C-IS

WEIDMUELLER,LITTELFUSE,LAIRD,SILICON LABS,WIMA,RENESAS,VINCOTECH,STANDEX-MEDER,II-VI MARLOW,WOLFSPEED,PI,ROGERS,MELEXIS,SGMICRO - 优选器件方案 - V2.1

【方案】125kW（1500VDC系统）光伏逆变器优选器件方案

描述- 本方案基于 1500VDC 系统，提出了在 BOOST 电路采用高集成度对称式 BOOST 模块，内置全 SiC MOS 和二极管，以提高开关频率和减小升压电感体积。在逆变电路采用 NPC 拓扑结构，耐压高达 2400V，在满足1500V 系统耐压需求的基础上，采用了低耐压的 IGBT，实现了较高的开关频率，有利于光伏逆变器实现更高的效率和更小的体积。

型号- TFLEX HD300,C3M0065090D,C2M1000170D,10-F124NID150SH03-LG18F98,10-F124NIE150SH03-LG28F98,RA-8565SA,PS9402,MLX91208,10-F124NIX150SH03-LGX8F98,28R1101-000,28R0610-000,LSIC2SD120E30CC,28R1476-100,92ML,TPCM780,RC12-6-01LS,SMBJ18CA,KT05-1A-BV88622,28R1953-000,28B0141-000,WGM110,R5F56514FDLJ,WM 4C,C4D30120D,10-FY09S2A065ME-L869L08,SID1152K,SI8621BD-B-IS,SI8261BCD-C-IS,SID11X2K

WEIDMUELLER,LITTELFUSE,LAIRD,SILICON LABS,CREE,RENESAS,VINCOTECH,STANDEX-MEDER,II-VI MARLOW,EPSON,PI,ROGERS,MELEXIS - 优选器件方案 - V1.1

中瑞宏芯SiC MOSFET在1500V光伏逆变器中的应用与优势

为满足光伏、储能、电机驱动和电网等领域对高电压、大功率的应用需求，中瑞宏芯开发出2000V 40mΩ和1700V 25mΩ SiC MOSFET产品。采用TO247-4封装，具有开尔文源极，驱动电压15V~18V。导通电阻的温度系数只有1.5。

2024-11-28 - 应用方案代理服务技术支持现货查询批量订货

【选型】力特1700V SiC MOSFET助力光伏逆变器1500V系统辅助电源高效稳定运行

现在光伏逆变器电压等级提升到1500V，如果选用单端反激拓扑，单管MOS耐压值需要超过3000V，因此建议采用双管反激方案，推荐Littelfuse的SiC MOSFET LSIC1MO170E1000，1700V高耐压，同时采用常用的TO247封装，可直接替换Si MOS使用。

2020-12-29 - 器件选型代理服务技术支持现货查询批量订货

扬杰科技2024慕尼黑上海电子展回顾，展示新能源汽车、光伏逆变器、储能逆变器等多元领域的产品解决方案

2024年7月8-10日，为期三天的慕尼黑上海电子展圆满落幕，扬杰科技凭借卓越先进的展品、行业应用解决方案、独具一格的展台设计，现场销售人员、FAE、PM、行业经理等进行专业接待交流，吸引大量新老客户来现场进行互相交流探讨，展会现场人流如织，使得扬杰科技成为本次展会一大亮点。

2024-07-13 - 原厂动态代理服务技术支持现货查询批量订货

IV2Q171R0D7Z – 1700V 1000mΩ SiC MOSFET

型号- IV2Q171R0D7Z

2023 年 12 月 - 瞻芯电子 - 数据手册 - 版本 1.2 代理服务技术支持现货查询批量订货

【经验】Littelfuse SiC MOS管让光伏逆变器峰值效率高达99%

以10kW三相光伏逆变器为例，在逆变电路中采用littelfuse 1200V/80mΩ的SiC MOS管（LSIC1MO120E0080）和650V/40A的IGBT单管相结合，开关频率由16kHz提高至50kHz。在输出三相交流400V时，其最大输出电流可达18A，峰值效率高达99%，功率密度达到1Kw/L，有效的提高了整机效率和功率密度。